光刻图形校准方法技术

技术编号:39804520 阅读:19 留言:0更新日期:2023-12-22 02:35
本申请涉及一种光刻图形校准方法

【技术实现步骤摘要】
光刻图形校准方法、装置、介质及产品


[0001]本申请涉及光刻
,特别是涉及一种光刻图形校准方法

装置

介质及产品


技术介绍

[0002]在光刻工艺中,掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上,由于光学系统的不完善性和衍射效应,光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致,需要光学邻近效应修正
(Optical Proximity Correction

OPC) 对掩膜上的图形做修正,使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求

光学邻近效应修正包括在掩模图案中的器件结构图案邻近区域设计亚分辨率辅助图形
(sub

resolution assist features

SRAF)
,以使相应的光刻胶图案符合光刻工艺窗口的要求

辅助图形的图案小于光刻机分辨率,只对光线其散射作用,而不会被转移到光刻胶上

[0003]但是在传统技术中,未被添加亚分辨辅助图形的区域,由于背景强度过高,会造成光刻胶损失过多,形成光刻胶高度差,降低光刻图形的一致性


技术实现思路

[0004]基于此,有必要针对上述
技术介绍
中的问题,提供一种至少可以改善光刻胶高度差的光刻图形校准方法

装置

介质及产品

[0005]为实现上述目的及其他目的,根据本申请的各种实施例,本申请的一方面提供了一种光刻图形校准方法,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准方法包括:获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值

[0006]于上述实施例中光刻图形校准方法中,通过在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率

[0007]在一些实施例中,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形;第一方向与第二方向垂直;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多
个沿第一方向间隔排布的第一子图形,以及位于第一子图形与中部之间的至少一个第二子图形,第二子图形沿第一方向延伸;第一子图形及第二子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形,通过在第二方向和第一方向上,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低背景强度

[0008]在一些实施例中,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿第二方向延伸的第四子图形,第四子图形位于第三子图形与中部之间;在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第二方向间隔排布的第三子图形;第三子图形及第四子图形用于共同构成目标亚分辨率辅助图形,通过在第一方向和第二方向上,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低背景强度

[0009]在一些实施例中,光刻图形校准方法还包括:调节原始亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至主图形的线宽达到目标值

[0010]在一些实施例中,原始亚分辨率辅助图形包括:位于主图形的沿第一方向相对两侧的沿第二方向延伸的第一图案,以及位于主图形的沿第二方向相对两侧的沿第一方向延伸的第二图案,中部的原始亚分辨率辅助图形可以使稀疏的主图形在光学角度上呈现密集图形,在掩模图形中图形比较稀疏的主图形周围插入原始亚分辨率辅助图形,可以提高焦深和工艺窗口均匀性,并且,由于原始亚分辨率辅助图形小于光刻机分辨率,原始亚分辨率辅助图形在曝光时只对光线其散射作用,不会被转移到光刻胶上

[0011]在一些实施例中,中部的原始亚分辨率辅助图形为中心对称图形

[0012]本申请的另一方面提供了一种光刻图形校准装置,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,待校准版图的中部包括主图形及周向环绕主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;光刻图形校准装置包括标准阈值获取模块

校准参考量获取模块

图形添加模块及图形调节模块,标准阈值获取模块用于获取光刻图形校准的标准阈值,标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,光学临近效应标准阈值为曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;校准参考量获取模块用于在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取待校准版图的校准参考量,校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;图形添加模块用于在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形;图形调节模块用于调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值

[0013]于上述实施例中光刻图形校准装置中,通过图形添加模块在校准参考量大于标准阈值的情况下,在待校准版图的中部外围增加多个周向环绕中部的目标亚分辨率辅助图形,降低外围光刻胶受到的背景强度,再调节目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至校准参考量小于或等于标准阈值,减少外围光刻胶的损失,因此,避免待校准版图周围产生光刻胶高度差,提高产品良率

[0014]在一些实施例中,图形添加模块包括第一子模块及
/
或第二子模块,第一子模块用于在中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔的第一子图形;第一方向与第二方向垂直;以及在中部的沿第二方向的相对两侧增加多个沿第一方
向间隔排布的第一子图形,以及位于第一子图形与中部之间的至少一个第二子图形,第二子图形沿第一方向延伸;第一子图形及第二子图形用于共同构成目标亚分辨率本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻图形校准方法,其特征在于,用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形,所述待校准版图的中部包括主图形及周向环绕所述主图形的多个原始亚分辨率辅助图形;所述方法包括:获取光刻图形校准的标准阈值,所述标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下,曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值;其中,所述光学临近效应标准阈值为所述曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值;在对待校准版图进行光学临近效应修正后,获取所述待校准版图的校准参考量,所述校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值;在所述校准参考量大于所述标准阈值的情况下,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形;调节所述目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至所述校准参考量小于或等于所述标准阈值
。2.
根据权利要求1所述的光刻图形校准方法,其特征在于,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的目标亚分辨率辅助图形,包括:在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿所述第一方向间隔的第一子图形;所述第一方向与所述第二方向垂直;在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一子图形,以及位于所述第一子图形与所述中部之间的至少一个第二子图形,所述第二子图形沿所述第一方向延伸;所述第一子图形及所述第二子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形
。3.
根据权利要求1所述的光刻图形校准方法,其特征在于,在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形,包括:在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形,以及至少一个沿所述第二方向延伸的第四子图形,所述第四子图形位于所述第三子图形与所述中部之间;在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第二方向间隔排布的所述第三子图形;所述第三子图形及所述第四子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的光刻图形校准方法,其特征在于,所述方法还包括:调节所述原始亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距,至所述主图形的线宽达到所述目标值
。5.
根据权利要求4所述的光刻图形校准方法,其特征在于,所述原始亚分辨率辅助图形包括:位于所述主图形的沿所述第一方向相对两侧的沿所述第二方向延伸的第一图案,以及位于所述主图形的沿所述第二方向相对两侧的沿所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李可玉罗招龙王康洪银
申请(专利权)人:合肥晶合集成电路股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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