光刻图形校准方法技术

本申请涉及一种光刻图形校准方法

【技术实现步骤摘要】
光刻图形校准方法、装置、介质及产品


[0001]本申请涉及光刻
，特别是涉及一种光刻图形校准方法
、
装置
、
介质及产品
。

技术介绍

[0002]在光刻工艺中，掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致，需要光学邻近效应修正
(Optical Proximity Correction
，
OPC) 对掩膜上的图形做修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求
。
光学邻近效应修正包括在掩模图案中的器件结构图案邻近区域设计亚分辨率辅助图形
(sub
‑
resolution assist features
，
SRAF)
，以使相应的光刻胶图案符合光刻工艺窗口的要求
。
辅助图形的图案小于光刻机分辨率，只对光线其散射作用，而不会被转移到光刻胶上
。
[0003]但是在传统技术中，未被添加亚分辨辅助图形的区域，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻图形校准方法，其特征在于，用于对待校准版图添加周向环绕其中部的目标亚分辨率辅助图形，所述待校准版图的中部包括主图形及周向环绕所述主图形的多个原始亚分辨率辅助图形；所述方法包括：获取光刻图形校准的标准阈值，所述标准阈值为在曝光后光刻胶损失量小于损失量阈值的情况下，曝光后版图的背景强度与光学临近效应标准阈值的比值；其中，所述光学临近效应标准阈值为所述曝光后版图的线宽达到目标值的标准曝光能量阈值；在对待校准版图进行光学临近效应修正后，获取所述待校准版图的校准参考量，所述校准参考量为曝光后待校准版图的背景强度与所述光学临近效应标准阈值的比值；在所述校准参考量大于所述标准阈值的情况下，在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形；调节所述目标亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距，至所述校准参考量小于或等于所述标准阈值
。2.
根据权利要求1所述的光刻图形校准方法，其特征在于，在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的目标亚分辨率辅助图形，包括：在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿第二方向延伸且沿所述第一方向间隔的第一子图形；所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向间隔排布的所述第一子图形，以及位于所述第一子图形与所述中部之间的至少一个第二子图形，所述第二子图形沿所述第一方向延伸；所述第一子图形及所述第二子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形
。3.
根据权利要求1所述的光刻图形校准方法，其特征在于，在所述待校准版图的中部外围增加多个周向环绕所述中部的所述目标亚分辨率辅助图形，包括：在所述中部的沿第一方向的相对两侧增加多个沿所述第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第三子图形，以及至少一个沿所述第二方向延伸的第四子图形，所述第四子图形位于所述第三子图形与所述中部之间；在所述中部的沿所述第二方向的相对两侧增加多个沿所述第二方向间隔排布的所述第三子图形；所述第三子图形及所述第四子图形用于共同构成所述目标亚分辨率辅助图形
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的光刻图形校准方法，其特征在于，所述方法还包括：调节所述原始亚分辨率辅助图形的尺寸及
/
或间距，至所述主图形的线宽达到所述目标值
。5.
根据权利要求4所述的光刻图形校准方法，其特征在于，所述原始亚分辨率辅助图形包括：位于所述主图形的沿所述第一方向相对两侧的沿所述第二方向延伸的第一图案，以及位于所述主图形的沿所述第二方向相对两侧的沿所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李可玉，罗招龙，王康，洪银，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：