基于制造技术

本申请涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基于

【技术实现步骤摘要】
基于SRAM存算一体电路的混合信号读取电路


[0001]本申请涉及集成电路
，具体涉及一种基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路
。

技术介绍

[0002]随着人工智能应用技术的快速发展，深度神经网络作为目前图像识别中最成功的算法之一，它需要对输入数据和权重数据做大量的乘法和加法运算
(Multiplication and Accumulation
，
MAC)。
存内计算
(Computing
‑
in
‑
Memory
，
CIM)
电路不仅可以支持存储器电路所具有的一般读写操作，而且可以执行多种运算操作，因而可以大大减少数据的搬移量，从而进一步提高系统的能耗效率
。
新型存储器及存内计算电路在高能效人工智能处理器
、
物联网终端设备
、
智能家居和智慧城市系统中有着广泛的应用前景
。
[0003]因此，存算一体化成为了未来趋势
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，包括：存内计算电路，所述存内计算电路对输入的多比特数字信号进行不同权重的乘加运算；可变增益跨导放大器
(202)
，所述可变增益跨导放大器
(202)
通过多比特数字信号控制，实现增益的可变，将电流信号转化为电压信号，将输入级信号进行不同范围的放大；模拟数字转换器
(203)
，所述模拟数字转换器
(203)
将可变增益跨导放大器
(202)
处理后的电压信号转换为数字信号输出
。2.
根据权利要求1所述的基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，所述可变增益跨导放大器
(202)
包括信号增益电容阵列，所述信号增益电容阵列中的每个电容的两端分别连接运算放大器的反相输入端和输出端，运算放大器的正相输入端接地
。3.
根据权利要求2所述的基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，所述可变增益跨导放大器
(202)
包括带负反馈的跨导放大电路以及可变电路放大器，所述带负反馈的跨导放大电路由信号增益电容阵列和运算放大器组成，所述带负反馈的跨导放大电路的电压增益倍数为
C1/C2
，其中，
C1
为存内计算电路输出的电荷总和的模拟量，承载输出电荷的电容，
C2
为可变增益跨导放大电路中的权重电容
。4.
根据权利要求3所述的基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，所述权重电容的选择由外置的外接数字信号控制，用于改变可变增益跨导放大器
(202)
的增益值
。5.
根据权利要求1所述的基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，所述存内计算电路采用耦合电容完成乘累加计算
。6.
根据权利要求1所述的基于
SRAM
存算一体电路的数模混合读取电路，其特征在于，所述存内计算电路为基于
SRAM
存内计算电路的
MAC
电路
(201)。7.
根据权利要求6所述的基于
SRAM

【专利技术属性】
技术研发人员：李一芒，华棣文，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：