一种制造技术

本公开提供了一种

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件和电子设备


[0001]本公开涉及微机电制造
，具体而言，涉及一种
MEMS
器件和电子设备
。

技术介绍

[0002]微机电系统
(MEMS
：
Micro
‑
Electro
‑
mechanical System)
是基于微电子技术和超精密机械加工技术而发展起来的，将传感器
、
执行器
、
机械机构
、
信息处理和控制电路等集成于一体的集成微型器件或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级
。
与传统的器件相比，其具有可大批量生产
、
成本低
、
功耗少和集成化程度高等显著的特点
。
常用的
MEMS
器件包括加速度
、
压力
、
化学
、
流体传感器，以及微镜
、
陀螺仪等，广泛地应用于消费电子
、
通信<br/>、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MEMS
器件，其特征在于，包括：衬底，缓冲层，所述缓冲层设于所述衬底上，且具有振动腔；压电片，设于所述缓冲层上，至少覆盖部分所述振动腔；电极层，设于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；所述电极层包括第一触电结构
、
第二触电结构
、
第一控制电极
、
第二控制电极以及开关电极；所述第一控制电极
、
所述第二控制电极分别与所述压电片的两端电连接；悬臂梁，设于所述电极层远离衬底的一侧，且与所述电极层具有气腔；所述悬臂梁一端与所述第一触电结构电连接；所述悬臂梁被配置为，在所述开关电极上的电压控制下，另一端与所述第二触电结构接触或者不接触；所述悬臂梁与所述压电片至少部分交叠
。2.
根据权利要求1所述的
MEMS
器件，其特征在于，所述振动腔包括第一空腔以及第二空腔；所述第一空腔位于所述第二空腔靠近所述衬底的一侧，且所述第一空腔与所述第二空腔连通，其中，所述第一空腔在所述衬底上的正投影位于所述第二空腔在所述衬底上的正投影内，所述压电片位于所述第二空腔内，并至少覆盖部分所述第一空腔
。3.
根据权利要求1所述的
MEMS
器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为二氧化硅
、
氮化硅或氮氧化硅
。4.
根据权利要求1所述的
MEMS
器件，其特征在于，所述开关电极
、
所述第二触电结构与所述悬臂梁之间的距离均不大于
1.5
微米
。5.
根据权利要求1所述的
MEMS
器件，其特征在于，所述
MEMS
器件还包括：绝缘层，设于所述开关电极远离所述缓冲层的一侧，且暴露所述第二触电结构
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：