预掺杂方法技术

本发明专利技术提供一种预掺杂方法

【技术实现步骤摘要】
预掺杂方法、图像传感器及形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种预掺杂方法
、
图像传感器及形成方法
。

技术介绍

[0002]CMOS
图像传感器具有工艺简单
、
易与其他器件集成
、
体积小
、
重量轻
、
功耗小
、
成本低等优点，已越来越多地取代
CCD
图像传感器应用于各类电子产品中
。
[0003]典型的
CMOS
图像传感器结构包括像素单元阵列，所述像素单元可以包括选择晶体管（
Select Transistor
，
SEL
）
、
复位晶体管（
Reset Transistor
，
RSET
）
、
转移晶体管（
Transfer Transistor
，
TX
）以及源跟随晶体管（
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种预掺杂方法，其特征在于，包括：对第一掩膜层的第一开口暴露的栅极层进行一次掺杂，采用自对准工艺形成具有第二开口的第二掩膜层并去除所述第一掩膜层，对所述第二开口暴露的所述栅极层进行二次掺杂
。2.
如权利要求1所述的预掺杂方法，其特征在于，所述自对准工艺包括：形成填充第一开口并覆盖所述第一掩膜层的所述第二掩膜层，平坦化所述第二掩膜层，去除所述第一掩膜层形成所述第二开口
。3.
如权利要求2所述的预掺杂方法，其特征在于，所述第二掩膜层的形成工艺包括沉积工艺
。4.
如权利要求2所述的预掺杂方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺和
/
或干法刻蚀工艺去除所述第一掩膜层
。5.
如权利要求4所述的预掺杂方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅及碳氮化硅中的一种，所述第二掩膜层的材料包括氧化硅
、
氮化硅
、
氮氧化硅及碳氮化硅中的另一种
。6.
如权利要求5所述的预掺杂方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氮化硅，所述第二掩膜层的材料包括氧化硅
。7.
一种图像传感器的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐涛，付文，郑展，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：