显示装置制造方法及图纸

技术编号:39937110 阅读:20 留言:0更新日期:2024-01-08 22:16
一种显示装置包括:基板,包括显示区域和非显示区域;第一晶体管,包括位于基板上的第一氧化物半导体层、位于第一氧化物半导体层上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的第一栅极;第二晶体管,包括位于基板上的第二氧化物半导体层、位于第一绝缘层上的第二栅极以及位于第二栅极上的第二绝缘层;以及第三晶体管,包括位于基板上的第三氧化物半导体层和位于第二绝缘层上的第三栅极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种显示装置


技术介绍

1、显示装置的示例包括液晶显示装置(lcd)、场发射显示装置(fed)和有机发光显示装置(oled)。在这些显示装置中,有机发光显示装置(oled)可以是自发光显示装置。自发光显示装置可以包括多个子像素,并且可以通过在每个子像素中包括发光器件来发光,而无需单独的光源。由于与其他显示装置相比,自发光显示装置的响应速度快、发光效率高、亮度高并且视角大,因此,自发光显示装置得到了广泛的发展。

2、此外,由于发光器件可以形成在柔性基板上,所以屏幕可以配置成诸如弯曲或折叠的各种形状,并且由于其优异的薄的性能,屏幕可以适合作为用于诸如智能手表的小型电子产品的显示装置。

3、此外,为了用作诸如具有许多静止图像的智能手表的显示装置,需要包括能够防止静止图像中的漏电流的新型晶体管的显示装置。因此,已经提出了将氧化物半导体用作有利于阻挡漏电流的薄膜晶体管的半导体层。


技术实现思路

1、在使用不同类型的半导体层(例如,多晶半导体层和氧化物半导体层)的显示装置中,形成多晶半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二晶体管的所述第一绝缘层位于所述第二氧化物半导体层与所述第二栅极之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三晶体管的所述第一绝缘层位于所述第三氧化物半导体层与所述第二绝缘层之间,并且

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的距离等于所述第二氧化物半导体层与所述第二栅极之间的距离。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的距离不同于所述第三氧化物半导体层与所述第三栅极之间的距离...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二晶体管的所述第一绝缘层位于所述第二氧化物半导体层与所述第二栅极之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三晶体管的所述第一绝缘层位于所述第三氧化物半导体层与所述第二绝缘层之间,并且

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的距离等于所述第二氧化物半导体层与所述第二栅极之间的距离。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的距离不同于所述第三氧化物半导体层与所述第三栅极之间的距离。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔召熙李俊昊柳成彬李成秦李帝贤
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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