一种感应放大电路和半导体存储器制造技术

本申请实施例公开了一种感应放大电路，包括：第一控制单元

【技术实现步骤摘要】
一种感应放大电路和半导体存储器


[0001]本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种感应放大电路和半导体存储器
。

技术介绍

[0002]在动态随机存储器
DRAM
中，需要通过位线感应放大器
(Bit Line Sense Amplifier
，
BLSA)
对数据进行放大
。
随着
DRAM
性能的不断提高，对
BLSA
的性能需求和要求也随之越来越高
。
[0003]然而，随着
DRAM
尺寸的不断缩小，
DRAM
的读写速度越来越快，传统的
BLSA
结构的放大处理效果无法满足需求
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种感应放大电路和半导体存储器，能够提高放大处理效果，提高集成度
。
[0005]本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种感应放大电路，包括：第一控制单元
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种感应放大电路，其特征在于，包括：第一控制单元
、
第二控制单元和放大单元；所述第一控制单元，连接所述放大单元的第一端，被配置为接收第一控制信号，响应于所述第一控制信号，将第一工作电压传输到所述放大单元的第一端；所述第一工作电压为电源电压；所述第二控制单元，连接所述放大单元的第二端，被配置为接收第二控制信号，响应于所述第二控制信号，将第二工作电压传输到所述放大单元的第二端；所述第二工作电压为衬底电压；所述放大单元的第三端接收第一位线电压，所述放大单元的第四端接收第二位线电压，所述放大单元被配置为响应于所述第一工作电压和所述第二工作电压，对所述第一位线电压和所述第二位线电压的差值进行放大处理
。2.
根据权利要求1所述的感应放大电路，其特征在于，所述第一控制单元包括：第一晶体管；所述第二控制单元包括：第二晶体管；所述第一晶体管的第一端连接所述放大单元的第一端，所述第一晶体管的第二端接收所述第一工作电压，所述第一晶体管的控制端接收所述第一控制信号；所述第一晶体管被配置为响应于所述第一控制信号，将所述第一工作电压传输到所述放大单元的第一端；所述第二晶体管的第一端连接所述放大单元的第二端，所述第二晶体管的第二端接收所述第二工作电压，所述第二晶体管的控制端接收所述第二控制信号；所述第二晶体管被配置为响应于所述第二控制信号，将所述第二工作电压传输到所述放大单元的第二端
。3.
根据权利要求2所述的感应放大电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为隧穿场效应晶体管
。4.
根据权利要求2所述的感应放大电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管为不同类型的晶体管；所述第一控制信号和所述第二控制信号互为反相信号
。5.
根据权利要求1所述的感应放大电路，其特征在于，所述第一工作电压和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：