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定位系统技术方案

技术编号:39866670 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-30 12:57
本发明专利技术提供了一种用于移动或定位可移动物体的定位系统,包括:动态支撑系统和致动器,该动态支撑系统包括:反作用质体;第一支撑件;第一弹簧系统,其用于从第一支撑件支撑反作用质体;第二支撑件;第二弹簧系统,其用于从第二支撑件支撑第一支撑件;阻尼系统,其用于向动态支撑系统提供阻尼;该致动器用于在可移动物体与反作用质体之间生成用于移动或定位物体的驱动力,其中动态支撑系统的第一本征频率和第二本征频率基本相同

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】定位系统、光刻装置、驱动力衰减方法和器件制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年5月6日提交的
EP
申请
21172395.2
的优先权,该申请通过引用整体并入本文



[0003]本专利技术涉及一种定位系统

本专利技术还涉及一种包括这种定位系统的光刻装置

本专利技术还涉及一种用于衰减可移动物体与动态支撑系统之间的驱动力传递的方法

以及一种用于使用光刻装置制造器件的方法


技术介绍

[0004]光刻装置是将期望图案施加到衬底上的机器

光刻装置可以用于例如制造集成电路
(IC)。
光刻装置可以例如将图案形成装置
(
例如,掩模
)
处的图案
(
通常也称为“设计布局”或“设计”)
投射到设置在衬底
(
例如,晶片
)
上的辐射敏感材料
(
抗蚀剂
)
层上

[0005]随着半导体制造过程的不断进步,几十年来,电路元件的尺寸已经不断减小,而每个器件的诸如晶体管之类的功能元件的数量已经在稳定地增加,这遵循通常被称为

摩尔定律

的趋势

为了跟上摩尔定律,半导体工业正在追求使得能够产生越来越小的特征的技术

为了将图案投射在衬底上,光刻装置可以使用电磁辐射

该辐射的波长确定可以在经图案化的衬底上的特征的最小大小

当前处于使用的典型波长为
365nm(i
线
)、248nm、193nm

13.5nm。
与使用例如波长为
193nm
的辐射的光刻装置相比,使用波长在
4nm

20nm
的范围内
(
例如,
6.7nm

13.5nm)
的极紫外
(EUV)
辐射的光刻装置可以被用来在衬底上形成更小特征

[0006]光刻装置通常包括一个或多个定位系统,其用于定位诸如图案形成装置的支撑件

衬底支撑件

或投射系统或照射系统的光学元件等的物体

[0007]定位系统通常包括动态支撑系统和致动器,该致动器用于在可移动物体与动态支撑系统之间产生驱动力,以移动或定位物体

由动态支撑系统传递的力与驱动力的比率被定义为致动器力传递性

当比率太大时,它可能会对定位系统的位置精度产生负面影响,尤其是对于更高的频率,从而限制可实现的控制带宽


技术实现思路

[0008]考虑到上述情况,本专利技术的目的是提供一种具有改进的
(
即,降低的
)
致动器力传递性的定位系统

[0009]根据本专利技术的一个实施例,提供了一种用于移动或定位可移动物体的定位系统,包括:
[0010]‑
动态支撑系统,包括:
[0011]反作用质体,
[0012]第一支撑件,
[0013]第一弹簧系统,用于从第一支撑件支撑反作用质体,
[0014]第二支撑件,
[0015]第二弹簧系统,用于从第二支撑件支撑第一支撑件,以及阻尼系统,用于向动态支撑系统提供阻尼,
[0016]‑
致动器,用于在可移动物体与反作用质体之间生成用于移动或定位物体的驱动力,
[0017]其中动态支撑系统在一个方向上的第一本征频率和第二本征频率基本相同

[0018]根据本专利技术的另一实施例,提供了一种光刻装置,包括根据本专利技术的定位系统

[0019]根据本专利技术的另一实施例,提供了一种用于衰减施加在可移动物体和动态支撑系统的反作用质体之间的驱动力的传递的方法,所述方法通过将动态支撑系统配置为多弹簧质体阻尼器系统来实现,该多弹簧质体阻尼器系统在一方向上具有基本相同的第一本征频率和第二本征频率来

[0020]根据本专利技术的另一实施例,提供了一种器件制造方法,其中使用根据本专利技术的光刻装置

附图说明
[0021]现在,参考所附示意图仅通过示例对本专利技术的实施例进行描述,其中
[0022]‑
图1描绘了根据本专利技术的实施例的光刻装置的示意性概图;
[0023]‑
图2描绘了图1的光刻装置的一部分的详细视图;
[0024]‑
图3示意性地描绘了作为根据本专利技术的实施例的定位系统的一部分的位置控制系统;
[0025]‑
图4示意性地描绘了根据本专利技术的另一实施例的具有定位系统的光刻装置的一部分

具体实施方式
[0026]在本文件中,术语“辐射”和“射束”用于涵盖所有类型的电磁辐射,包括紫外线辐射
(
例如,其中波长为
365nm、248nm、193nm、157nm

126nm)

EUV
辐射
(
极紫外辐射,例如,波长范围介于约
5nm

100nm
之间
)。
[0027]如上下文中所采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以以广义方式被解释为是指通用图案形成装置,该通用图案形成装置可以被用来向入射辐射射束赋予经图案化的横截面,该经图案化的横截面与要在衬底的目标部分中产生的图案相对应

在该上下文中,还可以使用术语“光阀”。
除了经典掩模
(
透射式掩模或反射式掩模;二进制掩模

相移掩模

混合掩模等
)
以外,其他这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程
LCD
阵列

[0028]图1示意性地描绘了光刻装置
LA。
该光刻装置
LA
包括照射系统
(
还被称为照射器
)IL
,被配置为调节辐射射束
B(
例如,
UV
辐射
、DUV
辐射或
EUV
辐射
)
;掩模支撑件
(
例如,掩模台
)MT
,被构造为支撑图案形成装置
(
例如,掩模
)MA
并且连接到第一定位器
PM
,该第一定位器
PM
被配置为按照某些参数精确定位图案形成装置
MA
;衬底支撑件
(本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于移动或定位可移动物体的定位系统,包括:

动态支撑系统,包括:反作用质体,第一支撑件,第一弹簧系统,用于从所述第一支撑件支撑所述反作用质体,第二支撑件,第二弹簧系统,用于从所述第二支撑件支撑所述第一支撑件,以及阻尼系统,用于向所述动态支撑系统提供阻尼,

致动器,用于在所述可移动物体与所述反作用质体之间生成用于移动或定位所述物体的驱动力,其中所述动态支撑系统在一方向上的第一本征频率和第二本征频率基本相同
。2.
根据权利要求1所述的定位系统,其中所述阻尼系统布置在所述反作用质体与所述第一支撑件之间
。3.
根据权利要求1所述的定位系统,其中所述阻尼系统布置在所述第一支撑件与所述第二支撑件之间
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的定位系统,其中所述致动器是非接触式致动器
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的定位系统,其中所述阻尼系统包括粘弹性阻尼器
。6.
根据权利要求1至5中任一项所述的定位系统,其中所述阻尼系统包括调谐质体阻尼器,所述调谐质体阻尼器附接到所述反作用质体

所述第一支撑件和
/
或所述第二支撑件
。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的定位系统,其中所述可移动物体是反射镜
。8.
根据权利要求1至7中任一项所述的定位系统,还包括测量系统,所述测量系统用于测量所述可移动物体相对于参考的位置;以及控制单元,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:卡尔蔡思
类型:发明
国别省市:

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