膜层结构制造技术

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种膜层结构

【技术实现步骤摘要】
膜层结构、太阳电池、光伏组件以及用电装置


[0001]本申请涉及光伏
，特别是涉及一种膜层结构
、
太阳电池
、
光伏组件以及用电装置
。

技术介绍

[0002]随着光伏技术的发展，太阳电池以双面发电
、
结构简单等特点逐渐进入大众视野
。
太阳电池中，
ITO(Indium tin oxide
，氧化铟锡
)
透明导电层是提高太阳电池性能的重要膜层结构
。
[0003]然而铟为稀有元素，自然界中贮存量少，导致
ITO
价格昂贵，在单晶硅片的双面均设置
ITO
透明导电层则进一步增加了铟元素的使用量，另外由于现有太阳电池膜层结构单一使得无法有效提高光电转换效率，上述太阳电池难以实现少铟化的同时提高光电转换效率
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对太阳电池难以实现少铟化的同时提高光电转换效率的问题，提供一种膜层结构，该膜层结构用于太阳电池，能够实现少铟化的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种膜层结构，其特征在于，所述膜层结构包括依次堆叠的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层包括
IWO
材料，所述第二透明导电层的掺铟比例大于
97
％，所述第二透明导电层的厚度为
50nm
～
60nm。2.
根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述第二透明导电层包括氧化铟材料和氧化锡材料，所述氧化铟占所述第二透明导电层的质量比大于
99
％
。3.
根据权利要求1所述的膜层结构，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为
2nm
～
3nm。4.
一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：衬底硅片；第一掺杂晶硅层，所述第一掺杂晶硅层设于所述衬底硅片的正面；第二掺杂晶硅层，所述第二掺杂晶硅层设于所述衬底硅片的背面；第一膜层结构和第二膜层结构，所述第一膜层结构为如权利要求1或2所述的膜层结构，所述第二膜层结构包括第三透明导电层，所述第三透明导电层的掺铟比例大于
97
％，所述第一膜层结构和所述第二膜层结构中的一个设于所述第一掺杂晶硅层背离所述衬底硅片的一面，另一个设于所述第二掺杂晶硅层背离所述衬底硅片的一面；以及电极，所述电极与所述第一膜层结构和
/
或所述第二膜层结构欧姆接触
。5.
根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述衬底硅片为
N
型硅片，所述第一掺杂晶硅层为
N
型微晶硅层，所述第二掺杂晶硅层为
P
型微晶硅层，所述太阳电池包括：
N
型硅片；依次堆叠于所述
N
型硅片正面的第一本征层和
N
型微晶硅层；依次堆叠于所述
N
型硅片背面的第二本征层和
P
型微晶硅层；第一膜层结构和第二膜层结构，所述第一膜层结构和所述第二膜层结构中的一个设于所述
N
型微晶硅层背离所述
N
型硅片的一面，另一个设于所述
P
型微晶硅层背离所述
N
型硅片的一面；以及电极，所述电极与所述第一膜层结构和
/
或所述第二膜层结构欧姆接触
。6.
根据权利要求5所述的太阳电池，其特征在于，当所述第一膜层结构设于所述
N
型微晶硅层背离所述
N
型硅片的一面时，所述第二透明导电层设于所述
N
型微晶硅层和所述第一透明导电层之间，所述第二膜层结构还包括依次叠设在所述
P
型微晶硅层背离所述
N
型硅片的一面的第四透明导电层以及第五透明导电层，所述第五透明导电层与所述电极欧姆接触，所述第四透明导电层包括
FTO
材料和
AZO
材料，所述第五透明导电层包括
ITO
材料
。7.
根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述第三透明导电层的厚度为
10nm
～
15nm
；和
/
或，所述第四透明导电层的厚度为
55nm
～
75nm
；和
/
或，所述第五透明导电层的厚度为
20nm
～
30nm。8.
根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述第四透明导电层包括依次堆叠的第一子层
、
第二子层以及第三子层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王陈，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：