显示面板、阵列基板及其制作方法技术

本申请公开了一种显示面板、阵列基板及其制作方法，该方法包括：S10：提供衬底基板，在衬底基板上形成第一金属层，采用第一道光罩对第一金属层进行图案化处理以形成栅极，在栅极和衬底基板上依次形成栅极绝缘层、半导体层以及第二金属层，栅极绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅；第二金属层包括第一区域和第二区域；S20：采用第二道光罩对第一区域的第二金属层以及半导体层进行图案化处理以形成源极、漏极以及非晶硅岛；其中，在阵列基板的正投影方向，非晶硅岛的边缘大于源极和漏极的边缘；S25：采用第三道光罩对第二区域的第二金属层进行图案化形成走线区。本申请结合4Mask工艺和5Mask工艺，从而提高良率、加强膜层结构。从而提高良率、加强膜层结构。从而提高良率、加强膜层结构。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、阵列基板及其制作方法


[0001]本申请涉及显示
，具体是涉及一种显示面板、阵列基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着液晶显示面板的技术日益成熟，掩膜版(Photo mask)，又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微电子制造，显示器制造中光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形并通过曝光将图形转印到产品基板上。现有5Mask工艺良率较稳定，膜层结构也更优秀，但是投入的人力、时间成本太大，产能不高。4Mask工艺产能更高，层叠覆盖效果会更好，但是对工艺的要求更高，良率也较低，膜层结构相比5Mask工艺更差。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供一种显示面板、阵列基板及其制作方法，以解决现有技术中5Mask工艺存在的成本高、产能低，以及4Mask工艺存在的工艺要求高、良率低的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
[0005]S10：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成第一金属层，采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成第一金属层，采用第一道光罩工艺对所述第一金属层进行图案化处理以形成栅极，在所述栅极和所述衬底基板上依次形成栅极绝缘层、半导体层以及第二金属层，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅；其中，所述第二金属层包括第一区域和第二区域；S20：采用第二道光罩工艺对所述第一区域的第二金属层以及所述半导体层进行图案化处理以形成源极、漏极以及非晶硅岛；其中，在所述阵列基板的正投影方向，所述非晶硅岛的边缘大于所述源极的边缘以及所述漏极的边缘；S25：采用第三道光罩对所述第二区域的第二金属层进行图案化，以形成走线区；S30：在所述栅极绝缘层、所述源极以及所述漏极上形成钝化层，采用第四道光罩工艺对所述钝化层进行图案化处理，以形成过孔；以及S40：采用第五道光罩工艺在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤S20包括以下步骤：S201：在所述第一区域的第二金属层上涂覆光阻材料；S202：采用所述第二道光罩对所述光阻材料曝光显影以形成第一光阻层；S203：刻蚀去除所述第一光阻层未覆盖的所述第一区域的第二金属层；S204：对所述第一光阻层进行灰化处理以形成第二光阻层，所述第二光阻层对应于所述源极和所述漏极；S205：对所述第一区域的第二金属层进行刻蚀处理以形成所述源极和所述漏极；S206：剥离所述第二光阻层；以及S207：刻蚀去除未被所述源极以及所述漏极遮盖的所述半导体层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体层包括非晶硅层和N+非晶硅层，步骤S207还包括，刻蚀去除所述沟道区的所述N+非晶硅层以露出所述非晶硅层。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一区域的第二金属层对应于晶体管区域的元件区；所述第二区域的第二金属层对应于晶体管区域的所述走线区。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤S25包括以下步骤：S251：在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王睿轩，谢俊烽，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：