一种半导体激光器制造技术

本发明专利技术属于半导体光电器件技术领域，具体为一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，具体为一种半导体激光器
。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示
、
激光电视
、
激光投影仪
、
通讯
、
医疗
、
武器
、
制导
、
测距
、
光谱分析
、
切割
、
精密焊接
、
高密度光存储等领域
。
激光器的种类很多，分类方式也多样，主要有固体
、
气体
、
液体
、
半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小
、
效率高
、
重量轻
、
稳定性好
、
寿命长
、
结构简单紧凑
、
小型化等优点
。
激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，r/>1)
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体激光器，从下至上依次包括衬底
(100)、
下限制层
(101)、
下波导层
(102)、
有源层
(103)、
上波导层
(104)、
上限制层
(105)
，其特征在于：所述有源层
(103)
为阱层和垒层组成的周期结构，周期数
m
为：
3≥m≥1
，阱层为
InGaN
或
GaN
的任意一种或任意组合，阱层厚度为
10
～
90
埃米，垒层为
GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN
的任意一种或多种任意组合，垒层厚度为
10
～
150
埃米；所述有源层
(103)
具有为激光器设计的
Al
元素分布
、In
元素分布
、Si
掺杂浓度分布
、Mg
掺杂浓度分布
、C
元素分布
、O
元素分布和
H
元素分布；所述有源层
(103)
的
In
元素分布呈函数
y
＝
4/3
π
*sin(3x)
曲线分布，
Si
掺杂浓度分布呈
y
＝
cosx/e
x
曲线分布
。2.
如权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述有源层
(103)
的
Mg
掺杂浓度分布
、C
元素分布
、H
元素分布和
O
元素分布呈常数函数分布
。3.
如权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层
(102)
的
In
元素分布呈函数
y
＝
e
x
/x
第三象限曲线分布，上波导层
(104)
的
In
元素分布呈函数
y
＝
x2/sinx
第三象限曲线分布
。4.
如权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下波导层
(102)
的
Si
掺杂浓度呈函数
y
＝
ln|
‑
x|
曲线分布
。5.
如权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述下限制层
(101)
与下波导层
(102)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张江勇，王星河，黄军，张会康，蔡鑫，李水清，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：