一种碳化硅芯片封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种碳化硅芯片封装结构及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅芯片封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，具体地说是一种碳化硅芯片封装结构及其制备方法
。

技术介绍

[0002]目前碳化硅芯片的传统封装结构通过焊锡将芯片背部焊接在基板上，再通过金属键合线引出正面电极，最后进行塑封或者灌胶，此类封装结构导致其杂散电感参数较大，在碳化硅器件快速开关过程中造成严重电压过冲，也导致损耗增加及电磁干扰等问题
。

技术实现思路

[0003]本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种碳化硅芯片封装结构及其制备方法
。
[0004]为实现上述目的，设计一种碳化硅芯片封装结构，包括基板，所述的基板上下表面分别设有表面铜层，位于基板一侧设有预制槽体，预制槽体内壁设有镀铜种子层，开槽一侧的表面铜层表面设有镀铜层一，位于预制槽体内设有粘接材料层，粘接材料层上粘接芯片一侧表面，芯片另一侧表面
、
芯片与预制槽体之间设有绝缘介质，位于芯片另一侧表面的栅极焊盘及源极焊盘露出，并分别连接栅极封装引脚
、
源极封装引脚
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅芯片封装结构，包括基板，其特征在于：所述的基板（1）上下表面分别设有表面铜层（2），位于基板（1）一侧设有预制槽体（3），预制槽体（3）内壁设有镀铜种子层（4），开槽一侧的表面铜层（2）表面设有镀铜层一（5），位于预制槽体（3）内设有粘接材料层（6），粘接材料层（6）上粘接芯片（7）一侧表面，芯片（7）另一侧表面
、
芯片（7）与预制槽体（3）之间设有绝缘介质（
13
），位于芯片（7）另一侧表面的栅极焊盘（8）及源极焊盘（9）露出，并分别连接栅极封装引脚（8‑1）
、
源极封装引脚（9‑1）
。2.
根据权利要求1所述的一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于：所述的芯片（7）一侧表面上的漏极焊盘（
10
）与粘接材料层（6）烧结在一起
。3.
根据权利要求1所述的一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于：所述的镀铜层一（5）表面
、
芯片（7）另一侧表面的绝缘介质（
13
）表面均设有阻焊层（
11
），并且阻焊层（
11
）不覆盖镀铜层一（5）两端
、
栅极封装引脚（8‑1）
、
源极封装引脚（9‑1）
。4.
根据权利要求3所述的一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于：所述的镀铜层一（5）两端作为漏极封装引脚（
10
‑1）
。5.
根据权利要求1所述的一种碳化硅芯片封装结构，其特征在于：未开槽一侧的表面铜层（2）表面设有镀铜层二（
12
）
。6.
根据权利要求1至5任一项所述的碳化硅芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵滋人，李启力，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：