一种小绒面硅片的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种小绒面硅片的制备工艺，本发明专利技术包括如下步骤；

【技术实现步骤摘要】
一种小绒面硅片的制备工艺


[0001]本专利技术属于硅片制备
，特别是关于一种小绒面硅片的制备工艺
。

技术介绍

[0002]光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来获得了飞速发展
。
目前太阳能电池产品中，晶体硅太阳能电池的市场份额最大，一直保持接近九成的市场占有率
。
[0003]在晶体硅太阳电池的生产工艺中，绒面工艺的目的是降低太阳能电池的表面反射率，从而提高太阳能电池的光电转换效率
。
为了在晶体硅片表面获得性能优异的绒面结构，光伏业界尝试了许多方法，如机械刻槽法
、
激光刻蚀法
、
反应离子刻蚀法
、
化学腐蚀法等
。
[0004]其中，化学腐蚀法是目前晶硅电池制绒工艺中普遍使用的技术，其采用酸或碱混合溶液处理的方法，但对工艺要求较高，而对于目前的制作工艺存在以下问题；
[0005]1)
单晶硅
PERC
太阳能电池正面绒面结构光学反射性能未至最优区间
。
[0006]2)
与高方阻扩散后硅片匹配性不佳问题
。
[0007]3)
太阳能电池光电能量转化效率较低
。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种小绒面硅片的制备工艺，其能够实现硅片
[0009]在制绒工艺及镀膜工艺后的短波段反射率降低
。
制作成品后的电池片填充有效提升
。/>太阳能电池光电能量转化效率提升
。
[0010]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种小绒面硅片的制备工艺，具体包括如下步骤：
[0011]S1、
前清洗：将硅片置于制绒设备中的前清洗槽内进行清洗，所述前清洗槽内放置有第一碱性溶液中，设置清洗时间为
200
‑
250S
，清洗温度为
60
‑
80℃
；
[0012]其中，所述第一碱性溶液包括有去离子水，氢氧化钠和氧化剂；
[0013]S2、
第一次水洗；将硅片置于制绒设备中的第三水槽内进行清洗，将清洗后的硅片置于水槽中冲洗时间为
100
‑
120S
，去除硅片表面所残留的前清洗槽溶液；
[0014]S3、
制绒：将冲洗后的硅片置于制绒设备中的制绒槽中，加入第二碱性溶液进行腐蚀制绒，制绒的时间为
400
‑
440S
，温度为
81
‑
83℃
，达到在硅片表面形成金字塔结构的绒面
。
[0015]其中，所述第二碱性溶液为去离子水
、
氢氧化钠和
ADD
混合溶液
。
[0016]S4、
第二次水洗；将制绒后的硅片置于第六水槽内，设置冲洗时间为
80
‑
100S
，去除硅片表面所残留的制绒槽溶液；
[0017]S5、
后清洗：将
S4
步骤完成的的硅片置于后清洗槽内，所述后清洗槽放置有第一酸性溶液，其中，设置清洗时间为
85
‑
115S
，去除硅片表面残留的有机物，碱及金属阳离子；
[0018]其中，所述第一酸性溶液为去离子水
、
盐酸液；
[0019]S6、
酸洗：将后清洗后的硅片置于制绒设备中的酸洗槽内，所述酸洗槽内放置有第二酸性溶液，其中，设置酸洗时间为
90
‑
110S
，去除硅片表面残留的金属离子及氧化硅，并使
其表面变的疏水；
[0020]其中，所述第二酸性溶液为去离子水
、
氢氟酸和盐酸液
[0021]S7、
第三次水洗：将酸洗后的硅片置于制绒设备中的第十水槽内，水洗时间为
80
‑
110S
，去除硅片表面残留的无机酸；
[0022]S8、
慢提拉：将水洗后的硅片置于制绒设备中的慢提槽内，慢提拉时间为
10
‑
30S
，温度为
80
‑
105℃
；
[0023]S9、
烘干：将慢提后的硅片置于制绒设备中的烘干槽内进行烘干，其中，烘干时间为
520
‑
580S
，温度为
90
‑
115℃
，将硅片表面烘干，得到小绒面硅片
。
[0024]在一个或多个实施方式中，所述第一碱性溶液在前清洗槽内按照重量配比为；去离子水
0.8
‑
0.99
％
、
氢氧化钠
0.01
‑
0.02
％
、
氧化剂
0.01
‑
0.03
％，所述氧化剂为过氧化氢
、
硝酸或臭氧水中的一种
。
[0025]在一个或多个实施方式中，所述第二碱性溶液在制绒槽内按照重量配比为；去离子水
0.85
‑
0.99
％
、
氢氧化钠
0.01
‑
0.02
％
、ADD
混合溶液
0.005
‑
0.01
％
。
[0026]在一个或多个实施方式中，所述
ADD
混合溶液包括三峰添加剂
809A。
[0027]在一个或多个实施方式中，所述第一酸性溶液在后清洗槽内按照重量配比为；去离子水
0.8
‑
0.99
％
、
盐酸液
0.005
‑
0.01
％
。
[0028]在一个或多个实施方式中，所述第二酸性溶液在酸洗槽内按照重量配比为；去离子水
0.85
‑
0.98
％
、
氢氟酸
0.02
‑
0.05
％
、
盐酸液
0.05
‑
0.02
％
。
[0029]在一个或多个实施方式中，所述硅片经过小绒面硅片的制备工艺后，还需要进行丝网印刷工艺，所述丝网印刷工艺中添加有银浆，所述银浆优选为帝科
93B。
[0030]在一个或多个实施方式中，所述小绒面塔高控制在
0.8
‑
0.9um
，所述小绒面塔宽控制在
1.60
‑
1.65um
，所述硅片生产工艺中的背膜厚度为
5nm。
[0031]在一个或多个实施方式中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种小绒面硅片的制备工艺，其特征在于，具体包括如下步骤：
S1、
前清洗：将硅片置于制绒设备中的前清洗槽内进行清洗，所述前清洗槽内放置有第一碱性溶液中，设置清洗时间为
200
‑
250S
，清洗温度为
60
‑
80℃
；其中，所述第一碱性溶液包括有去离子水，氢氧化钠和氧化剂；
S2、
第一次水洗；将硅片置于制绒设备中的第三水槽内进行清洗，将清洗后的硅片置于水槽中冲洗时间为
100
‑
120S
，去除硅片表面所残留的前清洗槽溶液；
S3、
制绒：将冲洗后的硅片置于制绒设备中的制绒槽中，加入第二碱性溶液进行腐蚀制绒，制绒的时间为
400
‑
440S
，温度为
81
‑
83℃
，达到在硅片表面形成金字塔结构的绒面
。
其中，所述第二碱性溶液为去离子水
、
氢氧化钠和
ADD
混合溶液
。S4、
第二次水洗；将制绒后的硅片置于第六水槽内，设置冲洗时间为
80
‑
100S
，去除硅片表面所残留的制绒槽溶液；
S5、
后清洗：将
S4
步骤完成的的硅片置于后清洗槽内，所述后清洗槽放置有第一酸性溶液，其中，设置清洗时间为
85
‑
115S
，去除硅片表面残留的有机物，碱及金属阳离子；其中，所述第一酸性溶液为去离子水
、
盐酸液；
S6、
酸洗：将后清洗后的硅片置于制绒设备中的酸洗槽内，所述酸洗槽内放置有第二酸性溶液，其中，设置酸洗时间为
90
‑
110S
，去除硅片表面残留的金属离子及氧化硅，并使其表面变的疏水；其中，所述第二酸性溶液为去离子水
、
氢氟酸和盐酸液
S7、
第三次水洗：将酸洗后的硅片置于制绒设备中的第十水槽内，水洗时间为
80
‑
110S
，去除硅片表面残留的无机酸；
S8、
慢提拉：将水洗后的硅片置于制绒设备中的慢提槽内，慢提拉时间为
10
‑
30S
，温度为
80
‑
105℃
；
S9、
烘干：将慢提后的硅片置于制绒设备中的烘干槽内进行烘干，其中，烘干时间为
520
‑
580S
，温度为
90
‑
115℃
，将硅片表面烘干，得到小绒面硅片
。2.
如权利要求1所述的一种小绒面硅片的制备工艺，其特征在于，所述第一碱性溶液在前清洗槽内按照重量配比为；去离子水
0.8
‑
0.99
％
、
氢氧化钠
0.01
‑
0.02
％
、
氧化剂
0.01
‑
0.03
％，所述氧化剂为过氧化氢
、
硝酸或臭氧水中的一种
。3.
如权利要求1所述的一种小绒面硅片的制备工艺，其特征在于，所述第二碱性溶液在制绒槽内按照重量配比为；去离子水
0.85

【专利技术属性】
技术研发人员：陈实，赵杰，刘飞，殷战梅，何琴，张宇航，许加静，丰平，
申请(专利权)人：江苏龙恒新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：