一种利用直流电场培养豆芽的方法及豆芽技术

本发明专利技术公开了一种利用直流电场培养豆芽的方法及豆芽，所述方法包括，将完成浸豆操作的豆种置于预设强度以及方向的直流电场中避光培养；培养完成得到豆芽产品

【技术实现步骤摘要】
一种利用直流电场培养豆芽的方法及豆芽


[0001]本专利技术涉及无土培养豆芽
，特别涉及一种利用直流电场培养豆芽的方法及豆芽
。

技术介绍

[0002]一般情况下，生产豆芽采用传统的发芽方式，即不添加添加剂和其它化学物质，使绿豆在适宜的环境条件下进行萌发
。
但随着技术的进步，越来越多的发芽方式在工业化生产中得以应用，如添加植物生长调节剂
、
进行压力处理，外加物理场等
。
植物生长调节剂是一种化学合成或微生物发酵产生的活性化合物，其分子结构和生理效应与天然植物激素类似
。
这些调节剂被引入到目标植物中，作为一种外源的非营养性化学物质，通常能够以极低的浓度促进或抑制植物生命周期的某些阶段，使之符合人类需求
。
随着植物生长调节剂的广泛应用，其残留问题也逐渐凸显
。
为了提高农作物产量，施用大量的植物生长调节剂，不仅会造成农产品质量安全隐患，还会对土壤造成破坏
。
[0003]基于此，研究一种高效
、
安全的豆芽培养技术，提高豆芽质量和产量的同时保障食品的安全，对促进食品工业安全具有重要的现实意义，也是亟需解决的技术问题
。
[0004]同时，研究植物生长的条件和影响因素对于改善食品产量和食品安全保护至关重要
。
直流电场作为一种潜在的生长影响因素，尚未得到充分研究和利用
。
因此，需要一种方法来探究直流电场对豆芽生长的影响，从而扩展对植物生长的了解
。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术的弊端，以及针对豆芽市场中6‑
苄基腺嘌呤滥用导致的“毒豆芽”问题，本专利技术设计了一种能提高豆芽产量和品质的同时，保障豆芽的食用安全的方法
。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种利用直流电场培养豆芽的方法，包括，
[0007]将完成浸豆操作的豆种置于预设强度以及方向的直流电场中避光培养；
[0008]培养完成得到豆芽产品
。
[0009]进一步地，所述直流电场的强度为
0.05
～
0.15kV/cm。
[0010]进一步地，所述直流电场相对于所述豆种的方向包括平行和垂直
。
[0011]进一步地，所述浸豆操作包括，
[0012]使用
65
～
80℃
水将豆种浸烫2～
3min
，随后在避光条件下将浸烫完成的豆种在
20
～
30℃
水中浸泡6～
12h。
[0013]进一步地，所述豆种为当年成熟的
、
颗粒饱满的
、
且无冲蚀和破损的完整豆种
。
[0014]进一步地，所述避光培养的温度为
20
～
30℃。
[0015]进一步地，所述避光培养的时间为4天
。
[0016]本专利技术也提供了一种豆芽，采用上述的利用直流电场培养豆芽的方法得到
。
[0017]相对于现有技术，本专利技术具有以下的有益效果：
[0018](1)
在豆芽培养的工业化生产中常使用植物生长调节剂等化学物质，本专利技术采用
直流电场作为影响因素，无需添加化学物质，从而降低了农产品中化学残留物的风险，提高了食品安全性，对食品工业的安全和可持续发展具有积极影响；
[0019](2)
本专利技术研究了不同方向以及不同强度的直流电场对绿豆芽生长的影响，结果表明在合适的直流电场的存在下均可以提高绿豆芽的生长速度和产量，从而增加了食品产量，提高了食品生产效率
。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0021]图1示出了本专利技术利用直流电场培养豆芽的方法的原理图；
[0022]图2示出了本专利技术利用直流电场对豆芽进行培养的示意图；
[0023]图3示出了本专利技术电场与豆种的方向示意图
。
具体实施方式
[0024]在本专利技术中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值
。
对于数值范围来说，各个范围的端点值之间
、
各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本专利技术中具体公开
。
[0025]鉴于在豆芽培养中使用植物生长调节剂对于人体存在潜在的风险以及直流电场作为一种潜在的生长影响因素，尚未得到充分研究和利用
。
本专利技术的设计原理如图1所示，通过在传统的豆芽培养中添加额外的直流电场，培养过程的示意图如图2所示，并研究不同方向以及不同强度的直流电场对于豆芽生长的影响，以得到能促进豆芽生长的最佳方法
。
[0026]在本专利技术的实施例中使用的部分材料或部件的介绍如下：
[0027]豆种，选用为绿豆，当年成熟的
、
颗粒饱满的
、
且无冲蚀和破损的完整绿豆；
[0028]培养盒，材质为普通塑料，用于将完成浸豆操作的豆种进行平铺培养；
[0029]直流电场，由螺栓固定的两块铜板形成的电极架构以及与铜板通过导线连接的直流电源提供，通过调节螺栓调节两块铜板之间的距离以及电极架构与培养盒的相对位置，以提供不同强度和不同方向的直流电场，其中铜板的材质为
H62
，直流电源的电压为
1500V。
需要说明的是，如图3所示，对于豆种培养中，电场方向可以设置为平行和垂直于豆种，相对而言，平行包括向左平行以及向右平行，垂直则包括向上垂直和向下垂直在本专利技术中平行方向时，左右电场并无明显区别，因此在实施例中不予以区分
。
[0030]下面将结合本专利技术具体实施例和说明书附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0031]实施例1[0032]一种利用直流电场培养豆芽的方法，包括以下的步骤，
[0033](1)
种子处理：将绿豆种子使用
75℃
水将豆种浸烫
2min
，随后在避光条件下将浸烫完成的绿豆种子在
25℃
水中浸泡
8h
，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种利用直流电场培养豆芽的方法，其特征在于，包括，将完成浸豆操作的豆种置于预设强度以及方向的直流电场中避光培养；培养完成得到豆芽产品
。2.
根据权利要求1所述的利用直流电场培养豆芽的方法，其特征在于，所述直流电场的强度为
0.05
～
0.15kV/cm。3.
根据权利要求1所述的利用直流电场培养豆芽的方法，其特征在于，所述直流电场相对于所述豆种的方向包括平行和垂直
。4.
根据权利要求1所述的利用直流电场培养豆芽的方法，其特征在于，所述浸豆操作包括，使用
65
～
80℃
水将豆种浸烫2～
3min
，随后在避光条件下将浸烫完成...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋天棋，江雨彤，鲁海亮，袁婷婷，蓝磊，田志曈，郝鑫，何家旭，王靖伦，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：