金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括：金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板包括衬底

【技术实现步骤摘要】
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
。

技术介绍

[0002]液晶显示面板具有画质好
、
体积小
、
重量轻
、
低驱动电压
、
低功耗
、
无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位
。
[0003]液晶显示面板由对置的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光基板及填充在两者之间液晶分子组成
。
制作薄膜晶体管阵列基板需要经历多道的沉积
、
光刻与蚀刻等工艺，以制作出薄膜晶体管的栅极
、
栅极绝缘层
、
半导体层
、
源极
/
漏极，以及像素电极和保护层等
。
[0004]以金属氧化物制作半导体层的薄膜晶体管阵列基板中，由于源极
/
漏极要通过蚀刻阻挡层上的通孔与金属氧化物半导体层接触连接，当源极...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板包括衬底
(110)、
层叠设置在所述衬底
(110)
上的金属氧化物半导体层
(140)
和蚀刻阻挡层
(150)
；以及在所述蚀刻阻挡层
(150)
上使用同一个光罩
(300)
图案化形成桥接层
(160)
和初始金属层
(170A)
；其中，形成的所述桥接层
(160)
包括间隔设置的第一桥接图案
(161)
和第二桥接图案
(162)
，所述蚀刻阻挡层
(150)
上设有第一通孔
(150a)
和第二通孔
(150b)
，所述第一桥接图案
(161)
通过所述第一通孔
(150a)
与所述金属氧化物半导体层
(140)
接触连接，所述第二桥接图案
(162)
通过所述第二通孔
(150b)
与所述金属氧化物半导体层
(140)
接触连接；形成的所述初始金属层
(170A)
包括初始源极
(171A)
和初始漏极
(172A)
，所述初始源极
(171A)
层叠设置在所述第一桥接图案
(161)
上，所述初始漏极
(172A)
层叠设置在所述第二桥接图案
(162)
上
。2.
如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，当所述初始金属层
(170A)
需要拔膜返工时，所述制作方法还包括：去除所述初始金属层
(170A)
；以及在所述桥接层
(160)
上图案化形成重置金属层
(170)
，所述重置金属层
(170)
包括间隔设置的重置源极
(171)
和重置漏极
(172)
，所述重置源极
(171)
层叠设置在所述第一桥接图案
(161)
上，所述重置漏极
(172)
层叠设置在所述第二桥接图案
(162)
上
。3.
如权利要求2所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板具有显示区域
(101)
和非显示区域
(102)
；所述金属氧化物半导体层
(140)
位于所述显示区域
(101)
；所述金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板还包括栅极金属层
(120)
，所述栅极金属层
(120)
包括位于所述显示区域
(101)
的栅极
(121)
和位于所述非显示区域
(102)
的第一周边导线
(122)
，所述栅极
(121)
位于所述金属氧化物半导体层
(140)
的上方或下方；所述桥接层
(160)
还包括位于所述非显示区域
(102)
的第三桥接图案
(163)
，所述蚀刻阻挡层
(150)
还设置在所述非显示区域
(102)
并具有第三通孔
(150c)
，所述第三桥接图案
(163)
通过所述第三通孔
(150c)
与所述第一周边导线
(122)
接触连接；所述初始金属层
(170A)
还包括重叠设置所述第三桥接图案
(163)
上的初始第二周边导线
(173A)
，所述制作方法还包括：在去除所述初始金属层
(170A)
时，还包括去除所述初始第二周边导线
(173A)
；以及在图案化形成重置金属层
(170)
时，所述重置金属层
(170)
还包括重置第二周边导线
(173)
，所述重置第二周边导线
(173)
重叠设置在所述第三桥接图案
(163)
上
。4.
如权利要求3所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板还包括栅极绝缘层
(130)
，所述栅极金属层
(120)
形成在所述衬底
(110)
上，所述栅极绝缘层
(130)
形成在所述衬底
(110)
上并覆盖所述栅极金属层
(120)
，所述金属氧化物半导体层
(140)
形成在所述栅极绝缘层
(130)
上，所述蚀刻阻挡层
(150)
形成在所述栅极绝缘层
(130)
上并覆盖所述金属氧化物半导体层
(140)
，所述桥接层
(160)
形成在所述蚀刻阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李博丹，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
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