电压供应电路、电压差调节器和存储器装置制造方法及图纸

本公开涉及电压供应电路、电压差调节器和存储器装置。本技术涉及一种电压供应电路，根据本技术的电压供应电路包括：信号生成电路，其被配置为根据从外部装置提供的芯片选择信号生成活动模式使能信号，并且使用从所述外部装置提供的外部电压生成待机模式使能信号；活动电压调节器，其被配置为接收所述活动模式使能信号并且当所述活动模式使能信号处于高状态时输出活动模式操作电压；以及待机电压调节器，其被配置为接收所述活动模式使能信号和所述待机模式使能信号，在所述待机模式使能信号处于高状态时输出待机模式操作电压，并且在所述活动模式使能信号处于高状态时输出低于所述待机模式操作电压的电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电压供应电路，更具体地，涉及电压差调节器(voltage drop-outregulator)。

技术介绍

1、低压差调节器(ldo)是用于向电子装置提供稳定电压的装置。ldo通过接收外部输入电压并输出恒定的内部电压来操作。ldo可以由在待机模式(standby mode)下操作的待机电压调节器(待机调节器(stb ldo))和在活动模式(active mode)下操作的活动电压调节器(活动调节器(act ldo))构成。

2、待机电压调节器(stb ldo)具有慢响应，并且因此需要使在活动模式中的影响最小化。当作为待机电压调节器(stb ldo)的目标的目标电压在活动模式下被设置为低时，施加由活动电压调节器(act ldo)输出的操作电压，但是电路可以不受影响，并且因此只需要在活动模式下降低待机电压调节器(stb ldo)的目标电压。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施方式，一种电压供应电路可以包括：信号生成电路，所述信号生成电路被配置为根据从外部装置提供的芯片选择信号生成活动模式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电压供应电路，所述电压供应电路包括：

2.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，当所述待机模式使能信号处于高状态时，所述待机电压调节器使用所述外部电压生成所述待机模式操作电压。

3.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，所述待机电压调节器包括：

4.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，所述活动电压调节器的输出所述活动模式操作电压的输出端子与所述待机电压调节器的输出所述待机模式操作电压的输出端子彼此连接。

5.根据权利要求4所述的电压供应电路，其中，在所述活动模式使能信号处于高状态的活动模式下，所述待机电压调节器的输出端子的电...

【技术特征摘要】

1.一种电压供应电路，所述电压供应电路包括：

2.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，当所述待机模式使能信号处于高状态时，所述待机电压调节器使用所述外部电压生成所述待机模式操作电压。

3.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，所述待机电压调节器包括：

4.根据权利要求1所述的电压供应电路，其中，所述活动电压调节器的输出所述活动模式操作电压的输出端子与所述待机电压调节器的输出所述待机模式操作电压的输出端子彼此连接。

5.根据权利要求4所述的电压供应电路，其中，在所述活动模式使能信号处于高状态的活动模式下，所述待机电压调节器的输出端子的电压是所述活动模式操作电压。

6.根据权利要求3所述的电压供应电路，其中，所述运算放大器在所述反馈电压大于所述参考电压时输出用于关断所述第一晶体管的电源的高状态的所述比较信号，并且在所述反馈电压小于或等于所述参考电压时输出用于接通所述第一晶体管的电源的低状态的所述比较信号。

7.根据权利要求3所述的电压供应电路，其中，所述第一电阻器具有高于所述第二晶体管的内阻的电阻值。

8.根据权利要求7所述的电压供应电路，其中，所述第二晶体管通过栅极端子接收高状态的所述活动模式使能信号，并且响应于高状态的所述活动模式使能信号而操作。

9.根据权利要求8所述的电压供应电路，其中，在所述待机电压调节器中，当所述第二晶体管操作时，作为所述第二节点的电压的所述反馈电压增大，所述运算放大器输出高状态的所述比较信号，并且通过接收高状态的所述比较信号，所述第一晶体管的电源关断。

10.根据权利要求3所述的电压供应电路，其中，所述第一晶体管是具有连接到所述输出端子的栅极端子、连接到所述外部电压端子的源极端子、以及连接到所述第一节点的漏极端子的p沟道金属氧化物半导体p-mos晶体管。

11.根据权利要求3所述的电压供应电路，其中，所述第二晶体管是具有连接到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑赞熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：