一种半导体装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及制造方法，该半导体装置包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙；电极，其接触所述第二氮化物半导体层；电介质结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上且覆盖所述电极；多个场板，其位于所述电介质结构中且彼此纵向间隔开；多个阻挡层，其分别安置在所述场板上，且所述多个阻挡层的厚度不同；及多个导孔，其分别贯穿所述阻挡层且接触所述场板

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置及制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置及制造方法
。

技术介绍

[0002]在半导体器件中，常会搭建场板
(Field Plat
，
FP)
结构来达到均匀电场的作用
。
场板结构根据器件性能的要求，会搭建一层或者多层
。
多层场板通过不同的导孔连接
。
[0003]在不同的场板上连接导孔，因为蚀刻深度不一样，很容易刻穿场板，导致导孔接触到的材质不一样，一方面接触电阻会有差异；另一方面导致后续的可靠性及系统性测试失效
。
并且，由于
FP
表面没有保护会导致干法蚀刻或去胶过程中
(
主要是氧气与光阻等有机物发生反应
)
发生氧化，进而影响接触电阻，特别是在光刻返工去胶时
。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体装置及制造方法，以解决现有的由于蚀刻深度不一样导致刻穿场板的问题
。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体装置，包括：
[0007]第一氮化物半导体层；
[0008]第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙；
[0009]电极，其接触所述第二氮化物半导体层；
[0010]电介质结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上且覆盖所述电极；
[0011]多个场板，其位于所述电介质结构中且彼此纵向间隔开；
[0012]多个阻挡层，其分别安置在所述场板上，且所述多个阻挡层的厚度不同；及
[0013]多个导孔，其分别贯穿所述阻挡层且接触所述场板
。
[0014]可选的，所述阻挡层的厚度随着所述场板与所述电介质结构的顶面之间的距离减少而增加
。
[0015]可选的，所述多个阻挡层中最上层阻挡层的厚度大于最下层阻挡层的厚度
。
[0016]可选的，所述导孔的底面与所述阻挡层的底面共面
。
[0017]可选的，所述导孔的底面，与所述场板的顶面共面
。
[0018]可选的，所述场板，包括接触所述导孔的第一部分，及接触所述阻挡层的第二部分，且所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度相同
。
[0019]可选的，所述多个场板，包括接触所述导孔的第一部分，及接触所述阻挡层的第二部分且所述多个场板的所述第一部分的厚度相同
。
[0020]可选的，所述多个阻挡层进一步安置在所述电极上，所述电极为最靠近所述电介质结构的顶面的电极，且安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度不同于安置在所述场板上的所述阻挡层的厚度
。
[0021]可选的，安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度大于安置在最下层场板上的所述阻挡层的厚度
。
[0022]可选的，安置在所述电极上的所述阻挡层的位置高度不同于安置在所述场板，上的所述阻挡层的位置高度
。
[0023]可选的，所述多个阻挡层进一步安置在所述电极上，所述电极为最远离所述电介质结构的顶面的电极，且安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度小于安置在最上层场板上的所述阻挡层的厚度
。
[0024]可选的，所述多个阻挡层包含掺杂元素，且所述掺杂元素为第族元素
。
[0025]可选的，所述掺杂元素为碳
。
[0026]可选的，所述多个阻挡层的所述掺杂元素的掺杂浓度相同
。
[0027]可选的，所述阻挡层的材料为氮掺杂碳
。
[0028]第二方面，本专利技术实施例提供了一种用于制造半导体装置的方法，包括：
[0029]提供半导体结构，所述半导体结构包括第一氮化物半导体层
、
形成在所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层
、
接触所述第二氮化物半导体层的电极
、
形成在所述第二氮化物半导体层上且覆盖所述电极的电介质结构
、
形成在所述电介质结构中且彼此纵向间隔开的多个场板，及分别形成在所述场板，上的多个阻挡层，其中所述第二氮化物半导体层具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙；
[0030]形成图案化硬屏蔽于电介质结构上；
[0031]通过所述图案化硬屏蔽移除所述电介质结构的一部份及所述多个阻挡层的一部份以形成多个开孔，其中所述多个开孔显露所述多个阻挡层的一保留部份；
[0032]移除所述图案化硬屏蔽；
[0033]通过所述多个开孔移除所述多个阻挡层的所述保留部份，以显露所述多个场板的顶面；及
[0034]形成多个导孔，于所述多个场板的所述顶面上
。
[0035]可选的，在提供所述半导体结构的步骤中，所述多个阻挡层的厚度不同
。
[0036]可选的，在提供所述半导体结构的步骤中，所述阻挡层的厚度随着所述场板与所述电介质结构的顶面之间的距离减少而增加
。
[0037]可选的，在形成所述多个开孔的步骤中，所述多个阻挡层的所述保留部份的厚度小于所述多个阻挡层的厚度
。
[0038]可选的，还包括：
[0039]以湿法蚀刻方式移除所述多个阻挡层的所述保留部份
。
[0040]第二方面，本专利技术实施例提供了一种半导体装置，包括：
[0041]第一氮化物半导体层；
[0042]第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙；
[0043]多个电极，其接触所述第二氮化物半导体层；
[0044]多个阻挡层，其分别安置在所述电极上，且所述多个阻挡层的厚度不同；
[0045]电介质结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上且覆盖所述多个电极，及所述多个阻挡层；
[0046]场板，其位于所述电介质结构中；及
[0047]多个导孔，其分别贯穿所述阻挡层且接触所述电极
。
[0048]可选的，所述阻挡层的厚度随着所述电极，与所述电介质结构的顶面之间的距离减少而增加
。
[0049]可选的，所述多个阻挡层中最上层阻挡层的厚度大于最下层阻挡层的厚度
。
[0050]可选的，所述导孔的底面与所述电极的顶面共面
。
[0051]可选的，所述多个阻挡层，包含掺杂元素，且所述掺杂元素为第族元素
。
[0052]在本专利技术中提供的半导体装置包括第一氮化物半导体层
、
第二氮化物半导体层，电极
、
电介质结构
、
多个场板
、
多个阻挡层和多个导孔
。
通过在多个场板上设置多个厚度不同的阻挡层，降低了场板被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙；电极，其接触所述第二氮化物半导体层；电介质结构，其安置在所述第二氮化物半导体层上且覆盖所述电极；多个场板，其位于所述电介质结构中且彼此纵向间隔开；多个阻挡层，其分别安置在所述场板上，且所述多个阻挡层的厚度不同；及多个导孔，其分别贯穿所述阻挡层且接触所述场板
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的厚度随着所述场板与所述电介质结构的顶面之间的距离减少而增加
。3.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个阻挡层中最上层阻挡层的厚度大于最下层阻挡层的厚度
。4.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导孔的底面与所述阻挡层的底面共面
。5.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导孔的底面与所述场板的顶面共面
。6.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述场板包括接触所述导孔的第一部分及接触所述阻挡层的第二部分，且所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度相同
。7.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个场板包括接触所述导孔的第一部分及接触所述阻挡层的第二部分，且所述多个场板的所述第一部分的厚度相同
。8.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个阻挡层进一步安置在所述电极上，所述电极为最靠近所述电介质结构的顶面的电极，且安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度不同于安置在所述场板上的所述阻挡层的厚度
。9.
根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度大于安置在最下层场板上的所述阻挡层的厚度
。10.
根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，安置在所述电极上的所述阻挡层的位置高度不同于安置在所述场板上的所述阻挡层的位置高度
。11.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个阻挡层进一步安置在所述电极上，所述电极为最远离所述电介质结构的顶面的电极，且安置在所述电极上的所述阻挡层的厚度小于安置在最上层场板上的所述阻挡层的厚度
。12.
根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个阻挡层包含掺杂元素，且所述掺杂元素为第
14
族元素
。13.
据权利要求
12
所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂元素为碳
。14.
据权利要求
12
所述的半导体装置，其特征在于，所述多个阻挡层的所述掺杂元素的掺杂浓度相同
。15.
据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮掺杂碳
。16.
一种用于制造半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：何义，游政昇，杜卫星，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：