一种适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法，包括Island Layer制备和SD Layer制备，使用两张Mask，工艺上采用不同的光积量，使不同的图形得到不一样的曝光度，实现光刻胶不同曝光度的需求。相较于现有技术，本发明专利技术提出通过两张普通Mask等同Halftone Mask实现减少制程的目的，使两个膜层只用一道黄光制程完成，即一次涂胶、两次曝光、一次显影制程；相较于现有技术，本发明专利技术由工艺控制光积量，两张Mask采用不同的光积量，使不同的图形得到不一样的曝光度，实现光刻胶不同曝光度的需求，即实现全曝图形，半曝图形，不曝图形，等同于Halftone技术效果，但制作工艺相对简单且更成熟，成本低，交期短，制作出来的膜层质量也更好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于tft lcd显示装置领域，具体涉及一种适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法。

技术介绍

1、随着tft lcd显示装置越来越普及，市场上对于此产品的需求也越来越高，为了降低成本，提高良品率，并缩短生产周期，对tft生产工艺制程的改进从来没有停止过。

2、膜层指的是在tft lcd显示装置中，涉及到覆盖或涂覆在显示面板的不同层级的薄膜。这些薄膜通常是通过特定的工艺步骤在显示面板上形成的，具有不同的功能和特性。

3、其中，在现有膜层中，包括island layer(硅岛层)和sd layer(源漏极层)。

4、island layer(硅岛层)：硅岛层一般由本征非晶硅(i-a-si)和掺杂n+离子的非晶硅(n+a-si)组成。其中i-a-si可以形成源极与漏极之间的导电沟道。而n+a-si与源漏极之间形成欧拇接触构造，欧拇接触构造是tft器件与外接信号线的过渡区。

5、sd layer(源漏极层)：s为source，即源极；d为drain，即漏极。sd即指代源漏极。在tft液晶显示器中，源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法，包括Island Layer制备和SD Layer制备，其特征在于：使用两张Mask，工艺上采用不同的光积量，使不同的图形得到不一样的曝光度，实现光刻胶不同曝光度的需求。

2.根据权利要求1所述的适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法，其特征在于：所述两张Mask分别为Mask1及Mask2；

3.根据权利要求2所述的适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法，其特征在于：所述Mask2的非全透光区域的透光率为30％-60％。

4.根据权利要求2所述的适用于TFT LCD显示装置的膜层制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法，包括island layer制备和sd layer制备，其特征在于：使用两张mask，工艺上采用不同的光积量，使不同的图形得到不一样的曝光度，实现光刻胶不同曝光度的需求。

2.根据权利要求1所述的适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法，其特征在于：所述两张mask分别为mask1及mask2；

3.根据权利要求2所述的适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法，其特征在于：所述mask2的非全透光区域的透光率为30％-60％。

4.根据权利要求2所述的适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法，其特征在于：在所述sd layer制备中，选用mask1。

5.根据权利要求4所述的适用于tft lcd显示装置的膜层制备方法，其特征在于：在所述sd layer制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄崇营，冯小青，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：