电阻率的检测方法和板状物的加工方法技术

本发明专利技术提供电阻率的检测方法和板状物的加工方法，能够在不对板状物进行加工的情况下判断与板状物的加工性对应的电阻率。在电阻率的检测方法中，对具有背面和背面的相反侧的正面的板状物的电阻率进行检测，该电阻率的检测方法包含如下的步骤：干涉波形取得步骤，从光源向板状物的背面照射光，取得被背面反射的光与透过背面而被正面反射的光的干涉波形；以及推定步骤，根据通过干涉波形取得步骤取得的干涉波形来推定板状物的电阻率。涉波形来推定板状物的电阻率。涉波形来推定板状物的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
电阻率的检测方法和板状物的加工方法


[0001]本专利技术涉及电阻率的检测方法和板状物的加工方法。

技术介绍

[0002]为了从半导体晶片制造芯片，提出了如下的技术：照射对于晶片具有透过性的激光束而在作为板状物的晶片内部形成改质层，以强度等降低的改质层为起点而将晶片分割成芯片(例如，参照专利文献1)。
[0003]在形成改质层时，当在晶片中掺杂有杂质时，激光束的透过率、折射率根据所掺杂的杂质的量等而不同。因此，即使是相同厚度的晶片，也存在聚光点的位置发生变化而无法在适当的位置形成改质层、或者由于激光束的吸收增加而无法在厚度方向的较深的位置形成改质层这样的问题。
[0004]针对上述的问题，提出了能够与添加到晶片中的杂质对应地以适当的加工条件形成改质层的晶片的加工方法(例如，参照专利文献2)。
[0005]专利文献1：日本特开2002
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192370号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
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258253号公报
[0007]然而，在上述的专利文献2所示的方法中，存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻率的检测方法，对具有第一面和该第一面的相反侧的第二面的板状物的电阻率进行检测，其中，该电阻率的检测方法具有如下的步骤：干涉波形取得步骤，从光源向板状物的该第一面照射光，取得被该第一面反射的光与透过该第一面而被该第二面反射的光的干涉波形；以及推定步骤，根据通过该干涉波形取得步骤取得的干涉波形来推定该板状物的电阻率。2.根据权利要求1所述的电阻率的检测方法，其中，在该推定步骤中，根据通过该干涉波形取得步骤取得的干涉波形的最大值来推定该板状物的电阻率。3.根据权利要求2所述的电阻率的检测方法，其中，该电阻率的检测方法还具有如下的存储步骤：对具有各种电阻率的板状物进行该干涉波形取得步骤，预先存储将各个板状物的电阻率和与该电阻率对应的干涉波形的最大值关联起来的电阻率信息，在该推定步骤中，根据通过存储步骤存储的该电阻率信息来对板状物的电阻率进行逆运算。4.根据权利要求1所述的电阻率的检测方法，其中，在该推定步骤中，对通过该干涉波形取得步骤取得的干涉波形进行傅里叶变换，根据变换后的波形的最大值来推定该板状物的电阻率。5.根据权利要求4所述的电阻率的检测方法，其中，该电阻率的检测方法还具...

【专利技术属性】
技术研发人员：植木笃，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：