一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚

【技术实现步骤摘要】
一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法


[0001]本专利技术属于有机电子以及信息领域，具体涉及到一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法
。

技术介绍

[0002]忆阻器作为一个双端器件，根据其特有的阵列结构，可以进行大规模并行计算，并通过模仿大脑神经网络的复杂结构和智能信息处理模式来大幅度提高计算机的信息处理能力，增强计算机认知能力，有望克服目前冯
·
诺伊曼计算体系结构的基本限制
。
[0003]人的大脑大约包括
10
14
‑
10
15
个复杂突触连接，神经突触在外界信号刺激下按照一定的规则调整自身结构保持特定的突触权重以适应变化的外界环境称为突触可塑性，突触可塑性是大脑学习记忆功能的生物分子基础，外界信号刺激突触的过程是突触学习的过程，突触调整突触权重的过程是信息存储的过程，基于特定功能的基本元器件构建硬件架构是实现神经形态计算的重要途径
。
在这方面，人工突触已被证明能用许多器件来进行模拟，在此之中，忆阻器被认为是神经形态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，其特征在于：包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚
[2
‑
甲氧基
‑5‑
(2
‑
乙基己氧基
)
‑
1,4
‑
苯撑乙烯撑
]MEH
‑
PPV
，形成
MEH
‑
PPV
层；在
MEH
‑
PPV
层上真空蒸镀全氟酞菁铜
F
16
CuPc
，形成
F
16
CuPc
层；
MEH
‑
PPV
层和
F
16
CuPc
层组成异质结忆阻器的功能层
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于：包括，在基底表面生长一层底电极，并依次经过
ITO
清洗剂
、
超纯水清洗并烘干；将上述烘干的样品进行紫外臭氧处理
10
～
15min
，制得臭氧处理后的样品；将
MEH
‑
PPV
溶液在臭氧处理后的样品上旋涂，退火制得
MEH
‑
PPV
层；将处理好的样品放入真空蒸镀系统中，在样品表面蒸镀
F
16
CuPc
层，蒸镀结束后，保持真空状态待功能层冷却至室温；将样品放进真空蒸镀系统中，开始蒸镀顶电极；蒸镀结束后，保持真空状态待顶电极冷却至室温，得到基于双层结构的异质结忆阻器
。3.
如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述底电极材料为氧化铟锡，底电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雯，张旭，王宇，刘凯洋，仪明东，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：