本发明专利技术提供防止使用时的引线彼此接触的电力转换装置。电力转换装置(1)包括密封部件(8)，其密封壳体(4)的收纳区域(4e)，并包括位于比半导体单元(2b)所包含的引线(30c、30d)各自的顶点靠上方的密封界面。并且，电力转换装置(1)包括缓冲部件(6c)，其在俯视时沿预定方向延伸，在侧视时缓冲底面(6c3)位于比引线(30c、30d)的顶点靠上方的位置，且缓冲底面(6c3)位于比密封界面(8a)靠下方的位置。电力转换装置(1)驱动，例如施加电流而引线(30d)发热，由引线(30d)的热引起的引线(30d)周围的密封部件(8)的膨胀所造成的引线(30d)的扩展被缓冲部件(6)缓冲(限制)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力转换装置。
技术介绍
1、半导体装置包括功率器件，并被用作电力转换装置。功率器件例如是包括igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metal oxidesemiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片。电力转换装置包括这样的半导体芯片和绝缘电路基板。绝缘电路基板包括绝缘板和形成于绝缘板的正面且接合有半导体芯片的布线板。此外，在绝缘电路基板上，半导体芯片与布线板之间、多个布线板之间通过多个引线电连接而形成电路。此外，多个引线包括一组多个引线(一个引线组)和与这些多个引线并列的另一组多个引线(另一个引线组)。将这样的绝缘电路基板收纳于壳体并在壳体内填充密封部件(例如，参照专利文献1)。
2、在这样的电力转换装置中，根据针对半导体芯片的控制信号来进行通电的控制。在通电时，除了半导体芯片以外，与半导体芯片连接的引线也被通电而发热，由此，电力转换装置内被加热。
>3、现有技术文献<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电力转换装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电力转换装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的电力转换装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
10.根据权利要求3所述的电...
【技术特征摘要】
1.一种电力转换装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的电力转换装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的电力转换装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的电力转换装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：片野智纪，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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