一种增加材料分析制造技术

本发明专利技术提供一种增加材料分析

【技术实现步骤摘要】
一种增加材料分析FIB试片导电度的方法


[0001]本专利技术涉及半导体试片
，尤其涉及一种增加材料分析
FIB
试片导电度的方法
。

技术介绍

[0002]FIB
是材料分析中常用的工具之一，
FIB
搭配有离子束与扫描式电子显微镜，其工作原理是先利用高能量离子束切削半导体试片1上特定欲分析的位置，制备出一个截面，再利用具有高分辨率的扫描式电子显微镜拍摄欲分析位置截面内的微结构，搭配
EDS
分析，还可以获得截面内微结构的化学成份信息，由于
FIB
是以扫描式电子显微镜拍摄欲分析位置截面内的微结构，因此试片的截面必须要有一定的导电度，以硅基板为基础的芯片为例，其截面导电度仍佳，因此，扫描式电子显微镜拍摄的质量不错；但如果是其它基板材料，如陶瓷或玻璃，因为导电度不良，以现有技术拍摄，容易因为电荷累积而无法对焦，导致影像失真或扭曲，影响分析结果
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种增加材料分析
FIB
试片导电度的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1
：选择半导体试片（1），选择基板材料为硅
、
陶瓷或玻璃的半导体试片（1），试片上有分析目标物（
11
）；
S2
：将半导体试片（1）放置在
FIB
腔体内，
FIB
腔体内包括金属镀源（2）
、
探针（3）
、
移动平台（4），所述探针（3）设置在所述移动平台（4）前端，所述移动平台（4）带动所述探针（3）在所述半导体试片（1）上方三维方向上自由移动；
S3
：利用离子束在所述分析目标物（
11
）侧面制备截面（
12
），在半导体试片（1）上涂覆一层掩膜，掩膜用于保护无需加工的区域，用离子束轰击掩膜上的区域，离子束撞击使掩膜上的原子离开，形成气相或离子态的化合物，从而实现掩膜的去除，进而制备截面（
12
）；
S4
：利用所述金属镀源（2）在
FIB
截面一侧制备金属块，所述金属镀源（2）在
FIB
截面三侧镀上导电性金属，金属镀源（2）在一个区域来回移动，使导电性金属逐渐增厚形成第一金属块（5）；
S5
：将所述半导体试片（1）温度提高到
100℃
‑
150℃
，并保持该温度
10
分钟；
S6
：利用所述移动平台（4），将所述探针（3）接近所述第一金属块（5）并接触，所述移动平台（4）在所述半导体试片（1）上方移动，带动所述探针（3）移动至所述第一金属块（5）附近并与所述第一金属块（5）相接触；
S7
：使用所述金属镀源（2）在所述探针（3）与所述第一金属块（5）接触位置制备第二金属块（6），大小为
100
×
100
×
10...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳纪伦，陈荣钦，张仕欣，
申请(专利权)人：南京泛铨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：