一种制备电子级二氯二氢硅的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种制备电子级二氯二氢硅的方法，包括以下步骤：S1三氯氢硅原材料在催化剂的作用下进行歧化反应，生成含有二氯二氢硅的反应产物，进行收集，冷却为液体；S2含有二氯二氢硅的反应产物的液体进行精馏初分脱出部分重组分，得到二氯二氢硅和剩余重组分混合物；S3二氯二氢硅和剩余重组分混合物脱除轻组分；S4脱除剩余重组分；S5吸附去除金属杂质，得到电子级二氯二氢硅。本发明专利技术还涉及一种制备电子级二氯二氢硅的装置，包括依次连通的固定床反应器、产品收集罐、初分塔、脱轻塔、脱重塔和吸附塔，本发明专利技术能耗较低，得到的二氯二氢硅产品纯度较高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化工领域，具体地涉及三氯氢硅歧化反应，精馏分离技术，更具体地涉及制备电子级二氯二氢硅的方法及装置。

技术介绍

1、电子气体是半导体制作过程的基础关键材料，被称为电子工业“血液。”电子级二氯二氢硅是半导体制造过程中重要的硅源特气，应用于先进集成电路芯片制程中应变硅外延生长，氧化硅、氮化硅以及金属硅化物等薄膜沉积生产工艺，具有沉积速度快、沉积薄膜均匀、温度较低等特点，在半导体行业具有广阔的市场。

2、目前，电子级二氯二氢硅主要从多晶硅生产副产物中分离、吸附络合制备以及采用三氯氢硅为原料歧化反应制备。以多晶硅制备过程产生的副产物为原料，采用多级精馏的工艺进行纯化，主要目的是进行物料的综合回收，降低能耗，但精馏存在分离极限，难以对痕量杂质实现分离。吸附络合是利用分子间的范德华力进行杂质分离，但是对ppb级杂质的分离能力受限，同样存在吸附极限的问题。以三氯氢硅为原材料，歧化反应制备二氯二氢硅，是比较常见的方法，三氯氢硅转化率普遍偏低，产物中三氯氢硅为主要成分，仅对产品进行组分分离即可制备纯度高的二氯二氢硅，但分离过程复杂，投资大。

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【技术保护点】

1.一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，S1中三氯氢硅原材料中三氯氢硅的质量百分数含量大于等于2N；

3.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，S1中所述催化剂为弱碱性阴离子交换树脂。

4.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，S2精馏初分在精馏塔中进行，精馏过程塔顶操作温度为30～60℃，塔顶压力为0.15～0.3MPa，回流比为5～10。

5.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，s1中三氯氢硅原材料中三氯氢硅的质量百分数含量大于等于2n；

3.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，s1中所述催化剂为弱碱性阴离子交换树脂。

4.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，s2精馏初分在精馏塔中进行，精馏过程塔顶操作温度为30～60℃，塔顶压力为0.15～0.3mpa，回流比为5～10。

5.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，s3中脱轻过程在脱轻塔中进行，塔顶操作温度为30～60℃，塔顶操作压力为0.1～0.2mpa。

6.根据权利要求1所述的一种制备电子级二氯二氢硅的方法，其特征在于，s4精馏脱除...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕浩然，陈润泽，孙加其，倪珊珊，吝秀锋，李欣，张帆利，马帅，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：