【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种存储器件及其刷新方法。
技术介绍
1、诸如动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器件可以通过将电荷存储到存储单元的电容器来存储数据，并且可以通过确定存储在电容器中的电荷来读取数据。因为存储在电容器中的电荷随着时间的推移而泄漏，所以存储器件可以定期地执行刷新操作。
2、连接到存储器件的存储器控制器可以随机地访问存储器件的地址，并且可能频繁地或密集地访问特定地址。随着存储器件中的存储单元的密度增加，由于行的电压分布，相邻行的存储单元中的电荷的影响可能增加。特别地，当执行密集访问特定行的攻击时，由于特定行的激活状态的电压，导致存储在相邻行的存储单元中的数据可能丢失。此现象被称作“行锤击”。因此，期望存储器件的所有行都被监测以实现行锤击照管。
技术实现思路
1、一些实施例可以提供一种用于防御攻击的存储器件及其刷新方法。
2、根据一些实施例，可以提供一种包括多个计数器、多个第一标志、队列和刷新控制电路的存储器件。所述多个计数器可以分别对应于多个行，并且所述多个计数器中的每一个计数器可以对所述多个行当中的对应行的访问次数进行计数。所述多个第一标志可以分别对应于所述多个行。所述队列可以存储多个地址。所述刷新控制电路可以每个刷新时段改变在刷新时段内设置的第二标志，并且基于以下项来确定是否将传入行地址放入所述队列：所述多个计数器当中的、与所述多个行当中由所述传入行地址指示的目标行相对应的计数器的计数值，所述多个第一标志当中的与所述目标行相对应的第一标志的第一
3、根据一些实施例，可以提供一种包括多个计数器、多个第一标志、队列和刷新控制电路的存储器件。所述多个计数器可以对应于多个行，并且所述多个计数器中的每一个计数器可以对所述多个行当中的对应行的访问次数进行计数。所述多个第一标志可以分别对应于所述多个行。所述队列可以存储多个地址。所述刷新控制电路可以包括第一比较电路、第二比较电路和控制逻辑电路。所述第一比较电路可以将所述多个计数器当中的、与所述多个行当中由传入行地址指示的目标行相对应的计数器的计数值与第一阈值进行比较。所述第二比较电路可以将所述多个第一标志当中的与所述目标行相对应的第一标志的第一标志值与在当前刷新时段内设置的第二标志的第二标志值进行比较。所述控制逻辑电路可以基于包括所述第一比较电路的比较结果和所述第二比较电路的比较结果的多个比较结果，来确定是否将所述传入行地址放入所述队列。
4、根据一些实施例，可以提供一种包括多个行的存储器件的刷新方法。所述刷新方法可以包括：接收指示所述多个行当中要被激活的行的传入行地址；对所述传入行地址的访问次数进行计数；将所述传入行地址的计数值与阈值进行比较；将所述传入行地址的第一标志值与在当前刷新时段内设置的第二标志值进行比较；当所述计数值达到所述阈值时，基于所述第一标志值与所述第二标志值之间的差来确定是否将所述传入行地址放入队列；以及基于存储在所述队列中的行地址来确定要刷新的行地址。
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1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述计数值、所述第一标志值和所述第二标志值满足预定条件时，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路将所述传入行地址放入所述队列。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路更新所述第一标志值。
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路通过将所述第一标志值设置为等于所述第二标志值来更新所述第一标志值。
5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述预定条件包括这样的条件：所述计数值达到第一阈值，并且所述第一标志值与所述第二标志值之间的差小于或等于预定值。
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述刷新控制电路还被配置为：将所述计数值中的预定数目的最低有效位达到所述第一阈值的情况确定为所述计数值达到所述第一阈值的情况。
7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述预定值是1。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为：当所述计
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为：当所述计数值小于第一阈值且大于比所述第一阈值小的第二阈值时，使得所述刷新控制电路保持所述第一标志值，而不将所述传入行地址放入所述队列。
10.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件还包括：
11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述刷新控制电路还被配置为：响应于来自外部装置的目标刷新命令来从所述队列中提取攻击行地址，并且输出基于所述攻击行地址确定的牺牲行地址作为要刷新的行地址。
12.一种存储器件，所述存储器件包括：
13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：每个刷新时段改变所述第二标志的第二标志值。
14.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述传入行地址包括指示所述多个行当中的第一行的第一行地址，并且
15.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述传入行地址包括指示所述多个行当中的第二行的第二行地址，并且
16.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述刷新控制电路还包括：第三比较电路，所述第三比较电路被配置为将所述多个计数器当中的与所述目标行相对应的计数器的计数值与小于所述第一阈值的第二阈值进行比较，
17.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述刷新控制电路还包括：第三比较电路，所述第三比较电路被配置为将所述多个计数器当中的与所述目标行相对应的计数器的计数值与小于所述第一阈值的第二阈值进行比较，
18.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述多个计数器中的每一个计数器包括形成在所述多个行当中的对应行中并且被配置为存储计数值的多个第一存储单元，并且
19.一种包括多个行的存储器件的刷新方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：每个刷新时段改变所述第二标志值。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器件，所述存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当所述计数值、所述第一标志值和所述第二标志值满足预定条件时，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路将所述传入行地址放入所述队列。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路更新所述第一标志值。
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为使得所述刷新控制电路通过将所述第一标志值设置为等于所述第二标志值来更新所述第一标志值。
5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述预定条件包括这样的条件：所述计数值达到第一阈值，并且所述第一标志值与所述第二标志值之间的差小于或等于预定值。
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述刷新控制电路还被配置为：将所述计数值中的预定数目的最低有效位达到所述第一阈值的情况确定为所述计数值达到所述第一阈值的情况。
7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述预定值是1。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为：当所述计数值达到第一阈值并且所述第一标志值与所述第二标志值之间的差大于预定值时，使得所述刷新控制电路保持所述第一标志值，而不将所述传入行地址放入所述队列。
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储器件被配置为：当所述计数值小于第一阈值且大于比所述第一阈值小的第二阈值时，使得所述刷新控制电路保持所述第一标志值，而不将所述传入行地址放入所述队列。
10.根据权利要求1所述的存储器件，所述存...
【专利技术属性】
技术研发人员：李恩爱，赵诚慧，李起准，孙教民，李明奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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