一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极技术

本发明专利技术公开一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极

【技术实现步骤摘要】
一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极


[0001]本专利技术涉及电真空器件

。
更具体地，涉及一种大电流密度微型阴极的制备方法及该制备方法制备得到的大电流密度微型阴极
。

技术介绍

[0002]阴极是真空电子器件的电子发射的关键部件，其性能与结构直接影响真空器件电子注的质量和性能
。
随着高频段真空器件的互作用结构尺寸的减小，要求电子注微型化
。
[0003]为了满足防空反导有源相控阵系统对小型化
、
高效率
、
低电压毫米波电真空器件的迫切需求，需要开展平面行波管阵列技术研究
。
阴极热子组件微型化是实现行波管平面化的基础
。
然而，阴极及热子组件的微型化会带来阴极电流密度的急骤增加和制备工艺的复杂性，需探索新的大电流密度微型化阴极设计与工艺实现方法，解决平面化行波管微型化阴极设计与工艺制备问题
。

技术实现思路

[0004]基于以上事实，本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种大电流密度微型阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有开口的阴极罩，所述开口对应阴极的阴极发射区；将钨与氧化钪的混合粉与乙二醇的乙醇溶液混匀，得混合物；将所述混合物填满所述开口，再向阴极罩内加入钨与氧化钪的混合粉，经压制成型，得到钪钨基半成品；将所述钪钨基半成品进行烧结，得到多孔的氧化钪掺杂钨海绵体；在该多孔的氧化钪掺杂钨海绵体中浸渍活性物质，得到所述大电流密度微型阴极
。2.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述开口呈矩形状，且尺寸可小至为
1mm
×
0.2mm
以下
。3.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结在氢气气氛下进行，所述烧结的温度为
1420
‑
1460℃
，烧结的时间为
15
‑
20min。4.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压制成型的压力为
50bar
‑
70bar
，保压时间为
15
‑
20s。5.
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述浸渍活性物质在氢气气氛下进行，所述浸渍的温度为
1620℃

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，张珂，刘继琛，张培先，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十二研究所，
类型：发明
国别省市：