一种基于制造技术

本实用新型专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
一种基于Substrate基板的Chiplet SiP版图结构


[0001]本技术涉及
sip
版图结构
，尤其涉及一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构
。

技术介绍

[0002]集成电路技术的进步
、
以及其它元件的微小型化的发展趋势使得系统级封装
(SiPSystemin Package)
取得了迅速发展，为减少
PCB
板上器件数量，缩小单板面积，
SIP(System In a Package)
技术得以发展，现有技术是将一些成品有源器件通过
Wire bond
或
FC
方式连接到基板上，无源器件贴片到基板上，形成一个完整的功能或系统，使用现有成品芯片进行封装，在散热及
SIP
器件高度
、
信号走线
、
信号干扰等方面均无法进行相应优化，然而在复杂场景下，一个系统无法承担或无法完成相应任务时，需要增加
SIP
芯片，违背了减少
PCB
板上器件数量减少的初衷，现有
SIP
无法集成
HBM(High Bandwidth Memory)
，使用基础存储芯片，大大影响系统性能，降低系统上限，有鉴于此，有必要对目前的
sip
版图结构予以改进，以解决上述问题；
[0003]本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本专利技术构思的
技术介绍
，并且因此，它可以包含不构成现有技术的信息
。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构，包括
PCB
基板，所述
PCB
基板上分别设置有版图
A
和版图
B
；
[0007]所述版图
A
包括第一数字信号处理芯片
、
第一双倍速率同步动态随机存储器
、
第一串行外围设备接口和第一
IIC
带电可擦可编程只读存储器；
[0008]所述版图
B
包括第二数字信号处理芯片
、
第二双倍速率同步动态随机存储器
、
第二串行外围设备接口和第二
IIC
带电可擦可编程只读存储器；
[0009]此外，优选的结构是，所述版图
B
以
PCB
基板的中心为圆心顺时针旋转
180
°
。
[0010]此外，优选的结构是，所述第一数字信号处理芯片和第二数字信号处理芯片均采用芯片
die
电气面朝下的方式，并且采取
wire bond
打线方式，将电气面朝上的
pad
打线至
PCB
基板上
。
[0011]此外，优选的结构是，所述第一数字信号处理芯片和第二数字信号处理芯片的型号均为
SOC Chiplet
，所述第一双倍速率同步动态随机存储器和第二双倍速率同步动态随机存储器的型号均为
DDR MCP Chiplet(HBM)
，所述第一串行外围设备接口和第二串行外围设备接口的型号均为
SPI NOR Flash
，所述第一
IIC
带电可擦可编程只读存储器和第二
IIC
带电可擦可编程只读存储器的型号均为
IIC EEPROM
器件
。
[0012]本技术的有益效果是：
[0013]本技术中，由于使用第一数字信号处理芯片和第二数字信号处理芯片可以将芯片间走线调整，使第一串行外围设备接口和第二数字信号处理芯片内走线控制及信号干扰做到最优，另外由于第一数字信号处理芯片和第二数字信号处理芯片使用裸
DIE
，可以提升第一串行外围设备接口和第二数字信号处理芯片整体的散热能力，实现一颗芯片内多个系统存在，片内多系统可直接提升芯片算力及性能
(
睿频
)
，满足更多复杂场景应用
。
附图说明
[0014]图1为本技术提出的一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构的结构示意图；
[0015]图2为本技术提出的一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构的
wire bond
打线方式示意图；
[0016]图3为本技术提出的一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构的
FC(
倒装
)
示意图
。
[0017]图中：
1PCB
基板
、201
第一数字信号处理芯片
、202
第二数字信号处理芯片
、301
第一双倍速率同步动态随机存储器
、302
第二双倍速率同步动态随机存储器
、401
第一串行外围设备接口
、402
第二串行外围设备接口
、501
第一
IIC
带电可擦可编程只读存储器
、502
第二
IIC
带电可擦可编程只读存储器
、61
版图
A、62
版图
B。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制
。
[0020]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构，包括
PCB
基板
(1)
，其特征在于，所述
PCB
基板
(1)
上分别设置有版图
A(61)
和版图
B(62)
，所述版图
A(61)
包括第一数字信号处理芯片
(201)、
第一双倍速率同步动态随机存储器
(301)、
第一串行外围设备接口
(401)
和第一
IIC
带电可擦可编程只读存储器
(501)
，所述版图
B(62)
包括第二数字信号处理芯片
(202)、
第二双倍速率同步动态随机存储器
(302)、
第二串行外围设备接口
(402)
和第二
IIC
带电可擦可编程只读存储器
(502)。2.
根据权利要求1所述的一种基于
Substrate
基板的
Chiplet SiP
版图结构，其特征在于，所述版图
B(62)
以
PCB
基板
(1)
的中心为圆心顺时针旋转
180
°
。3.
根据权利要求1所述的一种基于
Substrate
基板的

【专利技术属性】
技术研发人员：程帅，冯瑞，赵婉，
申请(专利权)人：深圳芯创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：