电子装置制造方法及图纸

本揭露提供一种电子装置，包括基板

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本揭露涉及一种电子装置
。

技术介绍

[0002]随着现代电子产品的技术进步以及消费者的需求渐增，市面上的电子装置通常须制备成具有高分辨率；然而，具有高分辨率的电子装置易受工艺等因素影响而使其的开口率下降
。

技术实现思路

[0003]本揭露提供一种电子装置，包括可具有提升的开口率的电子装置
。
[0004]根据本揭露的实施例，电子装置包括基板
、
半导体层
、
遮光层以及间隙子
。
半导体层设置于基板上且具有通道区
。
遮光层设置于基板与通道区之间
。
间隙子设置于半导体层上
。
遮光层与间隙子以及通道区重叠
。
[0005]根据本揭露的实施例，电子装置包括基板
、
半导体元件
、
遮光层以及间隙子
。
半导体元件设置于基板上
。
间隙子设置于半导体层上
。
遮光层设置于半导体元件与间隙子之间
。
遮光层与间隙子重叠
。
[0006]为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下
。
附图说明
[0007]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分
。
附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理r/>。
[0008]图1为本揭露第一实施例的电子装置的俯视示意图；
[0009]图2为依据图1的剖线
A
‑
A
’
的剖面示意图；
[0010]图3为本揭露第二实施例的电子装置的俯视示意图；
[0011]图4为本揭露第三实施例的电子装置的俯视示意图；
[0012]图5为依据图4的剖线
B
‑
B
’
的剖面示意图；
[0013]图6为本揭露第四实施例的电子装置的局部剖面示意图；
[0014]图7为本揭露第五实施例的电子装置的局部剖面示意图
。
具体实施方式
[0015]通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图
。
此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围
。
[0016]本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件
。
本领域
技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件
。
本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件
。
在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意
。
因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和
/
或“具有”时，其指定了相应的特征
、
区域
、
步骤
、
操作和
/
或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征
、
区域
、
步骤
、
操作和
/
或构件的存在
。
[0017]本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向
。
因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露
。
在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法
、
结构和
/
或材料的通常性特征
。
然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质
。
举例来说，为了清楚起见，各膜层
、
区域和
/
或结构的相对尺寸
、
厚度及位置可能缩小或放大
。
[0018]当相应的构件
(
例如膜层或区域
)
被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件
。
另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件
。
另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向
(orientation)。
[0019]术语“等于”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的
20
％以内，或解释为在所给定的值或范围的
10
％
、5
％
、3
％
、2
％
、1
％或
0.5
％以内
。
[0020]说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该
(
或该些
)
元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序
、
或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分
。
权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件
。
[0021]须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换
、
重组
、
混合以完成其他实施例
。
各实施例间特征只要不违背专利技术精神或相冲突，均可任意混合搭配使用
。
[0022]本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关
、
二极管
、
电容
、
电感
、
其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此
。
[0023]在本揭露中，厚度
、
长度
、
宽度与面积的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限
。
另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差
。
若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约
10
％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子装置，其特征在于，包括：基板；半导体层，设置于所述基板上且具有通道区；遮光层，设置于所述基板与所述通道区之间；以及间隙子，设置于所述半导体层上，其中所述遮光层与所述间隙子以及所述通道区重叠
。2.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述基板具有表面
,
一方向平行所述基板的所述表面，所述间隙子具有第一厚度
(T)
，所述间隙子包括第一侧壁及上底面，所述第一侧壁与所述方向夹有第一夹角
(
θ
)
，所述上底面具有第一边缘，所述遮光层具有邻近所述第一边缘的第二边缘，所述第一边缘与所述第二边缘沿所述方向上具有第一距离
(X)
，其中所述第一厚度
(T)、
所述第一夹角
(
θ
)
以及所述第一距离
(X)
满足以下关系式：
T*cot(
θ
)≤X≤T*cot(
θ
)+15
μ
m。3.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述遮光层包括金属材料
,
其中所述遮光层的反射率大于或等于0％且小于
70
％
。4.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述间隙子包括主间隙子以及次间隙子，其中所述遮光层具有对应所述主间隙子的第一部分以及对应所述次间隙子的第二部分，其中所述电子装置还包括栅极线，所述栅极线设置于所述基板上且沿第一方向延伸，所述遮光层的所述第一部分沿垂直所述第一方向的第二方向上的宽度大于所述遮光层的所述第二部分沿所述第二方向的宽度
。5.
根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述栅极线在所述第二方向上具有的宽度
(W
G
)
以及所述遮光层在所述第二方向上具有的宽度
(W
LS1
)
满足以下关系式：
W
G
≤W
LS1
≤10*W
G
。6.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡嘉豪，戴名柔，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：