一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法，属于新材料制备技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及新材料制备
，尤其涉及一种聚合物基辐射制冷薄膜及其制备方法
。

技术介绍

[0002]在目前的研究中，基于在大气窗口（8‑
13
μ
m
）波段可以高效透射辐射能量，能够直接与深空（～
3k
）进行热交换而降低物体温度，研究者们设计了许多新型材料可以实现物体的被动制冷
。
聚合物光子学依赖于其独有的经济性和拓展性而在天空辐射制冷领域被广泛研究与发展，可以利用随机分布光学谐振腔的超材料实现更有效的天空辐射制冷
。
比较常见的是在聚合物基质中掺杂纳米二氧化硅和纳米二氧化钛等颗粒
。
在最近的研究中，通过大气窗口能够实现的制冷功率最高可达到
100W/m2以上，但是以我国南方地区为例，地面所接收到的太阳午间辐射功率却超过了
1000W/m2，二者相差一个数量级
。
为了达到可观的制冷效果，选择的聚合物基质应该在太阳能波段拥有极低的吸收率，如聚甲基丙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种聚合物基辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将一种或多种聚合物基熔体进行堆叠形成两层以上的层状聚合物基熔体；所述层状聚合物基熔体经过倍增得到多层聚合物基熔体；所述多层聚合物基熔体经挤出
、
冷却成型得到聚合物基辐射制冷薄膜；其中，至少一种所述聚合物基熔体包括聚合物和二氧化硅
。2.
根据权利要求1所述聚合物基辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，至少一种所述聚合物包括以下至少一种基团：
C
‑
O
‑
C、C
‑
H、C
‑
O、C
‑
N、C
‑
Cl、C
‑
F、C=O。3.
根据权利要求1所述聚合物基辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯（
PMMA
）
、
聚甲基戊烯（
TPX
）
、
聚碳酸酯（
PC
）
、
聚对苯二甲酸乙二醇酯（
PET
）
、
聚丙烯（
PP
）
、
聚乙烯醇（
PVA
）
、
丙烯腈
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚物（
ABS
）
、
聚乙烯（
PE
）中的至少一种；和
/
或，所述聚合物包括改性聚合物，所述改性聚合物包括共混改性聚合物
、
填充改性聚合物
、
化学改性聚合物或复合材料
。4.
根据权利要求1所述聚合物基辐射制冷薄膜的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅的粒径范围为
200nm—10
μ
m
；和
/
或，所述二氧化硅包括两种粒径范围，一部分所述二氧化硅的粒径范围为
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志鹏，李明，蒋树宝，张放心，刘文，
申请(专利权)人：中国科学技术大学先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：