分栅闪存器件及其制备方法技术

本申请提供一种分栅闪存器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层

【技术实现步骤摘要】
分栅闪存器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种分栅闪存器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]在分栅闪存器件中，隧穿氧化层
(tunnel oxide)
作为浮栅层与擦除栅层之间的介质层，其膜质及厚度至关重要，直接影响到存储单元
(cell)
的
program(
编程
)/Erase(
擦除
)
功能
。
[0003]但是目前隧穿氧化层存在被高温氧化加厚以及被冲击疏松的问题，很容易
trap(
捕获
)
电荷，影响产品良率和可靠性
。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种分栅闪存器件及其制备方法，可以解决目前分栅闪存器件中的隧穿氧化层存在被高温氧化加厚以及被冲击疏松的问题
。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种分栅闪存器件的制备方法，包括：
[0006]提供一衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层
、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层
、
浮栅层
、
隧穿氧化层
、
擦除栅层和第一氮化硅层；刻蚀所述第一氮化硅层至所述擦除栅层表面以在所述擦除栅层上形成一开口；形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述开口侧壁上的所述第一氮化硅层；在所述开口位置，刻蚀所述擦除栅层
、
所述隧穿氧化层至所述浮栅层表面；形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖部分所述第一侧墙
、
所述擦除栅层的侧表面和所述隧穿氧化层的侧表面；在所述开口位置，刻蚀所述浮栅层至所述栅氧化层表面；在所述开口位置对所述衬底进行离子注入工艺，以在所述衬底中形成源区；形成第三侧墙，所述第三侧墙覆盖部分所述第二侧墙和所述浮栅层的侧表面；形成源线，所述源线填充所述开口；回刻部分厚度的所述源线，以使剩余厚度的所述源线的上表面低于所述第二侧墙的顶端；采用化学气相沉积工艺形成保护层，所述保护层覆盖所述源线和所述第一氮化硅层；以及利用
CMP
工艺研磨去除超出所述第一氮化硅层表面的所述保护层
。2.
根据权利要求1所述的分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度至少为
3.
根据权利要求1所述的分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的材质为二氧化硅
。4.
根据权利要求1所述的分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，在回刻部分厚度的所述源线之后，以及在采用化学气相沉积工艺形成保护层之前，所述分栅闪存器件的制备方法还包括：对所述源线进行离子注入工艺，以提高所述源线的导电性
。5.
根据权利要求1所述的分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，形成第三侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高明，于涛，陆亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：