掩膜板制造技术

本申请提供了掩膜板

【技术实现步骤摘要】
掩膜板、掩膜板制备方法及蒸镀装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及掩膜板
、
掩膜板制备方法及蒸镀装置
。

技术介绍

[0002]相关技术中，制备
OLED(Organic Light Emitting Diode
，有机发光二极管
)
显示面板时，利用蒸镀成膜技术透过高精度金属掩膜板，使有机材料在子像素位置形成有机电致发光结构
。
但利用掩膜板蒸镀存在蒸镀阴影效应，特别是在相同的
Taper Angle(
倾斜角
)
和
/
或
Step Height(
台阶高度
)
条件下，待蒸镀基板边缘位置的子像素极易出现蒸镀阴影效应问题，影响子像素的蒸镀效果，从而影响
OLED
显示面板的显示均匀性，并降低了
OLED
面板的显示品质
。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请的目的在于提出掩膜板
、
掩膜板制备方法及蒸镀装置
。
[0004]基于上述目的，本申请提供了一种掩膜板，包括：
[0005]互相连接的若干基板；
[0006]基板开设有像素开口，靠近掩膜板的边缘的像素开口的尺寸大于远离掩膜板的边缘的像素开口的尺寸
。
[0007]可选的，基板包括朝向蒸发源的第一面，像素开口的靠近掩膜板的边缘的侧面与第一面之间的夹角的角度，大于远离掩膜板的边缘的侧面与第一面之间的夹角的角度
。
[0008]可选的，基板包括朝向待蒸镀基板的第二面，像素开口的侧面包括靠近第二面的垂直段，垂直段垂直于第二面
。
[0009]可选的，基板包括朝向待蒸镀基板的第二面，像素开口的侧面包括靠近第二面的倾斜段
。
[0010]可选的，靠近掩膜板中心的基板的像素开口的侧面与第一面之间的夹角，大于远离掩膜板中心的基板的像素开口的侧面与第一面之间的夹角
。
[0011]可选的，靠近掩膜板中心的基板的垂直段的高度，大于远离掩膜板中心的基板的垂直段的高度
。
[0012]可选的，靠近掩膜板中心的基板的尺寸，大于远离掩膜板中心的基板的尺寸
。
[0013]本申请还提供了一种掩膜板制备方法，包括：
[0014]制备若干开设有像素开口的基板；
[0015]连接若干基板，得到掩膜板；其中，靠近掩膜板的边缘的像素开口的尺寸大于远离掩膜板的边缘的像素开口的尺寸
。
[0016]可选的，制备若干基板，包括：
[0017]获取刻蚀基板；其中，刻蚀基板的材料为刻蚀各向异性材料；
[0018]根据目标刻蚀晶面对刻蚀基板进行加工，得到表面为目标刻蚀晶面的待刻蚀基板；
[0019]刻蚀待刻蚀基板，得到刻蚀后基板；其中，刻蚀后基板的刻蚀凹陷区域包括若干侧面，若干侧面中的两个侧面之间的夹角包括至少两种；
[0020]切割刻蚀后基板，得到基板；其中，基板包括朝向蒸发源的第一面，基板开设有像素开口，像素开口的侧面与基板的第一面之间的夹角的角度与切割的方向相关
。
[0021]可选的，根据目标刻蚀晶面对刻蚀基板进行加工，包括：
[0022]确定刻蚀基板的初始晶面；
[0023]根据初始晶面和目标刻蚀晶面，确定加工参数；
[0024]根据加工参数对刻蚀基板进行加工
。
[0025]本申请还提供了一种蒸镀装置，包括蒸发源以及上述的掩膜版，掩膜版位于蒸发源的蒸镀方向一侧
。
[0026]从上面所述可以看出，本申请提供的掩膜板
、
掩膜板制备方法及蒸镀装置，通过多个基板进行连接组成掩膜板，并且使不同位置的基板的像素开口的尺寸不同，使掩膜板的不同区域的像素开口差异化设置，使位于掩膜板边缘的像素开口能够比像素开口同质化设置时蒸镀更多的有机材料，从而削弱蒸镀过程中的蒸镀阴影效应产生，减少待蒸镀基板边缘的蒸镀阴影效应，确保子像素的蒸镀效果，从而保证
OLED
显示面板的显示均匀性，并提高了
OLED
面板的显示品质，有利于制备高
PPI(Pixels Per Inch
，像素密度单位
)
的
OLED
显示面板，能够满足
VR(Virtual Reality
，虚拟现实技术
)、AR(Augmented Reality
，增强现实技术
)
等新型显示领域
。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0028]图1为本申请实施例一的掩膜板的结构示意图
。
[0029]图2为本申请实施例二的掩膜板的结构示意图
。
[0030]图3为本申请实施例三的掩膜板的结构示意图
。
[0031]图4为本申请实施例四的掩膜板的结构示意图
。
[0032]图5为本申请实施例的用于线源蒸镀的掩膜板的俯视结构示意图
。
[0033]图6为本申请实施例的用于点源蒸镀的掩膜板的俯视结构示意图
。
[0034]图7为单晶硅的面心立方8原子结构的结构示意图
。
[0035]图8为进行刻蚀前的单晶硅待刻蚀基板与掩膜的轴测结构示意图
。
[0036]图9为进行刻蚀前的单晶硅待刻蚀基板与掩膜的俯视结构示意图
。
[0037]图
10
为刻蚀初期时的单晶硅待刻蚀基板的轴测结构示意图
。
[0038]图
11
为刻蚀初期时的单晶硅待刻蚀基板的俯视结构示意图
。
[0039]图
12
为刻蚀中期时的单晶硅待刻蚀基板的轴测结构示意图
。
[0040]图
13
为刻蚀中期时的单晶硅待刻蚀基板的俯视结构示意图
。
[0041]图
14
为单晶硅刻蚀后基板的轴测结构示意图
。
[0042]图
15
为单晶硅刻蚀后基板的俯视结构示意图
。
[0043]图
16
为对单晶硅的刻蚀凹陷区域进行定向切割的切割方向示意图
。
[0044]图
17
为对单晶硅的刻蚀凹陷区域进行定向切割后的截面示意图
。
[0045]图中附图标记包括：基板
1、
像素开口
2、
垂直段
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种掩膜板，其特征在于，包括：互相连接的若干基板；所述基板开设有像素开口，靠近所述掩膜板的边缘的所述像素开口的尺寸大于远离所述掩膜板的边缘的所述像素开口的尺寸
。2.
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述基板包括朝向蒸发源的第一面，所述像素开口的靠近所述掩膜板的边缘的侧面与所述第一面之间的夹角的角度，大于远离所述掩膜板的边缘的侧面与所述第一面之间的夹角的角度
。3.
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述基板包括朝向待蒸镀基板的第二面，所述像素开口的侧面包括靠近所述第二面的垂直段，所述垂直段垂直于所述第二面
。4.
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述基板包括朝向待蒸镀基板的第二面，所述像素开口的侧面包括靠近所述第二面的倾斜段
。5.
根据权利要求2‑4中任意一项所述的掩膜板，其特征在于，靠近所述掩膜板中心的所述基板的像素开口的侧面与所述第一面之间的夹角，大于远离所述掩膜板中心的所述基板的像素开口的侧面与所述第一面之间的夹角
。6.
根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，靠近所述掩膜板中心的所述基板的垂直段的高度，大于远离所述掩膜板中心的所述基板的垂直段的高度
。7.
根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，靠近所述掩膜板中心的所述基板的尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：关新兴，曾琪皓，刘浩，毕娜，刘佳宁，白珊珊，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：