【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体探测器领域,涉及一种圆柱型晶体研磨抛光装置,更具体地,涉及一种带圆弧面和盲孔的圆柱型晶体研磨抛光装置。
技术介绍
1、高纯锗探测器与其他探测器相比,具有能量分辨率好、探测效率高、稳定性强等无可比拟的优点,成为核物理、粒子物理、检验检疫、生物医学及国防安全领域不可或缺的仪器设备。
2、相比于平面型高纯锗探测器加工,同轴型高纯锗探测器的加工存在诸多挑战与问题,尤其是目前现有技术中并没有专门针对圆柱面和盲孔的研磨抛光的工艺及装备,具体问题包括:(1)如何保证曲面去除效率,如何保证加工后曲面的圆柱度等关键指标;(2)高纯锗晶体不同于金属材料,其硬度较大但是脆性极高,如何在保证晶体加工安全的前提下达到表面纳米级的粗糙度指标。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题,本技术的目的在于提供一种适用于带盲孔以及圆弧面的圆柱型晶体研磨抛光装置。
2、为实现本技术目的,具体技术方案如下:
3、一种圆柱型晶体研磨抛光装置,所述圆柱型晶体研磨抛光装置包括壳体、设置在壳体上的研磨组件和晶体夹具;
4、所述研磨组件包括研磨抛光盘和驱动研磨抛光盘旋转的旋转电机;
5、所述晶体夹具包括设置在研磨抛光盘上方的容纳盘和用于支撑容纳盘的限位盘,所述容纳盘和研磨抛光盘之间留有间隙;所述容纳盘上设置装配孔和沿装配孔周边设置的容纳孔,所述容纳孔为贯穿容纳盘、上大下小通孔结构,所述容纳孔用于容纳圆柱型晶体、且圆柱型晶体与研磨抛光盘接触;
7、进一步地,所述研磨抛光盘为玻璃盘或铸铁盘。
8、进一步地,所述装配孔设置为方孔。
9、本技术中上大下小的通孔结构即为开口尺寸递减的通孔结构,进一步地,所述容纳孔为上大下小的梯形通孔结构。
10、进一步地,所述限位盘中间设置供容纳盘下部穿过的开口,所述容纳盘的上部边缘凸出形成无法穿过开口的凸缘。
11、进一步优选地,所述晶体夹具还包括限位柱,所述限位柱固定在壳体上,所述限位盘上设置与限位柱相适配的限位孔。
12、进一步地,所述内孔磨具的安装端设置外螺纹,所述连接孔设置与外螺纹相适配的内螺纹。
13、进一步地,所述内孔磨棒的磨削端包裹研磨皮或抛光布。
14、进一步地,所述圆柱型晶体研磨抛光装置还包括混料组件和出料组件;
15、所述混料组件包括料筒和驱动料筒旋转的料筒电机,所述料筒设置出料口,所述出料口通过出料组件向研磨组件提供研磨粉或抛光液。
16、进一步优选地,所述出料组件包括设置在料筒出料口的滴液管和设置在滴液管上的蠕动泵
17、相对现有技术,本技术的有益效果在于:
18、本技术结构简单、可工业适用。针对圆柱型晶体的圆柱面以及盲孔的研磨和抛光定向开发,可保证加工后曲面去除效率、曲面的圆柱度等关键指标以及晶体加工安全的前提下达到表面纳米级的粗糙度指标,弥补国内技术空白。
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1.一种圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述圆柱型晶体研磨抛光装置包括壳体、设置在壳体上的研磨组件和晶体夹具;
2.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述研磨抛光盘为玻璃盘或铸铁盘。
3.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述装配孔设置为方孔。
4.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述容纳孔为上大下小的梯形通孔结构。
5.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述限位盘中间设置供容纳盘下部穿过的开口,所述容纳盘的上部边缘凸出形成无法穿过开口的凸缘。
6.如权利要求5所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述晶体夹具还包括限位柱,所述限位柱固定在壳体上,所述限位盘上设置与限位柱相适配的限位孔。
7.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述内孔磨具的安装端设置外螺纹,所述连接孔设置与外螺纹相适配的内螺纹。
8.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述内孔磨棒的磨削端包裹研磨皮或抛光
9.如权利要求1~8任一项所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述圆柱型晶体研磨抛光装置还包括混料组件和出料组件;
10.如权利要求9所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述出料组件包括设置在料筒出料口的滴液管和设置在滴液管上的蠕动泵。
...【技术特征摘要】
1.一种圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述圆柱型晶体研磨抛光装置包括壳体、设置在壳体上的研磨组件和晶体夹具;
2.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述研磨抛光盘为玻璃盘或铸铁盘。
3.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述装配孔设置为方孔。
4.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述容纳孔为上大下小的梯形通孔结构。
5.如权利要求1所述的圆柱型晶体研磨抛光装置,其特征在于,所述限位盘中间设置供容纳盘下部穿过的开口,所述容纳盘的上部边缘凸出形成无法穿过开口的凸缘。
6.如权利要求5所述的圆柱型晶体研磨抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱同波,张伟,刘正楚,许畅,邹洋洋,田强,侯新宇,车成旭,池树松,
申请(专利权)人:安徽光智科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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