阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法技术

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括衬底和阵列层。阵列层包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管的第一栅极位于第一有源层远离衬底的一侧，形成顶栅结构。第二晶体管的第二栅极位于第二有源层靠近衬底的一侧，形成底栅结构。阵列层的第一极板和第二极板形成电容，且第一极板和第二栅极同层设置，第一极板和第二栅极能够同步制备。至少部分第二极板和第二有源层同层设置，第二极板和第二有源层能够同步制备。第一极板和第二极板能够分别与第二栅极和第二有源层同步制备，减少显示面板的制程，简化制备工艺，降低成本，提升显示面板良率。提升显示面板良率。提升显示面板良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高，低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)技术逐渐成为未来显示基板的主要发展方向。由于低温多晶硅(Low Temperature Poly
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Silicon，LTPS)晶体管迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，金属氧化物晶体管具有更低的泄漏电流，该技术将低温多晶硅晶体管和金属氧化物晶体管这两种晶体管的优势相结合，有助于高分辨率、低功耗、高画质的显示产品的开发。
[0003]在相关技术中，与制备低温多晶硅显示面板相比，制备LTPO显示面板需要更多的膜层，制备完成低温多晶硅晶体管之后，将铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)沉积在低温多晶硅晶体管上方以形成氧化物晶体管。LTPO显示面板的制程复杂，导致良率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；阵列层，位于所述衬底一侧，所述阵列层包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层和第一栅极，所述第一栅极位于所述第一有源层远离所述衬底一侧；所述第二晶体管包括第二有源层和第二栅极，所述第二栅极位于所述第二有源层靠近所述衬底一侧；所述第一有源层包括多晶氧化物半导体，所述第二有源层包括氧化物半导体；所述阵列层包括电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二栅极同层设置，至少部分所述第二极板与所述第二有源层同层设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列层还包括：源漏极层，位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括第一源漏极和第二源漏极，所述第一源漏极位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第二源漏极位于所述第二有源层远离所述衬底的一侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括开关晶体管，所述开关晶体管包括第一导电部，所述第一导电部位于所述第一源漏极和所述第一有源层之间，所述第一导电部与所述第二有源层同层设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电部与所述第一有源层过孔连接；所述第二源漏极和第二有源层接触连接。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管还包括驱动晶体管，在所述驱动晶体管中，所述第一源漏极与所述第一有源层过孔连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括像素驱动电路和电源电路，所述驱动晶体管设置于所述像素驱动电路，所述开关晶体管设置于所述电源电路。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电容包括第一电容和第二电容，所述第一电容的所述第二极板包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分远离所述衬底的一侧；所述第一部分与所述第二有源层同层设置，所述第二部分与所述源漏极层同层设置；所述第二电容的所述第二极板与所述第二有源层同层设置。8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：平坦化层，位于所述源漏极层背离所述衬底的一侧，所述平坦化层上开设有多个过孔，所述第一源漏极和所述第二源漏极均由所述过孔露出；第一金属层，位于所述平坦化层背离所述衬底的一侧，所述第一金属层通过所述过孔与所述源漏极层电连接。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板和所述第一栅极同层设置。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：阻挡层，位于所述第一金属层背离所述衬底的一侧，所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，李祥远，李暻洙，王冰，
申请(专利权)人：厦门天马显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：