一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法技术

一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上形成TFT器件，所述TFT器件的绝缘层均采用的是SiOx，并在所述TFT器件上方形成相应的有机平坦层，所述有机平坦层上形成第一绝缘层；图案化出公共电极层；在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层作为像素电容，所述第二绝缘层分两次成膜，第一次成膜SiOx绝缘层，第二次成膜SiNx绝缘层，第二次干蚀刻第二绝缘层进行图案化，蚀刻掉未被SiNx保护的下方SiOx。本发明专利技术的绝缘层变更膜质搭配，并分两次曝光显影蚀刻，避开同一位置的光阻气泡，可有效避免此制程异常，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法


[0001]本专利技术属于显示装置的制备
，具体是指一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法。

技术介绍

[0002]IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT
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LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。
[0003]现有的array制造工艺是通过一层层金属膜层、无机绝缘膜层、半导体膜层及透明导电膜层堆叠而成，不同的膜层堆叠模式设计就会延伸出各种具有不同功能的array基板。现有的IGZOTFT制程的Array像素电容更多采用的是SiOx，主要因为SiOx搭配的IGZOTFT器件其电学特性更为稳定，同时阵列基板的栅极绝缘层、TFT器件钝化保护层均采用的是SiOx。但由于面板在设计过程中不同位置需要干蚀刻不同厚度的非金属绝缘层，存在深浅孔的问题，深孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过多次成膜避免短接的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：在玻璃基板上形成TFT器件，所述TFT器件的绝缘层均采用的是SiOx，并在所述TFT器件上方形成相应的有机平坦层，所述有机平坦层上形成第一绝缘层；第二步：图案化出公共电极层；第三步：在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层作为像素电容，所述第二绝缘层分两次成膜，第一次成膜SiOx绝缘层，其成膜气体为SiH4和N2O，厚度在总厚度的80
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90％之间；第二次成膜SiNx绝缘层，其成膜气体为SiH4和NH3，厚度在总厚度的10
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20％之间；第四步：进行第一次曝光显影制程：曝光显影出像素电极层与源漏极的接触孔；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，金剑辉，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：