一种光刻工艺中套刻误差的标识和测量方法技术

本发明专利技术公开一种光刻工艺中套刻误差的标识和测量方法

【技术实现步骤摘要】
一种光刻工艺中套刻误差的标识和测量方法


[0001]本专利技术属于光刻工艺
，涉及一种光刻工艺中套刻误差标识和测量方法
。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，光刻工艺是图形转移的关键性技术，而对一个芯片要经过很多层的制备，要想芯片能够正常工作，需要保证芯片不同层之间的对准，否则产品性能将会失效，生产良率降低
。
套刻误差
(overlay)
就是指晶圆上下两层之间的偏移量，可以确认当前层光刻胶图案是否精准覆盖在先前层的电路图案上，是描述当前层与参考层之间套刻精准度的重要参数
。
[0003]因此，在芯片制备过程当中，每经过一次光刻，都需要对该层的
overlay
性能进行表征
。
在理想情况下，两层图案完全套刻，套刻误差为零
。
而在实际芯片加工过程当中，由于各种原因，套刻误差不可能为零
。
当套刻误差过大的时候就会影响的器件的电路畅通和电性能匹配，导致生产的良率下降
。
[0004]Overlay<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻工艺中的套刻误差的标识和测量方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤
S1
：将套刻误差标识分别放置在前层和当前层的对应掩膜版切割道中；其中位于前层和当前层的套刻误差标识均相对于同一中心点呈中心对称图形，且前层和当前层的套刻误差标识错开设置；所述套刻误差标识包括中心对称的四个单元，每个单元包括三部分标识子元件：第一标识子元件包括间距为
a
，长度为
d1
的多条平行线条；第二标识子元件包括间距为
b
，长度为
d2
的多条平行线条；第三标识子元件包括一条长度为
d3
的线条；所述第一标识子元件与第二标识子元件间的距离为
b
；所述第三标识子元件靠近第一标识子元件或第二标识子元件，其与临近标识子元件距离为
c
；
c&gt;b
，
c&gt;a
，
b≠a
；步骤
S2
：将步骤
S1
处理后的前层对应掩膜版置于光刻机中进行曝光，然后再对曝光后晶圆至少进行刻蚀
、
沉积
、
化学机械抛光；对步骤
S1
处理后的当前层对应掩膜版置于光刻机中进行曝光
、
显影；步骤
S3
：对步骤
S2
处理后的晶圆进行套刻误差测量
。2.
根据权利要求1所述方法，其特征在于步骤
S3
具体是：3‑1对当前层和前层逐一进行判断套刻误差量标识是否破损，若破损则进行步骤3‑2，反之则进行步骤3‑3；套刻误差量标识是否破损的标准：若套刻误差量标识完整
、
图像清晰且无颗粒杂质，则认为套刻误差量标识无破损，反之则认为套刻误差量标识...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘攀，周国栋，黄天昊，陈泽阳，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：