一种硅异质结太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅异质结太阳能电池的制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种硅异质结太阳能电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳电池
，尤其是涉及一种硅异质结太阳能电池的制备方法
。

技术介绍

[0002]在诸多类型的太阳电池中，硅异质结太阳电池因具有转换效率高
、
温度系数低
、
无
LID
及
PID
衰减等优点而逐渐在光伏产业确立显著的优势地位
。
硅异质结电池获得高效率的一个重要原因是本征非晶硅薄膜对晶硅衬底表面的优异钝化作用保证了电池的高开路电压
。
本征非晶硅薄膜对晶硅表面的钝化效果与薄膜沉积工艺密切相关，通过薄膜沉积工艺的优化以减少载流子在非晶硅
/
晶硅界面处的复合，提升界面钝化能力，从而提高电池开路电压；
[0003]现有技术中的太阳能电池制备过程中可以分为两类，其一是硅片正第二面通过光刻将干膜制造掩膜图形，在图形里电镀栅线后去除干膜制备铜栅线，这种技术方案相对成熟，缺点是材料比如干膜成本贵，量产成本高，其二是直接在正
、
>第二面有绒面的硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤
S10
：将硅片至于
KOH
溶液中反映，得到双面制绒结构的制绒硅片；制绒硅片第一面做一层保护膜，再放入
KOH
溶液中反应
1min
‑
20min
，制绒硅片第二面抛光；步骤
S20
：硅片第一面沉积第一层非晶硅，硅片第二面沉积第二层非晶硅；步骤
S30
：硅片第一面沉积第一层
TCO
导电薄膜，硅片第二面沉积第二层
TCO
导电薄膜；步骤
S40
：硅片第一面和第二面均采用真空溅射法，分别制备第一金属种子层和第二金属种子层；步骤
S50
：通过丝网印刷工艺分别在硅片第一面使用感光材料形成第一电镀掩膜，硅片第二面使用热固材料形成第二电镀掩膜，将硅片烘干，硅片第二面形成主栅和副栅的第二沟槽图形层，对硅片第一面进行曝光显影处理，再将得到的硅片第一面形成主栅和副栅相互垂直的第一沟槽图形层；步骤
S60
：在硅片边缘涂上一圈绝缘油墨；步骤
S70
：采用化学电镀处理在硅片第一面的第一沟槽图形层和第二面的第二沟槽图形层处均形成铜栅线，在铜栅线上进行电镀处理形成一层抗氧化金属层；步骤
S80
：通过
KOH
溶液，将硅片第一面感光掩膜和硅片第二面热固掩膜以及边缘的绝缘油墨去除干净；随后用酸性物质和氧化添加剂去除金属种子层，最终制得完整的异质结太阳电池
。2.
根据权利要求1所述的一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤
S10
中将硅片至于
KOH
溶液中反应具体为，将硅片放置于
0.5
％
‑
10
％浓度
KOH
溶液中，
50
‑
85℃
下反应
1min
‑
20min
，并且抛光后的硅片第二面反射率为
45
％
‑
50
％
。3.
根据权利要求1所述的一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤
S20
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，王伟，田宏波，李世岚，宿世超，邹思云，
申请(专利权)人：国电投新能源科技龙港有限公司，
类型：发明
国别省市：