本发明专利技术的目的在于提供一种SN比较小时或事件间隔较短时以高再现性来检测事件的损耗分析装置及损耗分析方法。本发明专利技术所涉及的损耗分析装置具备：OTDR波形获取部，获取被测量光纤的OTDR波形；及计算部，将以所述OTDR波形中所包含的各事件的起点的位置、所述各事件的起点的电平、所述各事件的损耗及所述各事件的反射衰减量为参数的事件模型函数非线性拟合于所述OTDR波形，并且计算所述位置、所述电平、所述损耗及所述反射衰减量。述损耗及所述反射衰减量。述损耗及所述反射衰减量。
【技术实现步骤摘要】
损耗分析装置及损耗分析方法
[0001]本专利技术涉及一种使用了事件模型函数的损耗分析装置及损耗分析方法。
技术介绍
[0002]已知有根据测量到的OTDR(Optical Time Domain Reflectometer：光时域反射仪)波形，检测在被测量光纤内产生的事件的方法(例如，参考专利文献1。)。在相关技术所涉及的装置中，测量被测量光纤的OTDR波形，提取测量到的OTDR波形中的变化点，生成在变化点上产生了事件时的理想波形。然后，提取测量到的OTDR波形与理想波形的差分，当存在差分量时，设为在存在该差分量的位置上存在未检测的事件，并检测OTDR波形中所包含的所有事件。
[0003]具体而言，在相关技术所涉及的装置中，计算事件的位置，因此检测OTDR波形的斜率的变化点。并且，在相关技术所涉及的装置中，计算事件的损耗，因此对OTDR波形使用最小二乘逼近直线。
[0004]专利文献1：日本特开2012
‑
167935
[0005]但是，在相关技术中，存在SN比较差时事件的起点的位置的再现性较低这一课题。并且，在相关技术中，存在事件相邻时事件的损耗值的再现性较低这一课题。
技术实现思路
[0006]为了解决所述课题，本专利技术的目的在于提供一种SN比较小时或事件间隔较短时以高再现性来检测事件的损耗分析装置及损耗分析方法。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术的损耗分析装置对OTDR波形非线性拟合事件模型函数。
[0008]具体而言，本专利技术所涉及的损耗分析装置具备：
[0009]OTDR波形获取部，获取被测量光纤的OTDR波形；及
[0010]计算部，将以所述OTDR波形中所包含的各事件的起点的位置、所述各事件的起点的电平、所述各事件的损耗及所述各事件的反射衰减量为参数的事件模型函数非线性拟合于所述OTDR波形，并且计算所述位置、所述电平、所述损耗及所述反射衰减量。
[0011]在本专利技术所涉及的损耗分析装置中，可以是如下：
[0012]所述计算部使用非线性最小二乘逼近算法即信赖域方法(Trust Region Methods)进行非线性拟合。
[0013]在本专利技术所涉及的损耗分析装置中，可以是如下：
[0014]所述计算部使用下式(1)的事件模型函数y
fit
作为所述事件模型函数，
[0015]在此，x为距离，y
bs
为反向散射函数，y
loss
为损耗函数，y
refl
为反射函数，s
x
为事件的起点的位置[km]，s
y
为事件的起点的电平[dB]，l为损耗值[dB]，r为反射衰减量[dB]。
[0016]具体而言，本专利技术所涉及的损耗分析方法具备：
[0017]OTDR波形获取步骤，获取被测量光纤的OTDR波形；及
[0018]计算步骤，将以所述OTDR波形中所包含的各事件的起点的位置、所述各事件的起点的电平、所述各事件的损耗及所述各事件的反射衰减量为参数的事件模型函数非线性拟合于所述OTDR波形，并且计算所述位置、所述电平、所述损耗及所述反射衰减量。
[0019]在本专利技术所涉及的损耗分析方法中，可以是如下：
[0020]所述计算步骤使用非线性最小二乘逼近算法即信赖域方法(Trust Region Methods)进行非线性拟合。
[0021]在本专利技术所涉及的损耗分析方法中，可以是如下：
[0022]所述计算步骤使用下式(1)的事件模型函数y
fit
作为所述事件模型函数，
[0023]在此，x为距离，y
bs
为反向散射函数，y
loss
为损耗函数，y
refl
为反射函数，s
x
为事件的起点的位置[km]，s
y
为事件的起点的电平[dB]，l为损耗值[dB]，r为反射衰减量[dB]。
[0024]另外，在可能的范围内能够组合上述专利技术。
[0025]专利技术效果
[0026]根据本专利技术，能够提供一种SN比较小时或事件间隔较短时以高再现性来检测事件的损耗分析装置及损耗分析方法。
附图说明
[0027]图1表示实施方式1所涉及的损耗分析装置的概略结构的一例。
具体实施方式
[0028]以下，参考附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。另外，本专利技术并不限定于以下所示的实施方式。这些实施例只不过是例示，本专利技术根据本领域的技术人员的知识能够以施加了各种变更、改良的方式来实施。另外，在本说明书及附图中，符号相同的构成要件视为表示彼此相同的构成要件。
[0029](实施方式1)
[0030]将本实施方式所涉及的损耗分析装置的概略结构的一例示于图1中。本实施方式所涉及的损耗分析装置具备：OTDR波形获取部11，获取被测量光纤20的OTDR波形；及计算部12，将以OTDR波形中所包含的各事件的起点的位置、各事件的起点的电平、各事件的损耗及各事件的反射衰减量为参数的事件模型函数非线性拟合于OTDR波形，并且计算各事件的起点的位置、各事件的起点的电平、各事件的损耗及各事件的反射衰减量。以下，将事件的“损耗”设为“损耗值”来进行说明。并且，事件的参数是指，事件的起点的位置[km]、事件的起点的电平[dB]、事件的损耗值[dB]及事件的反射衰减量[dB]。
[0031](OTDR波形获取步骤)
[0032]OTDR波形获取部11获取来自被测量光纤20的OTDR波形。例如，OTDR波形获取部11获取使光脉冲从被测量光纤20的一端入射并且从入射了光脉冲的被测量光纤20的一端输出的反向散射光的强度的时间分布作为OTDR波形。以下，将“距入射了光脉冲的被测量光纤20的一端的距离”设为“距离”。
[0033](计算步骤)
[0034]计算部12对由OTDR波形获取部11获取的OTDR波形非线性拟合事件模型函数，并且计算事件的起点的位置、事件的起点的电平、事件的损耗值及事件的反射衰减量。
[0035]具体而言，计算部12可以使用作为事件模型函数y
fit
的式(1)。
[0036][数式1][0037]y
fit
(x)＝y
bs
(x
‑‑
s
x
，s
y
)
·
y
loss
(x
‑
s
x
，l)+y
refl
(x
‑‑
s
x
，r)
ꢀꢀ
(1）
[0038]在此，x表示距离，y
bs
表示反向散射函数，y
loss
表示损耗函数，y
refl
表示反射函数，s
x
表示事件的起点本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种损耗分析装置，其具备：OTDR波形获取部，获取被测量光纤的OTDR波形；及计算部，将以所述OTDR波形中所包含的各事件的起点的位置、所述各事件的起点的电平、所述各事件的损耗及所述各事件的反射衰减量为参数的事件模型函数非线性拟合于所述OTDR波形，并且计算所述位置、所述电平、所述损耗及所述反射衰减量。2.根据权利要求1所述的损耗分析装置，其特征在于，所述计算部使用非线性最小二乘逼近算法即信赖域方法来进行非线性拟合。3.根据权利要求1所述的损耗分析装置，其特征在于，所述计算部使用下式(1)的事件模型函数y
fit
作为所述事件模型函数，在此，x为距离，y
bs
为反向散射函数，y
loss
为损耗函数，y
refl
为反射函数，s
x
为事件的起点的位置[km]，s
y
为事件的起点的电平[dB]，l为损耗值[dB]，r为反射衰减量[dB]。4.一种损...
【专利技术属性】
技术研发人员：高须凉太，村上太一，
申请(专利权)人：安立股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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