太阳电池及其制备方法技术

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及其制备方法


[0001]本申请涉及光伏
，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着光伏技术的发展，太阳电池以结构简单
、
能够大面积沉积等特点逐渐进入大众视野
。
太阳电池正背两面的掺杂晶硅层均需要沉积相应的膜层以提高太阳电池的光电性能
。
然而现有膜层的制作工艺难以匹配掺杂晶硅层的制作工艺，导致降低掺杂晶硅层的吸收性能
、
电性能以及稳定性
。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有膜层的制作工艺难以匹配掺杂晶硅层的制作工艺，导致降低掺杂晶硅层的吸收性能
、
电性能以及稳定性的问题，提供一种太阳电池的制备方法
。
[0004]第一方面，本申请提供一种太阳电池的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在硅衬底的正面与背面分别制备第一掺杂晶硅层与第二掺杂晶硅层；在所述第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层，所述第一透明导电层包括
AZO
材料和
FTO
材料；在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层和第三透明导电层，所述第二透明导电层包括
VTTO
材料，所述第三透明导电层包括
IWO
材料
。
[0005]在其中一个实施例中，在所述第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层的步骤包括：
[0006]在所述第一掺杂晶硅层上依次制备第一子层
、
第二子层以及第三子层，所述第一子层包括
AZO
材料，所述第二子层包括
AZO
材料和
FTO
材料，所述第三子层包括
FTO
材料
。
[0007]在其中一个实施例中，通过同时磁控溅射
AZO
靶材和
FTO
靶材制备所述第二子层
。
[0008]在其中一个实施例中，所述第二子层的厚度为
3nm
～
7nm。
[0009]在其中一个实施例中，所述第三透明导电层还包括
ITO
材料，在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层
、
第三透明导电层的步骤包括：
[0010]在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层
、
第四子层以及第五子层，所述第四子层包括
IWO
材料，所述第五子层包括
ITO
材料
。
[0011]在其中一个实施例中，所述第四子层的厚度为
2nm
～
3nm。
[0012]在其中一个实施例中，所述制备方法包括以下步骤：
[0013]S1、
在所述硅衬底的所述正面与所述背面分别制备所述第一掺杂晶硅层与所述第二掺杂晶硅层；
[0014]S2、
在所述第二掺杂晶硅层上制备所述第二透明导电层；
[0015]S3、
在所述第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层；
[0016]S4、
在所述第二透明导电层上制备所述第三透明导电层
。
[0017]在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述第一透明导电层上制备第四透明导电层，所述第四透明导电层包括
VTTO
材料
。
[0018]在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在制备第一掺杂晶硅层与第二掺杂晶硅层之前，对所述硅衬底进行制绒；
[0019]以及在制绒后的所述硅衬底的所述正面制备第一本征层，在所述硅衬底的所述背面制备第二本征层，所述第一本征层位于所述硅衬底与所述第一掺杂晶硅层之间，所述第二本征层位于所述硅衬底与所述第二掺杂晶硅层之间
。
[0020]在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层和第三透明导电层的步骤之后，后处理以制作电极以使所述电极与所述第三透明导电层形成欧姆接触
。
[0021]第二方面，本申请还提供一种太阳电池，所述太阳电池为如第一方面所述的制备方法制备得到
。
[0022]在其中一个实施例中，所述太阳电池包括：
[0023]硅衬底；
[0024]依次层叠于所述硅衬底正面的第一掺杂晶硅层以及第一透明导电层；
[0025]依次层叠于所述硅衬底背面的第二掺杂晶硅层
、
第二透明导电层以及第三透明导电层
。
[0026]在其中一个实施例中，所述太阳电池还包括层叠于所述第一透明导电层上的第四透明导电层
。
[0027]在其中一个实施例中，所述太阳电池还包括第一本征层和第二本征层，所述第一本征层叠于所述硅衬底和所述第一掺杂晶硅层之间，所述第二本征层层叠于所述硅衬底和所述第二掺杂晶硅层之间；
[0028]以及电极，所述电极与所述第三透明导电层欧姆接触
。
[0029]本申请的制备方法，在第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层，第一透明导电层的
AZO
材料和
FTO
材料能够让第一掺杂晶硅层具有更优异的长波吸收性能，在第二掺杂晶硅层上制备第二透明导电层和第三透明导电层，第二透明导电层的
VTTO
材料能够实现更高的电流转化，使得第二掺杂晶硅层具有更好的导电性以及稳定性，第三透明导电层的
IWO
材料能够进一步提高载流子迁移率
。
由此，上述太阳电池的制备方法，能够充分结合各个透明导电层的性质，实现掺杂晶硅层与透明导电层之间的兼容性，使得透明导电层的加工工艺与掺杂晶硅层的加工工艺更加匹配，提高掺杂晶硅层的吸收性能
、
电性能以及稳定性
。
附图说明
[0030]图1为本申请实施例提供的一种太阳电池的制备方法的流程图
。
[0031]图2为本申请实施例一提供的太阳电池的结构示意图
。
[0032]附图标记说明：
100、
太阳电池；
101、
硅衬底；
102、
第一本征层；
103、
第一掺杂晶硅层；
104、
第一透明导电层；
1041、
第一子层；
1042、
第二子层；
1043、
第三子层；
105、
第四透明导电层；
106、
第二本征层；
107、
第二掺杂晶硅层；
108、
第二透明导电层；
109、
第三透明导电层；
1091、
第四子层；
1092、
第五子层；
110、
电极
。
具体实施方式
[0033]为使本申请的上述目的
、
特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在硅衬底的正面与背面分别制备第一掺杂晶硅层与第二掺杂晶硅层；在所述第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层，所述第一透明导电层包括
AZO
材料和
FTO
材料；在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层和第三透明导电层，所述第二透明导电层包括
VTTO
材料，所述第三透明导电层包括
IWO
材料
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一掺杂晶硅层上制备第一透明导电层的步骤包括：在所述第一掺杂晶硅层上依次制备第一子层
、
第二子层以及第三子层，所述第一子层包括
AZO
材料，所述第二子层包括
AZO
材料和
FTO
材料，所述第三子层包括
FTO
材料
。3.
根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，通过同时磁控溅射
AZO
靶材和
FTO
靶材制备所述第二子层
。4.
根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二子层的厚度为
3nm
～
7nm。5.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三透明导电层还包括
ITO
材料，在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层
、
第三透明导电层的步骤包括：在所述第二掺杂晶硅层上依次制备第二透明导电层
、
第四子层以及第五子层，所述第四子层包括
IWO
材料，所述第五子层包括
ITO
材料
。6.
根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第四子层的厚度为
2nm
～
3nm。7.
根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1、
在所述硅衬底的所述正面与所述背面分别制备所述第一掺杂晶硅层与所述第二掺杂晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王陈，任民鑫，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：