【技术实现步骤摘要】
一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置
[0001]本技术涉及沉积炉
,具体涉及一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置
。
技术介绍
[0002]化学气相沉积
(CVI)
工艺和化学气相渗透
(CVD)
工艺是新发展起来的使材料致密化的方法
。
在
CVI/CVD
的沉积过程中需要往沉积炉内通入反应气体,反应气体在沉积炉内流动时通常有流场不均匀的现象产生,从而导致沉积效果不稳定,产品质量不稳定
。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置,其可以改善气体流场均匀性,使横向沉积效果均匀性一致,纵向沉积效果呈阶梯分布;使横向温度均匀性一致
、
纵向温度得到改善;达到沉积效果稳定,从而有效控制产品质量
。
[0004]为解决上述技术问题,本技术采用了以下方案:
[0005]一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置,包括用于设于化学气相沉积炉内的壳体,所述壳体上设有进气口和出气口,壳体内从进气口到出气口之间依次连通设有进气气体缓冲区
、
沉积区
、
出气气体缓冲区,进气气体与沉积区之间设有缓冲隔板,沉积区与出气气体缓冲区之间设有底层挡板,缓冲隔板和底层挡板上均设有多个呈圆形阵列均匀分布的输气孔
。
其作用为,通过进气气体缓冲区和出气气体缓存区的设置,能够减缓气体的流速,使气体在流动时有足够的时间调整分布区域; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置,其特征在于:包括用于设于化学气相沉积炉内的壳体
(1)
,所述壳体
(1)
上设有进气口
(2)
和出气口
(3)
,壳体
(1)
内从进气口
(2)
到出气口
(3)
之间依次连通设有进气气体缓冲区
(4)、
沉积区
(5)、
出气气体缓冲区
(6)
,进气气体与沉积区
(5)
之间设有缓冲隔板
(7)
,沉积区
(5)
与出气气体缓冲区
(6)
之间设有底层挡板
(8)
,缓冲隔板
(7)
和底层挡板
(8)
上均设有多个呈圆形阵列均匀分布的输气孔
(9)。2.
根据权利要求1所述的一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置,其特征在于:所述壳体
(1)
呈回转体状,壳体
(1)
包括从进气口
(2)
到出气口
(3)
方向依次设置的顶盖
(10)、
沉积腔
(11)、
底盖
(12)
,进气气体缓冲区
(4)
设于顶盖
(10)
内,进气口
(2)
设于顶盖
(10)
上背向沉积腔
(11)
的端面中心处,出气口
(3)
由底盖
(12)
上多个呈圆形阵列均匀分布的出气孔
(13)
构成,顶盖
(10)
设于沉积腔
(11)
顶部端面上,底盖
(12)
设于沉积腔
(11)
底部端面内,进气口
(2)
的圆心
、
缓冲隔板
(7)
上所有输气孔
(9)
构成的整体的圆心
、
沉积腔
(11)
的轴线
、
底部隔板上所有输气孔
(9)
构成的整体的圆心
、
出气口
(3)
的圆心均与壳体
(1)
同轴设置
。3.
根据权利要求2所述的一种控制高温热处理炉流场均匀性的装置,其特征在于:所述底盖
(12)
与底层挡板
(8)
之间连接有多个绕壳体
(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:李涛,刘臣勇,
申请(专利权)人:成都成维精密机械制造有限公司,
类型:新型
国别省市:
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