一种制造技术

本发明专利技术提供了一种

【技术实现步骤摘要】
一种S型反相器链电荷共享测试结构


[0001]本专利技术涉及共享测试结构领域，具体而言，涉及一种
S
型反相器链电荷共享测试结构
。

技术介绍

[0002]PMOS
电荷共享的分离测量的
S
型反相器链电荷共享测试结构
。
在重离子试验中，电子器件面临着许多挑战，如电荷共享
、
单粒子效应等
。
为了解决这些问题，需要一种有效的测试结构
。S
型反相器链
(SLIC)
测试结构是一种被广泛使用的测试结构，但是现有的
SLIC
测试结构不能够分离测量轰击
NMOS
和轰击
PMOS
的电荷共享效应，这限制了其在重离子试验中的应用；
[0003]因此我们对此做出改进，提出一种
S
型反相器链电荷共享测试结构；本专利技术提供的
S
型反相器链电荷共享测试结构能够分离测量轰击
NMOS
和轰击
PMOS
的电荷共享效应，在重离子试验中具有较高的应用价值
。
同时，该测试结构具有较高的测量精度和稳定性，可靠性较高
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于：针对目前存在的
技术介绍
提出的问题
。
为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案：一种
S
型反相器链电荷共享测试结构，包括电路的版图测试结构，所述电路的版图结构用于轰击
NMOS
和轰击
PMOS
电荷共享的分离测量，所述电路的版图测试结构由
16
个
200
级
SLIC
组成，分为4个相同的组，每个组包含4个
200
级
SLIC
，每个反相器链的布局结构与电路结构相似，且相邻的反相器或晶体管在逻辑或原理图中是相邻的，所述电路的版图测试结构包括四个片上集捕获电路，每个集捕获电路独立工作，具有
120
级的自触发触发器
(FF)
链，测量范围为
32ps
‑
1.28ns(80
×
16ps)
，测量分辨率为
16ps。
[0005]作为本专利技术优选的技术方案，所述电路的版图测试结构，每个反相器链通过
OR4
门连接到同一
SET
捕获电路，进行电路的布线，将各个组件之间的连线完成，以降低
PIPB
效应的影响
。
[0006]作为本专利技术优选的技术方案，所述电路的版图测试结构，连接电路的输入和输出引脚；将每个反相器的输出引脚连接到下一个反相器的输入引脚，直到达到最后一个反相器，将
OR4
门的四个输入引脚分别连接到最后一个反相器链的四个反相器的输出引脚，连接
OR4
门的输出引脚到
SET
捕获电路
。
[0007]作为本专利技术优选的技术方案，所述电路的版图测试结构，用于在重离子试验中分离测量轰击
NMOS
和轰击
PMOS
的电荷共享效应
。
[0008]作为本专利技术优选的技术方案，所述电路的版图测试结构，包括一个
NMOS
和一个
PMOS
，并对
NMOS
和
PMOS
进行合理布局，连接电路的输入和输出引脚；将输入引脚连接到适当的信号源，将输出引脚连接到测量电路或其他需要进行观测的部分
。
[0009]作为本专利技术优选的技术方案，所述电路的版图测试结构，电路的设计规则检查
(DRC)
和布局规则检查
(LVS)
，具有较高的测量精度和稳定性，可靠性较高
。
[0010]作为本专利技术优选的技术方案，还包括反相器链，所述反相器链是由一系列连接在一起的反相器组成的；每个反相器都是一个基本的逻辑门，它接收一个输入信号，并将其反转输出；当一个反相器的输出被连接到下一个反相器的输入时，将形成一个反馈回路，将信号从一个反相器传递到下一个反相器
。
[0011]作为本专利技术优选的技术方案，相邻的所述反相器或晶体管一般被放置在接近的位置，为了最小化电路中的延迟和电路面积；相邻的反相器之间通过金属连线进行连接，信号在它们之间传递
。
[0012]作为本专利技术优选的技术方案，输入信号到达第一个反相器时，它将被反转并传递给下一个反相器；每个反相器都将输入信号进行反转并传递给下一个反相器，直到信号到达最后一个反相器；最后一个反相器将反转的信号作为输出信号，并将其传递到连接的电路中
。
[0013]作为本专利技术优选的技术方案，所述反相器链实现逻辑功能，并将信号传递给其他部分的电路；在测试结构中，每个组包含4个
200
级
SLIC
，每个
SLIC
都包含一个反相器链
。
[0014]作为本专利技术的优选方案，所述反相器链的级数
、
组数
、
反相器延时
、
测量分辨率均可以根据实际电路修改
。
上述中的具体级数为方便理解的实施案例
。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：在本专利技术的方案中：本专利技术的测试结构由
16
个
200
级
SLIC
组成，分为4个相同的组，每个组包含4个
200
级
SLIC。
每个反相器链的布局结构与电路结构相似，且相邻的反相器或晶体管在逻辑或原理图中是相邻的
。
测试结构中包括四个片上集捕获电路，每个集捕获电路独立工作，具有
120
级的自触发触发器
(FF)
链，测量范围为
32ps
‑
1.28ns(80
×
16ps)
，测量分辨率为
16ps。
每个反相器链通过或门
(OR4)
连接到同一
SET
捕获电路，以降低
PIPB
效应的影响
。
附图说明
[0016]图1为本专利技术提供的电路的版图结构示意图；
[0017]图2为本专利技术提供的反相器或晶体管原理图；
[0018]图3为本专利技术提供的反相器或晶体管逻辑图；
[0019]图4为本专利技术提供的捕获
SET
的示意图
。
具体实施方式
[0020]为使本专利技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整的描述
。
显然，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
S
型反相器链电荷共享测试结构，包括电路的版图测试结构，其特征在于，所述电路的版图结构用于轰击
NMOS
和轰击
PMOS
电荷共享的分离测量，所述电路的版图测试结构由
16
个
200
级
SLIC
组成，分为4个相同的组，每个组包含4个
200
级
SLIC
，每个反相器链的布局结构与电路结构相似，且相邻的反相器或晶体管在逻辑或原理图中是相邻的，所述电路的版图测试结构包括四个片上集捕获电路，每个集捕获电路独立工作，具有
120
级的自触发触发器
(FF)
链，测量范围为
32ps
‑
1.28ns(80
×
16ps)
，测量分辨率为
16ps。2.
根据权利要求1所述的一种
S
型反相器链电荷共享测试结构，其特征在于，所述电路的版图测试结构，每个反相器链通过
OR4
门连接到同一
SET
捕获电路，进行电路的布线，将各个组件之间的连线完成，以降低
PIPB
效应的影响
。3.
根据权利要求2所述的一种
S
型反相器链电荷共享测试结构，其特征在于，所述电路的版图测试结构，连接电路的输入和输出引脚；将每个反相器的输出引脚连接到下一个反相器的输入引脚，直到达到最后一个反相器，将
OR4
门的四个输入引脚分别连接到最后一个反相器链的四个反相器的输出引脚，连接
OR4
门的输出引脚到
SET
捕获电路
。4.
根据权利要求3所述的一种
S
型反相器链电荷共享测试结构，其特征在于，所述电路的版图测试结构，用于在重离子试验中分离测量轰击
NMOS
和轰击
PMOS
的电荷共享效应

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏程，郭阳，陈建军，梁斌，宋睿强，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：