一种像素电路结构参数确定方法技术

本申请实施例提供了一种像素电路结构参数确定方法

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路结构参数确定方法、显示基板及显示器


[0001]本申请涉及电子
，特别是涉及一种像素电路结构参数确定方法
、
显示基板及显示器
。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，
LCD(Liquid Crystal Switch
，液晶显示器
)
已经占据了显示行业的主导地位，而
ADS(advanced super
‑
dimension Switch
，高级超维场转换显示
)
因具有宽视角
、
响应速度快和对比度高等优点成为了主流的显示模式
。
[0003]在
ADS
显示器中，
Column(
列
)
结构像素在左右像素电极不对称，此外在工艺发生波动的情况下，其像素电极会发生偏移，因此会出现一种由于数据线两侧
Cpd
电容
(
数据线与像素电极之间存在的侧向场电容
)
不相等引发的像素的串扰问题，影响画面显示效果，进而影响用户的观感体验
。
[0004]因此，如何减少像素显示中的串扰成为亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的在于提供一种像素电路结构参数确定方法
、
显示基板及显示器，以减少像素显示中的串扰问题
。
具体技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种像素电路结构参数确定方法，包括：
[0007]获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数
、
数据线与像素电极之间的初始距离；
[0008]根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；
[0009]获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；
[0010]在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；
[0011]基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离
。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值
。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：
△
Vp1
＝
△
Cpd*
△
Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)
；
[0014]所述单色串扰值的第二表达式为：
△
Vp2
＝
Cpd_avg*
△
Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)
，
Cpd_avg
＝
(Cpd1+Cpd2)/2
；
[0015]其中，
△
Cpd
＝
Cpd1
‑
Cpd2
，
Cpd1
和
Cpd2
分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，
Cst
为公共电极与像素电极之间的存储电容，
Clc
为液晶电容，
Cgp
为扫描线与像素电极之间的总电容，
△
Vd
为正负帧间的电压差值
。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述灰阶串扰值的第一表达式为：
△
Vp1≈
△
Cpd*
△
Vd/(Cst+Clc)
；
[0017]所述单色串扰值的第二表达式为：
△
Vp2≈Cpd_avg*
△
Vd/(Cst+Clc)
；
[0018]其中，
△
Cpd
＝
Cpd1
‑
Cpd2
，
Cpd_avg
＝
(Cpd1+Cpd2)/2
，
Cpd1
和
Cpd2
分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，
Cst
为公共电极与像素电极之间的存储电容，
Clc
为液晶电容，
△
Vd
为正负帧间的电压差值
。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述获取串扰阈值，包括：
[0020]获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；
[0021]获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值
。
[0022]在一种可能的实施方式中，所述方法还包括：
[0023]根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到
Cst
的电容取值范围，得到第一电容取值范围；
[0024]根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到
Cst
的电容取值范围，得到第二电容取值范围；
[0025]在所述第一电容取值范围及所述第二电容取值范围的交集中，选取
Cst
的目标电容值
。
[0026]在一种可能的实施方式中，所述根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，包括：
[0027]根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到
△
Cpd
的取值范围；根据
△
Cpd
的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第一偏移区间；
[0028]根据所述第二表达式及所述单色串扰值阈值，计算得到
Cpd_avg
的取值范围；根据
Cpd_avg
的取值范围及所述初始距离，计算得到表示像素电极相对于数据线的位置偏移量的第二偏移区间；
[0029]计算所述第一偏移区间与所述第二偏移区间的交集，得到所述像素电极的偏移区间
。
[0030]在一种可能的实施方式中，所述在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值，包括：
[0031]在所述像素电极的偏移区间中，选取多个待测量偏移值；
[0032]分别测量各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值；
[0033]基于各所述待测量偏移值下的实际灰阶串扰值及实际单色串扰值，在各所述待测量偏移值中选取目标偏移值
。
[0034]在一种可能的实施方式中，所述基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种像素电路结构参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取像素电路的初始设计参数，所述初始设计参数包括电容参数
、
数据线与像素电极之间的初始距离；根据所述电容参数，得到表征像素的串扰值的表达式；获取串扰阈值，根据所述表达式及所述串扰阈值，确定所述像素电极的偏移区间，其中，所述串扰阈值表示人眼能够容忍的串扰值；在所述像素电极的偏移区间中选取目标偏移值；基于所述数据线与所述像素电极之间的初始距离及所述目标偏移值，得到所述数据线与所述像素电极之间的目标距离
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述串扰值包括灰阶串扰值及单色串扰值；所述表达式包括：灰阶串扰值的第一表达式及单色串扰值的第二表达式；所述串扰阈值包括灰阶串扰值阈值及单色串扰值阈值
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰阶串扰值的第一表达式为：
△
Vp1
＝
△
Cpd*
△
Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)
；所述单色串扰值的第二表达式为：
△
Vp2
＝
Cpd_avg*
△
Vd/(Cpd1+Cpd2+Cst+Clc+Cgp)
，
Cpd_avg
＝
(Cpd1+Cpd2)/2
；其中，
△
Cpd
＝
Cpd1
‑
Cpd2
，
Cpd1
和
Cpd2
分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，
Cst
为公共电极与像素电极之间的存储电容，
Clc
为液晶电容，
Cgp
为扫描线与像素电极之间的总电容，
△
Vd
为正负帧间的电压差值
。4.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰阶串扰值的第一表达式为：
△
Vp1≈
△
Cpd*
△
Vd/(Cst+Clc)
；所述单色串扰值的第二表达式为：
△
Vp2≈Cpd_avg*
△
Vd/(Cst+Clc)
；其中，
△
Cpd
＝
Cpd1
‑
Cpd2
，
Cpd_avg
＝
(Cpd1+Cpd2)/2
，
Cpd1
和
Cpd2
分别为所述数据线与两侧像素电极间的侧向场电容，
Cst
为公共电极与像素电极之间的存储电容，
Clc
为液晶电容，
△
Vd
为正负帧间的电压差值
。5.
根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述获取串扰阈值，包括：获取人眼能够容忍的灰阶差异值得到第一边界灰阶差异阈值，根据所述第一边界灰阶差异阈值，确定灰阶串扰值阈值；获取人眼能够容忍的单色差异值得到第二边界灰阶差异阈值；根据所述第二边界灰阶差异阈值，确定单色串扰值阈值
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述第一表达式及所述灰阶串扰值阈值，计算得到

【专利技术属性】
技术研发人员：赵重阳，薄灵丹，缪应蒙，李会，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：