用于仿真套刻标记的方法技术

根据本公开的实施例提供了用于仿真套刻标记的方法

【技术实现步骤摘要】
用于仿真套刻标记的方法、设备和介质


[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于仿真套刻标记的方法
、
设备和介质
。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小
。
在集成电路制造过程中，对不同堆叠（
stack
）层（也称为不同膜层）之间套刻（
overlay
）精度的要求也越来越高
。
具体地，芯片的器件和结构可以通过生成工艺逐层形成
。
晶圆制造工艺是将各层图案通过光刻（
photo
）工艺将不同层的版图或掩模版上的图案以一定的缩小比例精准地转移到晶圆上
。
[0003]不同掩膜版之间的套刻结果可以用于衡量本层图案与前层图案的偏离程度
。
因此，套刻标记能够影响产品良率的高低
。
目前，基于衍射的套刻（
DBO
）或者基于散射的套刻被广泛地应用于套刻量测（也称为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种仿真套刻标记的方法，其特征在于，所述方法包括：通过设置一组仿真参数的值来初始化针对套刻标记的光学仿真模型；获取所述套刻标记的光学测量结果；利用所述光学仿真模型对所述套刻标记进行光学仿真，以生成对应于所述套刻标记的光学仿真结果；以及如果确定所述光学仿真结果与所述光学测量结果之间的差异超过阈值，更新所述一组仿真参数，以基于更新后的所述一组仿真参数确定所述光学仿真模型
。2.
根据权利要求1所述的仿真套刻标记的方法，其特征在于，所述光学仿真结果包括所述套刻标记中至少两对模拟光栅的一阶绕射光的第一组仿真图像以及负一阶绕射光的第二组仿真图像，所述两对模拟光栅中的每对模拟光栅包括上层模拟光栅和对应的下层模拟光栅；其中获取所述套刻标记的所述光学测量结果包括：获取所述套刻标记中至少两对真实光栅的一阶绕射光的第一组测量图像以及负一阶绕射光的第二组测量图像，所述至少两对真实光栅中的每对真实光栅包括上层真实光栅和对应的下层真实光栅，所述至少两对真实光栅与所述至少两对模拟光栅相对应；并且其中所述光学仿真结果与所述光学测量结果之间的所述差异是基于所述第一组测量图像与所述第一组仿真图像之间的差异以及所述第二组测量图像与所述第二组仿真图像之间的差异确定的
。3.
根据权利要求2所述的仿真套刻标记的方法，其特征在于，所述第一组测量图像或所述第二组测量图像中的第一测量图像与所述第一组仿真图像或所述第二组仿真图像中的相应的第一仿真图像之间的相应差异是基于以下至少一项确定的：所述第一测量图像与所述第一仿真图像之间的光强差异，所述第一测量图像的归一化光强值与所述第一仿真图像的归一化光强值之间的差值，或所述第一测量图像与所述第一仿真图像之间的图案差异
。4.
根据权利要求2所述的仿真套刻标记的方法，其特征在于，所述光学仿真结果与所述光学测量结果之间的差异是基于下式确定的：，其中，
cost
表示所述差异，表示所述光学测量结果指示的第一对真实光栅的归一化负一阶光强度，表示所述第一光学仿真结果指示的第一对模拟光栅的归一化负一阶光强度，表示所述光学测量结果指示的所述第
一对真实光栅的归一化一阶光强度，表示所述第一光学仿真结果指示的所述第一对模拟光栅的归一化一阶光强度，表示所述光学测量结果指示的第二对真实光栅的归一化负一阶光强度，表示所述第一光学仿真结果指示的第二对模拟光栅的归一化负一阶光强度，表示所述光学测量结果指示的所述第二对真实光栅的归一化一阶光强度，表示所述第一光学仿真结果指示的所述第二对模拟光栅的归一化一阶光强度，
+d
表示所述第一对真实光栅的上层真实光栅相对下层真实光栅的偏置量和所述第一对模拟光栅的上层模拟光栅相对下层模拟光栅的偏置量，
‑
d
表示所述第二对真实光栅的上层真实光栅相对下层真实光栅的偏置量和所述第二对模拟光栅的上层模拟光栅相对下层模拟光栅的偏置量
。5.
根据权利要求1所述的仿真套刻标记的方法，其特征在于，如果确定所述光学仿真结果与所述光学测量结果之间的差异超过阈值，更新所述一组仿真参数，以基于更新后的所述一组仿真参数确定光学仿真模型包括：
S110
，确定所述光学仿真结果与所述光学测量结果之间的差异是否超过所述阈值，如果确定所述差异超过所述阈值，则执行
S120
，否则执行
S130
；
S120
，更新所述一组仿真参数并基于更新后的所述一组仿真参数确定光学仿真模型；
S130
，基于当前的一组仿真参数确定光学仿真模型
。6.
根据权利要求5所述的仿真套刻标记的方法，其特征在于，利用退火算法更新所述一组仿真参数的值，包括在
S110
之前执行：将当前适应值
C(Y
n
)
与先前的适应值
C(Y
n
‑1)
进行比较，如果
C(Y
n
)
小于
C(Y
n
‑1)
，继续采用所述一组仿真参数的值
Y
n...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：