微机电压力传感器及其制备方法技术

本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
微机电压力传感器及其制备方法


[0001]本申请涉及传感器领域，尤其涉及一种微机电压力传感器及其制备方法
。

技术介绍

[0002]目前玩具
、
手机
、
平板
、
耳机等消费类电子产品越来越朝着智能方向发展，在其中增加了越来越多传感器以能够感知更多的物理量
。
其中，对于人体尤其手指等接触产生的应力或者压力的测量需求也逐渐增多
。
[0003]现有基于微机电系统（
Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System
，
MEMS
）技术的力传感器原理有压阻式和电容式，其中压阻式通常有三种方式实现：1）金属共晶键合
。
例如，将带有
MEMS
图形的硅晶圆和充当硅帽的晶圆进行金属共晶键合，然后进行引线键合和包封
。
但是此共晶键合需要昂贵的设备，成本高
。2
）硅
‑
硅键合，并进行
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微机电压力传感器，其特征在于，包括：第一衬底（
10
）；压敏感应组件（
11
），所述压敏感应组件（
11
）位于所述第一衬底（
10
）的一侧；所述压敏感应组件（
11
）包括压敏电阻（
111
）；第一介质层（
12
），所述第一介质层（
12
）位于所述压敏感应组件（
11
）远离所述第一衬底（
10
）的一侧；所述第一介质层（
12
）内设有空腔（
121
），所述空腔（
121
）贯穿所述第一介质层（
12
）；所述空腔（
121
）在所述第一衬底（
10
）上的正投影覆盖所述压敏电阻（
111
）在所述第一衬底（
10
）上的正投影；第二衬底（
20
），所述第一介质层（
12
）与所述第二衬底（
20
）朝向所述第一衬底（
10
）的一侧键合
。2.
根据权利要求1所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：第二介质层（
13
），所述第二介质层（
13
）位于所述第一衬底（
10
）和所述第一介质层（
12
）之间；第一过孔（
14
），所述第一过孔（
14
）贯穿所述第二介质层（
13
）
。3.
根据权利要求2所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：走线（
15
），所述走线（
15
）位于至少部分所述第二介质层（
13
）远离所述第一衬底（
10
）的一侧面，以及第一过孔（
14
）内；所述压敏感应组件（
11
）还包括引线（
112
）：所述引线（
112
）与压敏电阻（
111
）电连接；所述走线（
15
）通过所述第一过孔（
14
）与所述引线（
112
）电连接
。4.
根据权利要求3所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：第二过孔（
21
），所述第二过孔（
21
）贯穿所述第二衬底（
20
）和所述第一介质层（
12
）；金属层（
22
），所述金属层（
22
）位于至少部分所述第二衬底（
20
）远离所述第一介质层（
12
）的一侧面和所述第二过孔（
21
）内，所述金属层（
22
）通过所述第二过孔（
21
）与所述走线（
15
）电连接
。5.
根据权利要求4所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：氧化层（
23
），所述氧化层（
23
）位于所述第二衬底（
20
）和所述金属层（
22
）之间，以及所述第二过孔（
21
）的侧壁和所述金属层（
22
）之间；钝化层（
24
），所述钝化层（
24
）位于所述金属层（
22
）远离所述第二衬底（
20
）的一侧面
。6.
根据权利要求5所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：第三过孔（
241
），所述第三过孔（
241
）贯穿所述钝化层（
24
）；键合层（
25
），键合层（
25
）位于所述第三过孔（
241
）内，所述键合层（
25
）与所述金属层（
22
）通过所述第三过孔（
241
）电连接；焊球（
26
），所述焊球（
26
）位于所述键合层（
25
）远离所述金属层（
22
）的一侧，所述焊球（
26
）与所述键合层（
25
）电连接
。7.
根据权利要求6所述的微机电压力传感器，其特征在于，还包括：力承载部（
30
），所述力承载部（
30
）设置在所述第一衬底（
10
）远离所述第一介质层（
12
）的一侧；线路板（
40
），所述线路板（
40
）与所述焊球（
26
）电连接；塑封部（
50
），所述塑封部（
50
）位于所述线路板（
40
）朝向所述力承载部（
30
）的一侧
。
8.
根据权利要求7所述的微机电压力传感器，其特征在于，所述力承载部（
30
）在所述第一衬底（
10
）上的正投影与所述空腔（
121
）在所述第一衬底（
10
）上的正投影至少部分重叠
。9.
根据权利要求2所述的微机电压力传感器，其特征在于，所述第二介质层（
13
）包括层叠设置的第一子介质层（
131
）和第二子介质层（
132
），所述第一子介质层（
131
）位于靠近所述第一衬底（
10
）的一侧
。10.
根据权利要求1所述的微机电压力传感器，其特征在于，沿所述第一衬底（
10
）的厚度方向（
X
），所述空腔（
121
）具有高度
H
，所述第一介质层（
12
）具有第一厚度
M
，满足：
H≤M。11.
一种微机电压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底（
10
）；提供压敏感应组件（
11
），所述压敏感应组件（
11
）位于所述第一衬底（
10
）的一侧，所述压敏感应组件（
11
）包括压敏电阻（
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕萍，李刚，
申请(专利权)人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：