集成悬置晶体管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种集成悬置晶体管结构，包括晶体管以及连接于晶体管下侧的局部支撑结构，所述晶体管通过所述局部支撑结构悬置

【技术实现步骤摘要】
集成悬置晶体管结构


[0001]本专利技术涉及射频微波毫米波太赫兹电路领域，特别是涉及一种集成悬置晶体管结构
。

技术介绍

[0002]集成电路
(Integrated Circuit
，
IC)
中的晶体管
(Transistor)
在射频
、
微波
、
毫米波
、
太赫兹电路中具有重要的作用，主要用于放大
、
开关
、
混频和调制射频信号等功能
。
[0003]晶体管的性能一方面与自身的材料参数
、
结构特性
、
制造工艺等因素有关，另一方面，与晶体管紧挨着的位于晶体管下方的材料对晶体管的性能也有重要的影响
。
通常，晶体管下方紧贴着半导体材料或者半绝缘材料，这些半导体材料或者半绝缘材料可能是锗
、
硅
、
硒
、
砷化镓
、
硫化镉
、
磷化镓
、
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种集成悬置晶体管结构，其特征在于，包括晶体管以及连接于晶体管下侧的局部支撑结构，所述晶体管通过所述局部支撑结构悬置
。2.
根据权利要求1所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述晶体管是单个晶体管
、
多个晶体管
、
由单个晶体管通过互连设计的集成电路芯片或者由多个晶体管通过互连设计的集成电路芯片
。3.
根据权利要求2所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述集成电路芯片是
CMOS、BiCMOS、GaAs
或
GaN、SiC、LDMOS
芯片
。4.
根据权利要求2所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述晶体管的类型是二极管
、
肖特基二级管
、Gens
耿氏二极管或检波二极管
、
整流二极管
、
稳压二极管
、
开关二极管
、
锗二极管
、
硅二极管
、
变容管
、
三极管
、
场效应晶体管
、
双极型场效应晶体管
、
绝缘栅晶体管
、
双极型晶体管
、
异质结双极型晶体管
、
碳纳米管晶体管
、
复合晶体管
。5.
根据权利要求1所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述局部支撑结构包括一层或多层基板，所述基板是半导体材料或绝缘材料
、
金属材料
。6.
根据权利要求5所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述半导体材料是硅
、
锗
、
砷化镓
、
磷化铟
、
锑化铟
、
玻璃半导体或非晶态半导体
、
有机半导体
、
氮化镓
、
碳化硅
、
硒化锌
、
氧化锌
、
金刚石
、
氮化铝；所述绝缘材料是陶瓷
、
玻璃
、
聚四氟乙烯或聚酰亚胺
、
环氧树脂；所述金属材料为铝
、
铜或金
、
银
。7.
根据权利要求5所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，晶体管置于或生长于基板的上方或内部，且晶体管位置下方的
、
与晶体管连接的一层基板局部去除
。8.
根据权利要求1所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，所述局部支撑结构包括从上到下依次连接的氧化物层及一层基板，且晶体管位置下方的氧化物层局部去除或不去除，晶体管位置下方的一层基板局部或全部去除
。9.
根据权利要求7或8所述的集成悬置晶体管结构，其特征在于，对于局部去除的基板的下侧进行植球，且球体之间具有空隙，通过植球操作后，晶体管下方的悬置空间得到提升
。10.

【专利技术属性】
技术研发人员：马凯学，王勇强，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：