太阳电池及其制备方法技术

本申请提供一种太阳电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及其制备方法、镀膜设备


[0001]本申请涉及太阳电池
，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法
、
镀膜设备
。

技术介绍

[0002]HJT
电池
(Hereto
‑
junction with Intrinsic Thin
‑
layer)
是一种应用广泛的太阳电池，其制造通常包括制绒清洗
、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
，等离子体增强化学气相沉积
)、PVD(Physical Vapor Deposition
，物理气相沉积
)、
丝网印刷银电极四大工序
。
随着
HJT
电池工艺技术的不断革新，电池片的效率也大幅度提升，机器设备不断改进创新，生产成本持续降低，生产效率也获得提升
。
[0003]为了进一步降低生产成本，并进一步提高电池片的效率，目前通常采用电镀铜工艺来代替丝网印刷银电极工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种太阳电池，其特征在于，包括
N
型硅片及由内向外依次层叠设于所述
N
型硅片的正面的第一本征非晶硅层
、N
型掺杂非晶硅层
、
第一掺锡氧化铟层
、
掺钨氧化铟层
、
第二掺锡氧化铟层和第一电极；所述太阳电池还包括由内向外依次层叠设于所述
N
型硅片的背面的第二本征非晶硅层
、P
型掺杂非晶硅层
、
第三掺锡氧化铟层
、
氧化铝锌层
、
掺氟氧化锡层
、
第四掺锡氧化铟层和第二电极；其中，所述第一掺锡氧化铟层和所述第三掺锡氧化铟层中锡元素的质量分数均＜3％，所述第二掺锡氧化铟层和所述第四掺锡氧化铟层中锡元素的质量分数均
≥3
％，所述第一掺锡氧化铟层和所述第三掺锡氧化铟层中氧化铟的质量分数均大于所述第二掺锡氧化铟层和所述第四掺锡氧化铟层中氧化铟的质量分数
。2.
根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺锡氧化铟层和所述第三掺锡氧化铟层中氧化铟的质量分数均＞
97
％，所述第二掺锡氧化铟层和所述第四掺锡氧化铟层中氧化铟的质量分数均
≤97
％
。3.
根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一掺锡氧化铟层和所述第三掺锡氧化铟层中氧化铟和锡元素的质量比均为
99:1。4.
根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池满足以下至少一项：
(1)
所述第一掺锡氧化铟层的厚度为
30nm
～
40nm
；
(2)
所述掺钨氧化铟层的厚度为
3nm
～
5nm
；
(3)
所述第二掺锡氧化铟层的厚度为
25nm
～
35nm
；
(4)
所述第三掺锡氧化铟层的厚度为
15nm
～
30nm
；
(5)
所述氧化铝锌层的厚度为
30nm
～
35nm
；
(6)
所述掺氟氧化锡层的厚度为
28nm
～
34nm
；
(7)
所述第四掺锡氧化铟层的厚度为
30nm
～
35nm。5.
根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括混合膜层，所述混合膜层位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王陈，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：