一种隧穿氧化多层结构及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提出了一种隧穿氧化多层结构及其制备方法与应用，属于太阳能电池技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种隧穿氧化多层结构及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，尤其涉及一种隧穿氧化多层结构及其制备方法与应用
。

技术介绍

[0002]随着光伏技术不断进步
、
产能持续提升，提高转换效率的一个关键点在于降低复合损失，从而提高太阳能电池的开路电压
。
金属诱导复合是太阳能组件中总复合损失的重要组成部分
。
在
PERC
电池中，通过缩小电池背面的金属接触面积，可有效降低金属化造成的复合损失
。
作为一项替代方案，“钝化接触”技术发展迅猛，如今已在光伏行业得到广泛应用
。
其电池结构是采用一层超薄的可隧穿氧化层和一层多晶硅层作为钝化接触层，从而基本避免晶硅衬底与金属的直接接触，从而大大减少金属诱导复合
。
[0003]目前
Topcon
量产的路线
LPCVD
法
+
磷扩路线存在产能低的问题，制备的多晶硅厚度在
100nm/>以上，石英舟备件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种隧穿氧化多层结构，其特征在于，所述隧穿氧化多层结构依次包括隧穿氧化层
、
本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，其中，所述隧穿氧化层为氧化硅层，厚度为1‑
1.5nm
，所述本征非晶硅层的厚度为
10
‑
50nm
，所述掺杂非晶硅层的厚度为
50
‑
150nm。2.
一种权利要求1所述的隧穿氧化多层结构的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法制备隧穿氧化层，之后采用磁控溅射法在所述隧穿氧化层上沉积本征非晶硅层，并进行退火处理，在所述本征非晶硅层上沉积掺杂非晶硅层，得到所述隧穿氧化多层结构
。3.
根据权利要求2所述的隧穿氧化多层结构的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法的压强为
200
‑
260Pa
，沉积温度为
300
‑
400℃
，功率为
1000
‑
2000W。4.
根据权利要求2所述的隧穿氧化多层结构的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法中使用的设备有4个工艺腔，其中1个工艺腔为氩气氛围，反应功率为
3000
‑
3600W
，压力为
0.5
‑
0.8Pa
...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亚楠，王建明，章康平，石剑，蔡敬国，杨刘，周锦凤，黄晨茹，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：