具有量子点多层的量子点发光器件及其形成方法技术

技术编号:3993701 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种量子点发光器件及其形成方法,所述量子点发光器件包括:衬底、设置在衬底上的第一电极、基本上与第一电极相对设置的第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的第一电荷传输层、设置在第一电极和第二电极其中之一与第一电荷传输层之间的量子点发光层、以及设置在量子点发光层和第一电荷传输层之间的至少一个量子点包含层,其中所述至少一个量子点包含层的能级不同于量子点发光层的能级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种量子点发光器件及其形成方法,尤其是涉及具有包括量子点的量 子点多层的量子点发光器件及其形成方法。
技术介绍
有机发光器件(OLED)通常具有主要由低分子量有机材料形成的多层薄膜结构。 采用这种OLED的显示装置拥有某些优点,例如可选择多种材料来形成内薄膜、可形成高纯 度薄膜以及由此获得高发光性能。相反的,采用OLED也存在与之相关的问题和缺点,例如 通过与外部有害材料的反应而造成的OLED的氧化或结晶化,并且OLED的制造包括复杂和 昂贵的薄膜形成工艺,这是因为OLED通常是在预定位置采用真空沉积来形成的。近年来,集中在利用量子点(QD)的发光特性的发光器件的研究已经在增加。QD是 由晶体结构尺寸小于波尔激发半径的半导体材料形成的微粒,也即,常规QD的尺寸仅有数 纳米。尽管QD中存在许多电子,但是自由电子的数目被限制在约1-100。在这种情况下,电 子能级被不连续的限制,所以QD的电学和光学特性不同于形成连续带的体状态中的半导 体。由于QD的能级根据其尺寸而改变,因此带隙以及由带隙得到的光子的能量可以通过简 单的改变QD的尺寸来控制。S卩,QD所发射的光的波长可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光器件,包括:衬底;设置在所述衬底上的第一电极;基本上与所述第一电极相对设置的第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间的第一电荷传输层;量子点发光层,设置在所述第一电极和所述第二电极其中之一与所述第一电荷传输层之间;以及至少一个量子点包含层,设置在所述量子点发光层和所述第一电荷传输层之间,其中所述至少一个量子点包含层具有的能级不同于所述量子点发光层的能级。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:赵庆相崔秉龙李银京金泰豪李相陈
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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