具有垂直功率晶体管器件的半导体管芯制造技术

本公开涉及一种半导体管芯

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有垂直功率晶体管器件的半导体管芯


[0001]本公开涉及一种包括垂直功率晶体管器件的半导体管芯
。

技术介绍

[0002]垂直功率晶体管器件在半导体本体的相对侧具有源极区域和漏极区域
。
在两者之间，形成具有沟道区域的本体区域，并且可以经由沟道区域旁边的栅极区域来控制电流流动
。
另外，漂移区域可以形成在半导体本体中，例如垂直地形成在本体区域和漏极区域之间
。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种具有垂直功率晶体管器件的改进的半导体管芯以及制造该半导体管芯的方法
。
[0004]该目的是通过权利要求1的半导体管芯实现的
。
此外，它是通过权利要求
14
的方法实现的
。
除了垂直器件之外，该管芯包括横向晶体管器件，其源极和漏极区域形成在半导体本体的正面
。
在垂直器件和横向晶体管器件之间，横向地形成深沟槽隔离
。
[0005]深沟槽隔离可以例如允许垂直器件和横向器件的可靠去本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体管芯
(1)
，包括垂直功率晶体管器件
(2)
，所述垂直功率晶体管器件
(2)
在半导体本体
(10)
的相对侧
(10a、b)
具有源极区域
(3)
和漏极区域
(4)
，以及横向晶体管器件
(20)
，所述横向晶体管器件
(20)
具有：具有横向沟道区域
(21.1、221.1)
的本体区域
(21、221)
，以及形成在所述半导体本体
(10)
的正面
(10a)
的源极和漏极区域
(23、24)
，其中深沟槽
(305)
被横向地布置在所述垂直功率晶体管器件
(2)
和所述横向晶体管器件
(20)
之间，形成深沟槽隔离
306。2.
如权利要求1所述的半导体管芯
(1)
，其中，具有屏蔽场电极
(31)
的屏蔽场电极区域
(30)
被形成在所述半导体本体
(10)
中的屏蔽场电极沟槽
(32)
中，以及其中，所述横向晶体管器件
(20)
的至少一部分被垂直布置在所述屏蔽场电极区域
(30)
上方
。3.
如权利要求2所述的半导体管芯
(1)
，所述垂直功率晶体管器件
(2)
包括具有形成在场电极沟槽
(6)
中的场电极
(7)
的场电极区域
(5)
，其中，所述垂直功率晶体管器件
(2)
的所述场电极沟槽
(6)
和所述屏蔽场电极沟道
(32)
在它们相应的垂直深度和它们相应的横向宽度中的至少一个方面彼此不同
。4.
如权利要求2或3所述的半导体管芯
(1)
，其中，所述屏蔽场电极
(31)
的接触区域
(238)
在所述横向器件
(21)
的沟道区域
(221.1)
旁边横向延伸，并且垂直地向上延伸到所述半导体本体
(10)
的正面
(10a)。5.
如前述权利要求中任一项所述的半导体管芯
(1)
，其中，所述横向晶体管器件
(20)
的栅电极
(245)
被布置在横向地位于所述横向半导体器件
(20)
的所述沟道区域
(20.1)
旁边的沟槽
(232)
中
。6.
如与权利要求2至4中的一项组合的权利要求5所述的半导体管芯
(1)
，其中，所述横向晶体管器件
(20)
的栅电极
(245)
被布置在所述屏蔽场电极沟槽
(32)
中的所述屏蔽场电极
(31)
上方
。7.
如权利要求5或6所述的半导体管芯
(1)
，其中，反掺杂层
(345)
被横向地布置在所述横向晶体管器件
(20)
的所述本体区域
(221)
和栅极电介质
(246)
之间，所述反掺杂层
(345)
与所述横向晶体管器件
(20
的所述本体区域
(211)
相比由相对的导电类型制成
。8.
如权利要求5至7中任一项所述的半导体管芯
(1)
，其中，所述横向沟道区域
(221.1)
向下偏移到所述半导体本体
(10)
中
。9.
如权利要求8所述的半导体管芯
(1)
，其中，表面沟道阻挡物区域

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：