一种电容式触摸屏制造技术

技术编号:39830543 阅读:8 留言:0更新日期:2023-12-29 16:11
本发明专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
一种电容式触摸屏ITO薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及
ITO
薄膜制备
,具体为一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法


技术介绍

[0002]ITO
薄膜作为一种性能优良的透明导电薄膜,已在电子

电气

信息和光学各个领域得到广泛的应用,如平板显示器的电极

窗玻璃防雾发热膜

节能红外线反射膜

太阳能电池的电极

太阳光热器的选择性投射膜,以及光波选择器

保护涂层

气体传感器等,但是
ITO
薄膜因其可挠性差在应用方面受到诸多限制


技术实现思路

[0003]专利技术目的:针对上述技术问题,本专利技术提出了一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法

[0004]所采用的技术方案如下:
[0005]一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法:先制备碳纳米管薄膜,再将碳纳米管薄膜于
ITO
溶胶中浸渍,取出后再进行干燥及热处理即可

[0006]进一步地,所述电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,具体如下:
[0007]S1
:将铟盐

锡盐

乙醇胺
、4

二甲氨基吡啶r/>、
溶剂作为原料制备得到
ITO
溶胶;
[0008]S2
:将碳纳米管

分散剂

水混合超声分散后离心,取上层清液,加入离子液体和导电聚合物得到碳纳米管分散液,利用喷涂法将所述碳纳米管分散液喷涂在基板上,所述基板的温度为
105

120℃
,从基板上取下形成的碳纳米管薄膜;
[0009]S3
:将所述碳纳米管薄膜于
ITO
溶胶中浸渍提拉数次,取出后干燥,再进行热处理,热处理温度为
400

420℃
,热处理时间为
30

60min

[0010]S1、S2
无先后顺序

[0011]进一步地,
S1
中所述铟盐为氯化铟或硝酸铟,所述锡盐为四氯化锡

[0012]进一步地,
S1
中所述溶剂包括乙酰丙酮和乙酸酐

[0013]进一步地,
S2
中所述碳纳米管为环氧化碳纳米管

[0014]进一步地,所述环氧化碳纳米管的制备方法如下:
[0015]将羧基化碳纳米管加入有机溶剂中,超声分散均匀加入
KH

560
,升温至回流反应5‑
10h
后,过滤,洗涤后干燥即可

[0016]进一步地,所述分散剂包括十二烷基苯磺酸钠和羧甲基纤维素钠,所述十二烷基苯磺酸钠和羧甲基纤维素钠的重量比为1‑5:1‑
5。
[0017]进一步地,所述离子液体为氯化1‑
丁基
‑3‑
甲基咪唑

溴化1‑
丁基
‑3‑
甲基咪唑
、1

丁基
‑3‑
甲基咪唑四氟硼酸盐
、1

丁基
‑3‑
甲基咪唑甲磺酸盐

氯化1‑
己基
‑3‑
甲基咪唑

溴化1‑
己基
‑3‑
甲基咪唑
、1

己基
‑3‑
甲基咪唑四氟硼酸盐
、1

己基
‑3‑
甲基咪唑甲磺酸盐中的任意一种或多种组合

[0018]进一步地,所述导电聚合物为聚
(3,4

乙烯二氧基噻吩
)

聚苯乙烯磺酸

[0019]进一步地,热处理时的升温速度为1‑
15℃/min。
[0020]本专利技术的有益效果:
[0021]本专利技术提供了一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,以碳纳米管薄膜为芯层,使
ITO
溶胶在其上成膜,有助于提高所形成
ITO
薄膜的可挠性,而且由于碳纳米管良好的光学透明度,对
ITO
薄膜的透光性影响甚微,离子液体和导电聚合物的加入降低了碳纳米管的面电阻,通过对碳纳米管改性引入环氧基,在热处理时可以与乙醇胺

乙酸酐相互间发生化学反应,使碳纳米管薄膜与
ITO
溶胶结合更加紧密,也有助于
ITO
溶胶成膜,降低氧化铟锡的团聚倾向,避免光电性能的下降,本专利技术所提供的
ITO
薄膜具有较高的透光度和较低的电阻率,且可挠性良好

附图说明
[0022]图1为实施例1中所制备
ITO
薄膜的结构示意图,图中标号1代表碳纳米管薄膜,其位于
ITO
薄膜的中心,被
ITO
纳米晶粒包覆形成“三明治”结构

具体实施方式
[0023]实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行

所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品

本专利技术未提及的技术均参照现有技术,除非特别指出,以下实施例和对比例为平行试验,采用同样的处理步骤和参数

[0024]实施例1:
[0025]一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法:
[0026]S1
:将
300.8g
硝酸铟加入到
5.8L
乙酰丙酮中,超声振荡
30min
使混合均匀,搅拌加热至回流
1.5h
,用激光照射溶液时可在垂直光照方向上观察到明亮的光路,停止搅拌和加热得到铟溶胶,将
26g
四氯化锡加入
51mL
乙酸酐中混匀得到锡溶液,将
5g
三乙醇胺
、0.1g 4

二甲氨基吡啶加入
20mL
乙酰丙酮中混匀得到混合溶液,将锡溶液和混合溶液缓慢滴加入铟溶胶中,滴毕后搅拌
0.5h
得到
ITO
溶胶;
[0027]S2
:将
10g
羧基化碳纳米管加入
250mL
乙酸乙酯中,超声分散
30m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,其特征在于,制备碳纳米管薄膜,将碳纳米管薄膜于
ITO
溶胶中浸渍,取出后再进行干燥及热处理即可
。2.
如权利要求1所述的电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,其特征在于,具体如下:
S1
:将铟盐

锡盐

乙醇胺
、4

二甲氨基吡啶

溶剂作为原料制备得到
ITO
溶胶;
S2
:将碳纳米管

分散剂

水混合超声分散后离心,取上层清液,加入离子液体和导电聚合物得到碳纳米管分散液,利用喷涂法将所述碳纳米管分散液喷涂在基板上,所述基板的温度为
105

120℃
,从基板上取下形成的碳纳米管薄膜;
S3
:将所述碳纳米管薄膜于
ITO
溶胶中浸渍提拉数次,取出后干燥,再进行热处理,热处理温度为
400

420℃
,热处理时间为
30

60min

S1、S2
无先后顺序
。3.
如权利要求2所述的电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,其特征在于,
S1
中所述铟盐为氯化铟或硝酸铟,所述锡盐为四氯化锡
。4.
如权利要求2所述的电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,其特征在于,
S1
中所述溶剂包括乙酰丙酮和乙酸酐
。5.
如权利要求2所述的电容式触摸屏
ITO
薄膜的制备方法,其特征在于,
S2
中所述碳纳米管为环氧化碳纳米管
。6.
如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:龙文易国安
申请(专利权)人:冷水江市京科电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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