微电子组件制造技术

本文公开了微电子组件以及相关的器件和方法

【技术实现步骤摘要】
微电子组件
[0001]本申请是申请号为
201780095210.5
的
、
申请日为
2017
年
12
月
29
日的
、
名为“微电子组件”的中国专利申请的分案申请
。

技术介绍

[0002]集成电路管芯通常被耦合到封装衬底以实现机械稳定性并且有利于连接到其他部件，例如电路板
。
由常规衬底可实现的互连间距
(pitch)
受到制造
、
材料和热考虑因素等的约束
。
附图说明
[0003]通过以下具体实施方式，结合附图，将容易理解实施例
。
为了方便这种描述，类似的附图标记指示类似的结构元件
。
在附图的图中通过举例而非限制的方式示出了各实施例
。
[0004]图1是根据各实施例的示例微电子组件的侧视截面图
。
[0005]图2是根据各实施例，图1的微电子组件中包括的管芯的底视图
。
>[0006]图3‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微电子组件，包括：电介质材料，其具有位于顶表面的第一导电触点和位于底表面的第二导电触点；在所述电介质材料上方的第一管芯，所述第一管芯具有顶部
、
底部
、
在所述顶部与所述底部之间的第一侧，以及在所述顶部与所述底部之间的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第一管芯的所述底部耦合到所述电介质材料的所述第一导电触点的第一部分，并且所述第一管芯具有在所述第一管芯中的贯穿衬底通孔
(TSV)
，其中，所述第一管芯的所述
TSV
中的至少一者耦合到导电触点的所述第一部分中的对应一者；所述电介质材料上方的材料，所述材料具有在所述材料中的凹槽，所述凹槽在最接近所述电介质材料处最窄，其中，所述第一管芯位于所述材料的所述凹槽中，并且所述材料具有与所述第一管芯的所述第一侧横向间隔开的第一锥形侧壁，以及与所述第一管芯的所述第二侧横向间隔开的第二锥形侧壁；延伸穿过所述材料的互连，所述互连耦合到所述电介质材料的所述第一导电触点的第二部分；在所述第一管芯和所述材料上方的第二管芯，所述第二管芯通过管芯到管芯互连耦合到所述第一管芯的所述顶部，并且所述第二管芯耦合到延伸穿过所述材料的所述互连的部分
。2.
根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述材料包括硅石填料
。3.
根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述材料是光可成像材料
。4.
根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第二管芯通过所有所述管芯到管芯互连耦合到所述第一管芯的所述顶部
。5.
根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第一管芯具有完全在所述第二管芯的覆盖区内的覆盖区
。6.
根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述互连具有大于所述第一管芯的垂直厚度的垂直厚度
。7.
根据权利要求1所述的微电子组件，还包括：第三管芯，其与所述第一管芯横向间隔开
。8.
一种微电子组件，包括：一种结构，其具有在顶表面处的第一导电触点和在底表面处的第二导电触点，以及在所述第一导电触点和所述第二导电触点之间的电介质材料；在所述结构上方的下部管芯，所述下部管芯耦合到所述结构的所述第一导电触点的第一部分，并且所述下部管芯具有在所述下部管芯中的贯穿衬底通孔，其中，所述下部管芯的所述贯穿衬底通孔中的至少一者耦合到导电触点的所述第一部分中的对应一者；在所述结构上方的电介质层，所述电介质层具有在所述电介质层中的凹槽，所述凹槽在所述凹槽的顶部处具有第一横向宽度，并且所述凹槽在所述凹槽的底部处具有第二横向宽度，所述第二横向宽度小于所述第一横向宽度，其中，所述下部管芯位于所述电介质层的所述凹槽中，并且所述电介质层具有与所述下部管芯的第一侧横向间隔开的第一锥形侧壁，以及与所述下部管芯的第二侧横向间隔开的第二锥形侧壁；延伸穿过所述电介质层的互连，所述互连耦合到所述结构的所述第一导电触点的第二部分；
在所述下部管芯和所述电介质层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：