一种制造技术

本申请提供一种

【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶片低崩边划切加工工艺方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料加工
，特别涉及一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法
。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展促使集成电路
(IC)
迅猛发展，对半导体封装加工有了更高的要求
。
其中对半导体的硬脆材料进行分割划切的加工是半导体芯片制造和封装过程中一种重要的加工手段，半导体晶圆切割工序的质量和效率直接影响着最终产品的质量和整个生产线的成品率和生产效率
。
[0003]第三代半导体材料的应用逐渐兴起，虽然第三代半导体材料的大部分特性均十分优秀，但却仍有着单晶
SiC
脆性高
、
硬度大
、
断裂韧性低
、
可加工性差等特性，因此在对第三代半导体材料加工的过程中，只要出现很小的变形就会使得半导体材料发生部分断裂，而且划切工艺用的砂轮很薄，砂轮的磨损非常严重，这也进一步增大了对第三代半导体材料加工的难度
。
[0004]而目前并没有有效控制
SiC
晶片划切工艺中半导体材料因材质脆性高
、
硬度大等因素导致半导体材料崩边的技术
。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，以解决
SiC
晶片划切工艺中半导体材料因材质脆性高
、
硬度大等因素导致半导体材料崩边的问题
。
[0006]所述加工工艺方法包括：
[0007]从半导体原料库中选取目标
SiC
晶片，对所述目标
SiC
晶片的材料特性进行分析，得到目标材料参数；
[0008]根据所述目标材料参数从划切砂轮库中选取目标砂轮，获取所述目标砂轮的目标砂轮参数；
[0009]获取用于划切所述目标
SiC
晶片的砂轮划片机的划片机参数，根据所述划片机参数和所述目标材料参数选定对所述目标
SiC
晶片的加工工艺参数；
[0010]根据所述目标砂轮
、
目标砂轮参数
、
所述目标
SiC
晶片
、
所述目标材料参数和所述加工工艺参数确定划切实验策略，并在所述砂轮划片机中进行所述划切实验策略，得到划切实验数据；
[0011]根据所述划切实验数据计算每种因素对切割道最大崩边宽度影响情况，得到崩边因素集合；
[0012]根据所述崩边因素集合和所述加工工艺参数计算得出最优加工工艺参数；
[0013]根据所述最优加工工艺参数对所述目标
SiC
晶片进行划切加工
。
[0014]优选的，所述目标
SiC
晶片为
4H
‑
SiC。
[0015]优选的，所述在所述砂轮划片机中进行所述划切实验策略包括：
[0016]根据所述加工工艺参数在所述砂轮划片机中利用所述目标砂轮对所述目标
SiC
晶片进行若干次加工实验；
[0017]利用形貌检测仪器对在进行加工实验中的所述目标砂轮和所述目标
SiC
晶片进行检测，得到无损检测数据；
[0018]将所述无损检测数据
、
所述目标砂轮参数
、
所述加工工艺参数和所述目标材料参数导入划切崩边检测模型中，得到所述划切实验数据
。
[0019]优选的，所述划片机参数包括砂轮划片机加工范围，所述目标材料参数包括
SiC
晶片厚度；
[0020]所述根据所述划片机参数和所述目标材料参数确定对所述目标
SiC
晶片的加工工艺参数包括：
[0021]根据所述砂轮划片机加工范围和所述
SiC
晶片厚度选定所述加工工艺参数
。
[0022]优选的，所述加工工艺参数包括所述砂轮划片机的主轴转速
、
所述砂轮划片机的进给速度
、
所述砂轮划片机的划切深度
。
[0023]优选的，所述形貌检测仪器为
KEYENCE VHX
‑
1000E
超景深三维显微系统
。
[0024]优选的，所述加工工艺方法还包括：
[0025]获取所述半导体原料库中对应特性不同的每种
SiC
晶片的最优加工工艺参数；
[0026]储存所述最优加工工艺参数，并构建最优加工工艺参数数据库
。
[0027]优选的，所述加工工艺方法还包括：
[0028]从所述半导体原料库中选取第一
SiC
晶片；
[0029]从所述最优加工工艺参数数据库种选取对应所述第一
SiC
晶片的第一最优加工工艺参数；
[0030]根据所述第一最优加工工艺参数从所述划切砂轮库中选取第一砂轮；
[0031]根据所述第一最优加工工艺参数在所述砂轮划片机中利用所述第一砂轮对所述第一
SiC
晶片进行划切加工；
[0032]利用所述形貌检测仪器对在进行划切加工中的所述第一砂轮和所述第一
SiC
晶片进行检测，得到第一无损检测数据；
[0033]根据所述第一无损检测数据对所述第一最优加工工艺参数进行检验
。
[0034]优选的，所述崩边因素集合包括所述主轴转速影响权重
、
所述进给速度影响权重和所述划切深度影响权重；
[0035]所述根据所述崩边因素集合和所述加工工艺参数计算得出最优加工工艺参数包括：
[0036]根据所述崩边因素集合对所述加工工艺参数进行调整，得到所述最优加工工艺参数
。
[0037]本申请提供一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，所述加工工艺方法包括：从半导体原料库中选取目标
SiC
晶片，对所述目标
SiC
晶片的材料特性进行分析，得到目标材料参数；根据所述目标材料参数从划切砂轮库中选取目标砂轮，获取所述目标砂轮的目标砂轮参数；获取用于划切所述目标
SiC
晶片的砂轮划片机的划片机参数，根据所述划片机参数和所述目标材料参数选定对所述目标
SiC
晶片的加工工艺参数；根据所述目标砂轮
、
目标砂轮参数
、
所述目标
SiC
晶片
、
所述目标材料参数和所述加工工艺参数确定划切实验策略，并
在所述砂轮划片机中进行所述划切实验策略，得到划切实验数据；根据所述划切实验数据计算每种因素对切割道最大崩边宽度影响情况，得到崩边因素集合；根据所述崩边因素集合和所述加工工艺参数计算得出最优加工工艺参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，其特征在于，所述加工工艺方法包括：从半导体原料库中选取目标
SiC
晶片，对所述目标
SiC
晶片的材料特性进行分析，得到目标材料参数；根据所述目标材料参数从划切砂轮库中选取目标砂轮，获取所述目标砂轮的目标砂轮参数；获取用于划切所述目标
SiC
晶片的砂轮划片机的划片机参数，根据所述划片机参数和所述目标材料参数选定对所述目标
SiC
晶片的加工工艺参数；根据所述目标砂轮
、
目标砂轮参数
、
所述目标
SiC
晶片
、
所述目标材料参数和所述加工工艺参数确定划切实验策略，并在所述砂轮划片机中进行所述划切实验策略，得到划切实验数据；根据所述划切实验数据计算每种因素对切割道最大崩边宽度影响情况，得到崩边因素集合；根据所述崩边因素集合和所述加工工艺参数计算得出最优加工工艺参数；根据所述最优加工工艺参数对所述目标
SiC
晶片进行划切加工
。2.
根据权利要求1所述的一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，其特征在于，所述目标
SiC
晶片为
4H
‑
SiC。3.
根据权利要求1所述的一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，其特征在于，所述在所述砂轮划片机中进行所述划切实验策略包括：根据所述加工工艺参数在所述砂轮划片机中利用所述目标砂轮对所述目标
SiC
晶片进行若干次加工实验；利用形貌检测仪器对在进行加工实验中的所述目标砂轮和所述目标
SiC
晶片进行检测，得到无损检测数据；将所述无损检测数据
、
所述目标砂轮参数
、
所述加工工艺参数和所述目标材料参数导入划切崩边检测模型中，得到所述划切实验数据
。4.
根据权利要求1所述的一种
SiC
晶片低崩边划切加工工艺方法，其特征在于，所述划片机参数包括砂轮划片机加工范围，所述目标材料参数包括
SiC
晶片厚度；所述根据所述划片机参数和所述目标材料参...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹国强，丰艳春，唐贵富，吕艳，王松亭，张春晓，张昆，李金澎，张博涛，
申请(专利权)人：沈阳仪表科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：