用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，该方法包括：获取目标芯片的

【技术实现步骤摘要】
用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统


[0001]本专利技术涉及智能控制
，具体涉及用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统
。

技术介绍

[0002]芯片的质量受多个因素影响，芯片的划片工艺质量影响芯片边缘整齐度，以及后续多个工艺步骤的高质进行
。
目前，主要根据已经生产的芯片划片质量对划片工艺进行反馈优化
。
然而，由于优化过程中考虑因素过于片面，导致工艺参数控制无法达到预期，且控制反馈效率差
。
现有技术中存在芯片划片质量均衡性差，参数控制效率低的技术问题
。

技术实现思路

[0003]本申请提供了用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统，用于针对解决现有技术中存在芯片划片质量均衡性差，参数控制效率低的技术问题
。
[0004]鉴于上述问题，本申请提供了用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统
。
[0005]本申请的第一个方面，提供了用于芯片生产的工艺参数控制方法，所述方法包括：获取目标芯片的
N
个划片工艺生产线；遍历采集所述
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行可靠性分析，生成
N
个设备可靠性因子；生成
N
个监测划片质量数据集，所述
N
个监测划片质量数据集是以划片质量为索引对
N
个划片工艺生产线在预设监测时域内生产芯片的划片质量检测报告集合进行数据提取获取的；对所述
N
个监测划片质量数据集进行偏移分析，生成
N
个质量偏移因子；基于所述目标芯片的设计信息确定预设划片工艺参数集；分别基于所述
N
个设备可靠性因子和
N
个质量偏离因子对所述预设划片工艺参数集的宽容阈值集合进行调整，获得
N
个调整宽容阈值集合；基于
N
个调整宽容阈值集合对
N
个划片工艺生产线的
N
个工艺参数集合进行参数寻优，获得
N
个目标最优工艺参数集合；将所述
N
个目标最优工艺参数集合分别传输至
N
个划片工艺生产线的
N
个参数控制单元进行工艺参数控制
。
[0006]本申请的第二个方面，提供了用于芯片生产的工艺参数控制系统，所述系统包括：工艺生产线获得模块，用于获取目标芯片的
N
个划片工艺生产线；可靠性因子生成模块，用于遍历采集所述
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行可靠性分析，生成
N
个设备可靠性因子；质量数据集生成模块，用于生成
N
个监测划片质量数据集，所述
N
个监测划片质量数据集是以划片质量为索引对
N
个划片工艺生产线在预设监测时域内生产芯片的划片质量检测报告集合进行数据提取获取的；
偏离因子生成模块，用于对所述
N
个监测划片质量数据集进行偏移分析，生成
N
个质量偏移因子；工艺参数集获得模块，用于基于所述目标芯片的设计信息确定预设划片工艺参数集；宽容阈值获得模块，用于分别基于所述
N
个设备可靠性因子和
N
个质量偏离因子对所述预设划片工艺参数集的宽容阈值集合进行调整，获得
N
个调整宽容阈值集合；最优工艺参数集合获得模块，用于基于
N
个调整宽容阈值集合对
N
个划片工艺生产线的
N
个工艺参数集合进行参数寻优，获得
N
个目标最优工艺参数集合；工艺参数控制模块，用于将所述
N
个目标最优工艺参数集合分别传输至
N
个划片工艺生产线的
N
个参数控制单元进行工艺参数控制
。
[0007]本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请通过获取目标芯片的
N
个划片工艺生产线，然后遍历采集
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行可靠性分析，生成
N
个设备可靠性因子，进而生成
N
个监测划片质量数据集，
N
个监测划片质量数据集是以划片质量为索引对
N
个划片工艺生产线在预设监测时域内生产芯片的划片质量检测报告集合进行数据提取获取的，通过对
N
个监测划片质量数据集进行偏移分析，生成
N
个质量偏移因子，然后基于目标芯片的设计信息确定预设划片工艺参数集，分别基于
N
个设备可靠性因子和
N
个质量偏离因子对预设划片工艺参数集的宽容阈值集合进行调整，获得
N
个调整宽容阈值集合，基于
N
个调整宽容阈值集合对
N
个划片工艺生产线的
N
个工艺参数集合进行参数寻优，获得
N
个目标最优工艺参数集合，然后将
N
个目标最优工艺参数集合分别传输至
N
个划片工艺生产线的
N
个参数控制单元进行工艺参数控制
。
达到了提升芯片生产中划片工艺的工艺参数控制质量的技术效果
。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0009]图1为本申请实施例提供的用于芯片生产的工艺参数控制方法流程示意图；图2为本申请实施例提供的用于芯片生产的工艺参数控制方法中获得多个跟随粒子密度集的多个微调步长集的流程示意图；图3为本申请实施例提供的用于芯片生产的工艺参数控制系统结构示意图
。
[0010]附图标记说明：工艺生产线获得模块
11
，可靠性因子生成模块
12
，质量数据集生成模块
13
，偏离因子生成模块
14
，工艺参数集获得模块
15
，宽容阈值获得模块
16
，最优工艺参数集合获得模块
17
，工艺参数控制模块
18。
具体实施方式
[0011]本申请通过提供了用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统，用于针对解决现有技术中存在芯片划片质量均衡性差，参数控制效率低的技术问题
。
[0012]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完
整地描述
。
显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
用于芯片生产的工艺参数控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标芯片的
N
个划片工艺生产线；遍历采集所述
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行可靠性分析，生成
N
个设备可靠性因子；生成
N
个监测划片质量数据集，所述
N
个监测划片质量数据集是以划片质量为索引对
N
个划片工艺生产线在预设监测时域内生产芯片的划片质量检测报告集合进行数据提取获取的；对所述
N
个监测划片质量数据集进行偏移分析，生成
N
个质量偏移因子；基于所述目标芯片的设计信息确定预设划片工艺参数集；分别基于所述
N
个设备可靠性因子和
N
个质量偏离因子对所述预设划片工艺参数集的宽容阈值集合进行调整，获得
N
个调整宽容阈值集合；基于
N
个调整宽容阈值集合对
N
个划片工艺生产线的
N
个工艺参数集合进行参数寻优，获得
N
个目标最优工艺参数集合；将所述
N
个目标最优工艺参数集合分别传输至
N
个划片工艺生产线的
N
个参数控制单元进行工艺参数控制
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：从所述
N
个监测划片质量数据集中随机选取一个监测划片质量数据集作为第一监测划片质量数据集；基于所述第一监测划片质量数据集构建第一偏移分析空间，其中，所述第一偏移分析空间中具有多个粒子点，多个粒子点与所述第一监测划片质量数据集中的监测划片质量数据一一对应；基于所述多个粒子点和所述第一偏移分析空间进行偏移分析，生成第一质量偏移因子；根据所述
N
个监测划片质量数据集生成
N
个偏移分析空间，进行偏移分析后，生成
N
个质量偏移因子
。3.
如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法包括：从所述多个粒子点中随机生成多个指引粒子和多个跟随粒子集，其中，所述多个跟随粒子集中的跟随粒子在所述多个指引粒子的指引距离阈值范围内生成；计算所述多个指引粒子和所述多个跟随粒子集在预设步长内的多个指引粒子密度和多个跟随粒子密度集；遍历计算所述多个指引粒子的多个指引粒子密度与多个指引粒子密度之和的比值的倒数，根据计算结果与预设微调步长进行相乘，获得多个跟随粒子密度集的多个微调步长集
。4.
如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法包括：根据所述多个微调步长集对所述多个跟随粒子集进行任意方向的
N
次迭代，获得
N
个迭代跟随粒子集；选取所述
N
个迭代跟随粒子集对应的
N
个迭代跟随粒子密度集
、
多个指引粒子密度和多个跟随粒子密度集，确定粒子密度最大的粒子作为目标粒子；计算所述目标粒子对应的监测划片质量数据与预设划片质量数据之间的差值，并计算
差值与预设划片质量数据的比值，根据计算结果生成第一质量偏移因子
。5.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：以设计寿命为索引，对
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行数据提取，获得
N
个设计寿命；以使用寿命为索引，对
N
个划片工艺生产线的全自动划片机信息进行数据提取，获得
N
个使用寿命；采集
N
个划片工艺生产线的故障维修数量，获得
...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫思铭，龚渤，焦国玺，唐杰，钱兴其，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：